公开(公告)号：KR1020060076332A

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：KR1020040114722

申请日：2004-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최삼종 ,  최수열 ,  강태수 ,  박영수 ,  조규철 ,  이윤희 ,  차혜진 ,  전태훈

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B49/08

Abstract: 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 상기 화학 기계적 연마 장치는 웨이퍼 표면에 형성된 막을 연마하는 연마 챔버와 연마된 웨이퍼를 보관하는 언로더 챔버와 상기 연마 챔버와 상기 언로더 챔버 사이에서 발생하는 웨이퍼 이송 경로 상 및 언로더 챔버에 수증기를 공급하는 수증기 발생 장치 및 상기 연마 챔버, 상기 언로더 챔버 및 상기 수증기 발생 장치에 연결되어 상기 웨이퍼 이송 경로 상 및 상기 언로더 챔버에 상기 수증기 공급을 제어하는 제어부를 구비한다. 이로써, 슬러리 잔여물이 젖은 상태로 유지됨으로 후속의 세정 공정에서 잘 제거되어 웨이퍼 표면 결함이 억제되고 반도체 장치의 특성을 향상시켜 반도체 장치의 수율를 높인다.

公开(公告)号：KR1020080065455A

公开(公告)日：2008-07-14

申请号：KR1020070002604

申请日：2007-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구태형 ,  조규철 ,  김희성 ,  최수열 ,  한신혁 ,  박숙현 ,  차혜진 ,  주현희

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for polishing a substrate is provided to reduce the quantity of used slurry by adjusting the flow of slurry. A substrate maintaining hole for receiving a substrate is formed in a substrate carrier(10). A first platen is disposed to confront one surface of the substrate carrier. A first polishing pad is attached to one surface of the first platen confronting one surface of the substrate carrier. A slurry supply apparatus supplies slurry to one surface of the substrate. A first flow path through which the slurry flows is formed in one surface of the substrate carrier confronting the first platen. The first flow path can be of a radial shape extended from the center of the substrate carrier to the edge of the substrate carrier.

Abstract translation: 提供一种用于抛光基底的装置，通过调节浆料的流动来减少使用的浆料的量。 在衬底载体（10）中形成用于接收衬底的衬底维持孔。 第一压板被设置成面对衬底载体的一个表面。 第一抛光垫附接到面对基板载体的一个表面的第一压板的一个表面。 浆料供给装置将浆料供给到基板的一个表面。 浆料流过的第一流动路径形成在与第一压板相对的基板载体的一个表面中。 第一流路可以是从基板载体的中心延伸到基板载体的边缘的径向形状。

公开(公告)号：KR1020070007495A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050062151

申请日：2005-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강태수 ,  조규철 ,  김희성 ,  최수열 ,  박영수 ,  차혜진 ,  한신혁

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/324

Abstract: A method for fabricating a silicon wafer is provided to increase the density of vacancy in the bulk of a silicon wafer and improve the density of BMD(bulk micro defect) by depositing a material layer like silicon nitride on the back surface of the silicon wafer and by applying compressive stress to the back surface of the silicon wafer. A material layer is deposited on the back surface of a silicon wafer to apply tensile stress to the front surface of the silicon wafer(S105). An RTA process is performed to generate vacancies in the silicon wafer(S110). A heat treatment is performed on the silicon wafer to deposit an oxygen BMD in the silicon wafer(S115). The material layer is made of a material for applying compressive stress to the back surface of the silicon wafer.

Abstract translation: 提供一种制造硅晶片的方法，以通过在硅晶片的背表面上沉积诸如氮化硅的材料层来提高硅晶片本体中的空位密度并提高BMD的密度（体微缺陷），以及 通过对硅晶片的背面施加压缩应力。 材料层沉积在硅晶片的背表面上以向硅晶片的前表面施加拉伸应力（S105）。 执行RTA处理以在硅晶片中产生空位（S110）。 在硅晶片上进行热处理以在硅晶片中沉积氧气BMD（S115）。 材料层由用于向硅晶片的背面施加压应力的材料制成。

公开(公告)号：KR1020150009254A

公开(公告)日：2015-01-26

申请号：KR1020130083479

申请日：2013-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차혜진 ,  임원배

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/041 ,  G06F9/44

CPC classification number: G06F3/0416 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/04883 ,  G06F3/01 ,  G06F3/017 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0414 ,  G06F3/14

Abstract: 본 개시는 전자 장치의 터치 스크린에 입력 수단으로 입력하는 제스처의 필압에 따라서 필압에 대응하는 제스처 처리 모드를 자동으로 결정하는 방법에 있어서 터치 스크린에 입력한 제스처의 입력 강도를 확인하는 동작과 상기 입력 강도에 대응하는 모드를 결정하는 동작과 상기 모드에 따라서 상기 제스처를 처리하는 동작을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本公开提供了一种用于根据输入到具有输入单元的电子设备的触摸屏的写入压力来自动识别手势处理模式的方法。 该方法包括验证输入到触摸屏的手势的强度; 识别对应于强度的模式; 并根据上述模式处理手势。

