公开(公告)号：KR1020070013037A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020050067372

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성만 ,  고현국 ,  구본옥 ,  손장호 ,  서주형

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/24

Abstract: A method for fabricating a gate electrode with a metal layer pattern is provided to form a gate electrode with an improved characteristic by interposing a metal silicon nitride layer between a polysilicon layer and a metal layer. A polysilicon layer is formed on a semiconductor substrate(1S). A metal silicide layer is formed on the polysilicon layer(3S). The metal silicide layer is nitridized by an in-situ method to form a metal silicon nitride layer(5S). A metal layer is formed on the metal silicon nitride layer(7S). The metal layer, the metal silicon nitride layer and the polysilicon layer are patterned to form a polysilicon layer pattern, a metal silicon nitride layer pattern and a metal layer pattern(9S). The metal silicon layer and the metal silicon nitride layer can be made of a tungsten silicide layer and a tungsten silicon nitride layer, respectively.

Abstract translation: 提供一种制造具有金属层图案的栅电极的方法，以通过在多晶硅层和金属层之间插入金属氮化硅层来形成具有改进特性的栅电极。 在半导体衬底（1S）上形成多晶硅层。 在多晶硅层（3S）上形成金属硅化物层。 金属硅化物层通过原位法氮化，形成金属氮化硅层（5S）。 在金属氮化硅层（7S）上形成金属层。 对金属层，金属氮化硅层和多晶硅层进行构图以形成多晶硅层图案，金属氮化硅层图案和金属层图案（9S）。 金属硅层和金属氮化硅层可以分别由硅化钨层和氮化硅钨层构成。

公开(公告)号：KR1019980068054A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970004486

申请日：1997-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고현국 ,  구자흠

IPC: H01L21/02

Abstract: 반도체소자 제조장치를 개시하고 있다. 이는, 막 증착을 위한 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버로 웨이퍼를 이송하기 위한 로드락 챔버; 및 상기 로드락 챔버의 진공을 1x10
-5 이하로 유지하기 위하여 상기 로드락 챔버에 연결된 터보 펌프를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 터보 펌프를 설치하여 로드락 챔버의 진공을 1x10
-7 이하로 유지함으로써, 제1 프로세스 챔버의 진공을 안정되게 유지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070000063A

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050055500

申请日：2005-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고현국 ,  박인선 ,  길정환 ,  구본옥 ,  하재규 ,  손장호

IPC: H01L21/02

Abstract: A vacuum system of a semiconductor substrate processing apparatus and a monitoring method thereof are provided to prevent a pumped material from flowing reversely into a process chamber by blocking automatically an opening/closing valve in an abnormal vacuum pump state using a control unit. A vacuum system of a semiconductor substrate processing apparatus includes a vacuum pump(120) for controlling the degree of vacuum in a process chamber, opening/closing valves(116,118,124) for opening/closing vacuum lines connected to the process chamber and the vacuum pump, a current detecting unit(130) for detecting a driving current capable of operating the vacuum pump, and a control unit. The control unit(140) controls the opening/closing valves in order to prevent the backflow in the vacuum lines.

Abstract translation: 提供半导体基板处理装置的真空系统及其监视方法，以防止泵送材料通过使用控制单元在异常真空泵状态下自动阻塞打开/关闭阀而反向流入处理室。 半导体基板处理装置的真空系统包括用于控制处理室中的真空度的真空泵（120），用于打开/关闭连接到处理室和真空泵的真空管线的打开/关闭阀（116,118,124） 用于检测能够操作真空泵的驱动电流的电流检测单元（130）和控制单元。 控制单元（140）控制打开/关闭阀，以防止真空管线中的回流。

公开(公告)号：KR1019990079432A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980012052

申请日：1998-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고현국 ,  이두환

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명의 리플로우 장치는 프로세스 킷과 가스 공급 수단 그리고 티탄 타겟을 갖는다. 이 티탄 타겟은 물리적 증착에 사용된다. 이 물리적 증착으로 티탄 타겟의 티탄 원자는 프로세스 킷의 표면에 코팅된다. 이 장치를 사용한 반도체 웨이퍼의 열처리 방법은 물리적 증착으로 프로세스 킷의 표면에 티탄을 코팅하여 프로세스 킷으로부터 불순물들의 발생을 차단하는 단계를 포함한다. 이 단계가 끝나면, 챔버 내부는 고진공(3.0E-8 ∼ 5.0E-8) 상태가 된다. 반도체 웨이퍼의 리플로우는 이 고진공 상태에서 수행된다.

