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公开(公告)号：KR1020080021392A
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060084758
申请日：2006-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/67282 , H01L2223/54413 , H01L2223/54493
Abstract: A semiconductor wafer with an identification part is provided to prevent residues from remaining on an identification part by including an identification part located in a position from the outer circumference of a semiconductor wafer to a position not deeper than the depth of a notch wherein the identification part is adjacent to the notch. A notch(110) is formed of an empty space positioned at one part of the edge of a body(102) of a flat plate, having a predetermined depth(D) facing toward the center of the body. An identification part(120) is formed in the surface of the body adjacent to the notch, located in a distance from the outer circumference of the body to a position not deeper than the depth of the notch. The notch can be an open space of a V shape, having first and second sides(112,114) confronting each other.
Abstract translation: 提供了具有识别部件的半导体晶片，通过将位于半导体晶片的外周的位置的识别部位设置在不比凹口的深度更深的位置上，将识别部件残留在识别部上， 与凹口相邻。 凹口（110）由位于平板的本体（102）的边缘的一部分处的空的空间形成，具有面向主体中心的预定深度（D）。 识别部分（120）形成在与凹口相邻的主体的表面中，所述凹口位于距离主体的外周一定距离至不比切口的深度更深的位置。 凹口可以是具有彼此面对的第一和第二侧面（112,114）的V形开放空间。
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公开(公告)号：KR1020070076850A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：KR1020060006246
申请日：2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L21/02381 , H01L21/324 , H01L21/76877
Abstract: A SOI(Silicon On Insulator) substrate and a manufacturing method thereof are provided to radiate the heat generated from a device onto a lower silicon substrate through silicon plugs. An insulating layer(220) is formed on a first silicon substrate(210), and then is etched to form plural contact holes exposing the first silicon substrate. The exposed silicon substrate is selectively epitaxially grown to plural silicon plugs(225) which fill the contact holes. The first silicon substrate is connected to a second silicon substrate via the silicon plugs formed on the insulating layer. The insulating layer is formed by subjecting a thermal oxidation process on the first silicon substrate.
Abstract translation: 提供SOI（绝缘体上硅）衬底及其制造方法，以通过硅插头将从器件产生的热辐射到下硅衬底上。 绝缘层（220）形成在第一硅衬底（210）上，然后被蚀刻以形成暴露第一硅衬底的多个接触孔。 暴露的硅衬底被选择性地外延生长到填充接触孔的多个硅插头（225）。 第一硅衬底经由形成在绝缘层上的硅插头连接到第二硅衬底。 通过在第一硅衬底上进行热氧化处理来形成绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020060099694A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020050021075
申请日：2005-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225 , H01L21/02002
Abstract: 게터링 사이트층을 구비하는 반도체 기판 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 게터링 사이트층은 100nm이하의 크기를 갖는 실리콘결정립과 상기 결정립의 성장을 억제하는 결정성장억제제를 구비함으로써 게터링 능력을 향상시킬 수 있으며 고온 공정에서도 결정립의 크기가 커지지 않으므로 게터링 능력을 유지하는 것을 특징으로 한다.
게터링-
公开(公告)号：KR1020050070265A
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020030099562
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강태수
IPC: H01L21/66
Abstract: 피검체 상의 일 영역에 제1 입사각으로 제1 광을 조사하여 제1 반사광 생성 및 수집한다. 이어서, 제1 광이 조사된 영역에 제2 광을 제2 입사각으로 조사하여 제2 반사광 생성 및 수집한다. 피검체를 이동시켜가며 제1 및 제2 광을 조사하고 제1 및 제2 반사광을 수집한다. 제1 반사광 및 제2 반사광을 각각 분석하여 피검체 상의 결함을 검사한다. 이 경우. 제1 및 제2 광은 동일한 광원으로부터 생성되되, 소정의 시간차를 두고 반복적으로 생성된다. 제1 광과 제2 광을 소정의 시간차를 두고 순차적으로 피검체에 조사하기 때문에, 각각의 광이 조사된 시점에 대응하게 생성된 반사광을 용이하게 입사각별로 분류할 수 있다. 따라서 하나의 광원 및 하나의 광 경로 전환 부재를 이용하더라도 피검체 상에 다양한 입사각으로 광을 조사할 수 있어 피검체의 결함을 정확히 검사할 수 있을 뿐만 아니라 검사소요 시간을 크게 단축할 수 있다. 나아가 결함 검사 장치의 소형화도 이룰 수 있다.
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