公开(公告)号：KR1020070076850A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：KR1020060006246

申请日：2006-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤희 ,  박영수 ,  조규철 ,  강태수 ,  최수열 ,  전태훈 ,  차혜진

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76877

Abstract: A SOI(Silicon On Insulator) substrate and a manufacturing method thereof are provided to radiate the heat generated from a device onto a lower silicon substrate through silicon plugs. An insulating layer(220) is formed on a first silicon substrate(210), and then is etched to form plural contact holes exposing the first silicon substrate. The exposed silicon substrate is selectively epitaxially grown to plural silicon plugs(225) which fill the contact holes. The first silicon substrate is connected to a second silicon substrate via the silicon plugs formed on the insulating layer. The insulating layer is formed by subjecting a thermal oxidation process on the first silicon substrate.

Abstract translation: 提供SOI（绝缘体上硅）衬底及其制造方法，以通过硅插头将从器件产生的热辐射到下硅衬底上。 绝缘层（220）形成在第一硅衬底（210）上，然后被蚀刻以形成暴露第一硅衬底的多个接触孔。 暴露的硅衬底被选择性地外延生长到填充接触孔的多个硅插头（225）。 第一硅衬底经由形成在绝缘层上的硅插头连接到第二硅衬底。 通过在第一硅衬底上进行热氧化处理来形成绝缘层。

公开(公告)号：KR1020080072989A

公开(公告)日：2008-08-08

申请号：KR1020070011385

申请日：2007-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한신혁 ,  구태형 ,  김희성 ,  주현희 ,  차혜진 ,  최수열

IPC: H01L21/304

Abstract: A wafer grinding apparatus and a wafer grinding wheel are provided to improve a flatness of a wafer by arranging plural wheel blades, which are ring shape, on the grinding wheel. When a wafer is loaded, a chuck table(10) sucks the wafer(12) and rotates the wafer at a constant speed. A spindle assembly(20) is separated from the chuck table in an upward direction and selectively rotated or lowered, such that the wafer is ground. The spindle assembly includes a driving unit(22) and a grinding wheel(24). The driving unit lowers the spindle assembly, such that the spindle assembly is contacted with the wafer. The grinding wheel grinds the wafer to a predetermined thickness. The grinding wheel includes a wheel body, a first wheel blade, and a second wheel blade. The first wheel blade is arranged along an edge portion of the wheel body in a circular shape. The second wheel blade is arranged to be apart from the first wheel blade in an inward direction.

Abstract translation: 提供晶片研磨装置和晶片磨轮，通过在砂轮上布置环状的多个叶片来提高晶片的平坦度。 当加载晶片时，卡盘台（10）吸取晶片（12）并以恒定的速度旋转晶片。 主轴组件（20）在向上方向上与卡盘台分离并选择性地旋转或降低，使得晶片被研磨。 主轴组件包括驱动单元（22）和砂轮（24）。 驱动单元降低主轴组件，使得主轴组件与晶片接触。 研磨轮将晶片研磨成预定厚度。 砂轮包括轮体，第一轮叶片和第二轮叶片。 第一轮叶片沿轮体的边缘部分呈圆形排列。 第二轮叶片被布置成在向内的方向上与第一轮叶片分开。

公开(公告)号：KR1020070055167A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050113576

申请日：2005-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차혜진 ,  강태수 ,  조규철 ,  박영수 ,  최수열 ,  이윤희 ,  전태훈

IPC: H01L21/304

Abstract: 연마 패드 상으로 슬러리를 균일하게 공급하기 위한 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼를 연마하기 위해 상기 웨이퍼를 파지하여 회전시키는 연마 헤드를 포함한다. 상기 웨이퍼를 연마하기 위하여 상기 연마 헤드에 파지된 상기 웨이퍼의 연마면과 서로 마주보도록 연마 패드를 구비한다. 상기 연마 패드는 다수의 슬러리 공급홀들을 포함한다. 상기 연마 패드 상부에 위치한 노즐을 통해 상기 연마 패드 상으로 슬러리를 공급하는 제1 슬러리 공급부를 포함한다. 상기 연마 패드 내의 다수의 슬러리 공급홀들을 통해 상기 연마 패드 상으로 슬러리를 공급하는 제2 슬러리 공급부를 포함한다. 따라서 연마 패드에 슬러리를 균일하게 공급할 수 있어 웨이퍼의 에지부의 연마 불균일을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060046912A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020040092429

申请日：2004-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영수 ,  최수열 ,  강태수 ,  최삼종 ,  조규철 ,  이윤희 ,  차혜진 ,  전태훈

IPC: H01L21/322 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노 실리콘 백사이드 레이어 기술을 이용한 반도체 웨이퍼의 게터링 싸이트 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼에 불순물을 흡수할 수 있는 나노 단위의 다결정 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 실리콘 또는 실리콘-나이트라이드로 이루어진 나노 단위의 게터링 싸이트가 형성된다. 따라서, 종래에 비해 실리콘 입계의 면적과 계면 에너지가 극대화되어 게터링 효과가 우수해지는 효과가 있다.