公开(公告)号：KR1019980011778A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960029355

申请日：1996-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이응준 ,  고현국 ,  최길현 ,  김병준

IPC: H01L21/203

公开(公告)号：KR1019970077160A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960015595

申请日：1996-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고현국 ,  김병준

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 의한 가스 스크러버(Scrubber)에 의하면 종래의 가스 스크러버에 비해 워터 샤워를 증가시킴으로써, 미반응 잔류 가스가 워터(Water)에 의해 완전하게 여과된 후 대기중으로 방출되어 대기 오염 및 화재 발생의 위험성을 배재할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070013100A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020050067463

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손장호 ,  고현국 ,  구본옥 ,  서주형 ,  김성만 ,  김영규 ,  이기종

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/67248

Abstract: Equipment for fabricating a semiconductor device is provided to maintain a shower heat at a predetermined temperature by adjusting the flowrate of cooling fluid so that the temperature variation of the shower head varying with the position of a heater clock is controlled. While a heater block on which a wafer is placed is elevated toward a shower head to perform a predetermined process, cooling fluid is supplied to the shower head. The temperature of the shower head elevated by the heater block is measured by a temperature gauge(S20). It is determined whether the temperature value of the shower head measured by the temperature gauge is a predetermined temperature value(S30). If so, a process is continuously performed(S40). If not, the flowrate of the cooling fluid is adjusted to control the temperature of the shower head(S50).

Abstract translation: 设置制造半导体器件的设备是通过调节冷却流体的流量来将喷淋热量保持在预定温度，从而控制喷淋头的温度变化随着加热器时钟的位置而变化。 当其上放置晶片的加热器块朝着淋浴头升高以执行预定的处理时，将冷却流体供应到淋浴喷头。 由加热器块升高的喷淋头的温度由温度计测量（S20）。 确定由温度计测量的喷淋头的温度值是否为预定的温度值（S30）。 如果是，则继续进行处理（S40）。 如果不是，则调节冷却液的流量以控制喷淋头的温度（S50）。

公开(公告)号：KR1020000002487A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980023274

申请日：1998-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최해문 ,  고현국 ,  김대문 ,  김성태

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C30B25/12 ,  C30B31/14 ,  H01L21/68785

Abstract: PURPOSE: A clamp of a heater assembly for refold process is provided to minimize a loss of heat by radiating the heat of a wafer to the clamp. CONSTITUTION: The clamp of a heater assembly comprises: a pad(24) for holding a wafer, formed in a quality of ceramic and having a contacting face stuck to the edge part of the wafer; a cap for closing the front face absorbed to a heater block from the outside; a mounting plate(22) for closing the side face of the wafer from the outside.

Abstract translation: 目的：提供用于重新折叠加工的加热器组件的夹具，以通过将晶片的热量辐射到夹具来最小化热损失。 构成：加热器组件的夹具包括：用于保持晶片的焊盘（24），其形成为陶瓷质量并且具有粘附到晶片的边缘部分的接触面; 用于从外部将正面吸收到加热器块的盖子; 用于从外部封闭晶片的侧面的安装板（22）。

公开(公告)号：KR1019980021223A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960040010

申请日：1996-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고현국 ,  구자흠 ,  최길현

IPC: H01L21/08

Abstract: 보다 짧은 시간에 낮은 압력을 얻을 수 있는 진공시스템에 관하여 개시한다.본 발명은 공정 챔버에 제1 진공라인을 통하여 연결되어 상기 공정챔버의 압력을 낮출수 있는 블로우 펌프 및 제1 러핑 펌프와, 상기 공정 챔버에 밸브를 통하여 연결되어 상기 공정챔버의 압력을 낮출수 있는 크라이오 펌프와, 상기 제1 진공라인에 연결된 제2 진공라인을 통하여 상기 공정챔버의 압력을 낮출수 있는 터보 펌프 및 제2 러핑 펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공 시스템을 제공한다. 본 발명의 진공시스템은 짧은 시간 내에 낮은 압력까지 펌핑 할 수 있고 공정 챔버의 초기 베이스 진공 도달 시간을 줄여 설비 가공율을 향상시키고 낮은 단가로 반도체 소자를 많이 생산할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980016845A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960036539

申请日：1996-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이응준 ,  고현국 ,  최길현 ,  김병준

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치의 플라즈마 챔버 내부를 초기에 진공화시키기 위한 진공 장치에 관하여 기재하고 있다. 이는, 제1진공 밸브에 의하여 상기 챔버에 기계적으로 연결되어 있는 cryo 펌프와, 제2진공 밸브에 의하여 상기 챔버에 기계적으로 연결되어 있는 터보 몰큘러 펌브로 이루어져 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 터보 몰큘러 펌프의 펌핑 작동에 의하여 챔버의 내부를 초기 진공 상태로 도달시키는 시간을 단축시키고 또한 저진공 상태에서 가열된 잔류 가스로 인한 cryo 펌프의 온도에 가해지는 침해를 방지하여 안정된 고진공 상태를 유지시킴으로서 리플로우 공정 및 잔류 가스로 인한 리플로우처리된 막의 질이 저하되는 것을 방지시킨다.