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公开(公告)号：KR1020000002487A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980023274
申请日：1998-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/68721 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/68785
Abstract: PURPOSE: A clamp of a heater assembly for refold process is provided to minimize a loss of heat by radiating the heat of a wafer to the clamp. CONSTITUTION: The clamp of a heater assembly comprises: a pad(24) for holding a wafer, formed in a quality of ceramic and having a contacting face stuck to the edge part of the wafer; a cap for closing the front face absorbed to a heater block from the outside; a mounting plate(22) for closing the side face of the wafer from the outside.
Abstract translation: 目的：提供用于重新折叠加工的加热器组件的夹具，以通过将晶片的热量辐射到夹具来最小化热损失。 构成：加热器组件的夹具包括：用于保持晶片的焊盘（24），其形成为陶瓷质量并且具有粘附到晶片的边缘部分的接触面; 用于从外部将正面吸收到加热器块的盖子; 用于从外部封闭晶片的侧面的安装板（22）。
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公开(公告)号：KR1020080000990A
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060058962
申请日：2006-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45559 , C23C16/45565
Abstract: A substrate treatment apparatus is provided to uniformly spray a reaction gas on one surface of a wafer by symmetrically arranging first and second diffusion holes on the basis of a center of a wafer. An upper spray plate(320) is installed below an upper wall of a process chamber(10) to form an upper buffer in which a first gas stays. The upper spray plate has plural first diffusion holes for spraying the first gas and plural second diffusion holes for spraying a second gas. A lower spray plate(340) is installed below the upper spray plate to form a lower buffer in which the second gas stays. The lower spray plate has plural first spray holes for spraying the first gas and plural second spray holes for spraying the second gas. A first communication line(380) communicates the first diffusion holes with the first spray holes, and a second communication line(360) communicates second supply holes(18) with the second spray holes. The second supply holes correspond to a center of the substrate, and the first diffusion holes are symmetrical to the second diffusion holes.
Abstract translation: 提供了一种基板处理装置，用于通过基于晶片的中心对称地布置第一和第二扩散孔，将反应气体均匀地喷射在晶片的一个表面上。 上喷雾板（320）安装在处理室（10）的上壁下方，以形成其中第一气体停留的上缓冲器。 上喷射板具有用于喷射第一气体的多个第一扩散孔和用于喷射第二气体的多个第二扩散孔。 下喷雾板（340）安装在上部喷雾板的下方，形成下部缓冲器，其中第二种气体停留在其中。 下喷射板具有用于喷射第一气体的多个第一喷射孔和用于喷射第二气体的多个第二喷射孔。 第一通信线路（380）将第一扩散孔与第一喷射孔连通，第二连通线路（360）将第二供给孔（18）与第二喷射孔连通。 第二供给孔对应于基板的中心，第一扩散孔与第二扩散孔对称。
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公开(公告)号：KR100706810B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020060011850
申请日：2006-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 박막 형성 장치를 세정하는 방법이 제공되는 데, 박막의 증착을 완료한 후, 공정 챔버 내의 온도를 크게 하강시키지 않고 세정가스를 짧은 시간 간격으로 반복적으로 공정 챔버 내부로 유입시켜 챔버 내에 잔류하는 막질을 제거하며, 세정 중에 퍼지가스가 공급될 수 있다. 본 발명에 따르면, 박막 형성 장치에 대한 손상과 공정시간의 지연을 최소화할 수 있으며, 박막 형성 장치의 유지 보수가 간단하고, 박막 형성 공정의 생산성을 향상할 수 있다.
박막 형성 장치.Abstract translation: 提供了一种用于清洁薄膜形成设备的方法，包括：在完成薄膜沉积之后，以短时间间隔重复地向处理室中引入清洁气体，而不显着降低处理室中的温度， 清洁过程中可以提供清洁气体。 根据本发明，可以使对薄膜形成装置的损伤和处理时间的延迟最小化，薄膜形成装置的维护简单，并且可以提高薄膜形成工艺中的生产率。
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公开(公告)号：KR1020050076116A
公开(公告)日：2005-07-26
申请号：KR1020040003928
申请日：2004-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최해문
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/6773 , H01L21/67745 , H01L21/67766
Abstract: 본 발명은 공정 완료에서부터 계측 완료까지의 시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 기판 처리 방법은 공정설비에서 한 롯트(lot)의 기판들을 공정처리하는 동안, 가장 먼저 공정을 마친 첫 번째 기판을 계측설비로 이동시켜 검사하는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100629358B1
公开(公告)日：2006-10-02
申请号：KR1020050043829
申请日：2005-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최해문
IPC: H01L21/205
Abstract: A shower head is provided to restrain the generation of unwanted residues due to a predetermined reaction between leaked gas and predetermined gas by using a second plate with an improved port structure. A shower head includes a first plate, a second plate and a plurality of port fixing members. The first plate has a recessed space under the center and a first through hole(111) vertically prolonged from the recessed space. The second plate(130) is installed under the first plate. The second plate has a port(140). The port of the second plate is inserted into the recessed space of the first plate. The port includes a body, a plurality of protruded members(146) on the body, and a first path connected through the first through hole. The plurality of port fixing members(152) are installed on a lower surface of the first plate in order to support the plurality of protruded members.
Abstract translation: 提供喷淋头以通过使用具有改进的端口结构的第二板来限制由于泄漏气体和预定气体之间的预定反应而产生的不需要的残余物。 淋浴头包括第一板，第二板和多个端口固定构件。 第一板具有位于中央下方的凹入空间和从凹入空间垂直延伸的第一通孔（111）。 第二板（130）安装在第一板下方。 第二板具有端口（140）。 第二板的端口插入第一板的凹入空间中。 端口包括主体，主体上的多个突出构件（146）以及通过第一通孔连接的第一路径。 多个端口固定部件（152）安装在第一板的下表面上以支撑多个突出部件。
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公开(公告)号：KR1020070042783A
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020050098744
申请日：2005-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치를 개시한 것으로서, 공정챔버; 공정챔버에 연결된 가스공급관; 공정챔버의 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 기판 지지부재에 놓여진 기판과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부와, 가스공급관과 가스분사부의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부를 포함하는 가스분사장치; 및 공정챔버에 연결된 진공배기장치;를 포함하며, 유로연결부는 일단에 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring)이 설치된 상태에서 가스공급관의 내측에 삽입 설치되도록 한 구성을 가진다.
이러한 구성에 의하면, 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 유로연결부의 실링 성능을 향상시켜, 가스분사장치 내에서의 반응가스의 누출로 인한 반응가스 간의 혼합 및 반응을 방지함으로써, 반응가스들이 공정챔버 내의 기판과 가스분사장치 사이의 반응영역에 도달될 때까지 반응가스들의 유동 경로를 분리하여 공급할 수 있는 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치를 제공할 수 있다.
가스분사장치, 샤워 헤드, 반응가스, 실링-
公开(公告)号：KR100614656B1
公开(公告)日：2006-08-22
申请号：KR1020050006836
申请日：2005-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최해문
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , F16K11/20
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 배기부에 사용되는 누설(leak)을 방지하는 밸브 어셈블리 구조를 개시한다. 이에 의하면, 밸브 어셈블리 몸체의 오픈된 양 끝단중의 하나는 공정챔버 또는 펌프와 연결되고 다른 하나는 트랩과 연결된다. 몸체내에는 3개의 밸브가 설치되며, 가스를 배기할 때는 몸체 내부에 설치된 모든 밸브들을 개방시키고, 가스를 차단할 때에는 몸체 내부의 모든 밸브들을 폐쇄시킨다. 이경우 밸브들에 의해 몸체 내부가 복수의 공간으로 분리되는데, 제 1밸브와 제 2밸브 사이의 공간에는 제 1영역이 형성되고, 제 2 밸브와 제 3밸브에는 제 2영역이 형성된다. 제 1영역에는 가스 주입관이 연결되어 밸브들이 폐쇄된 상태에서 제 1영역은 고압으로 유지되고, 제 2영역에는 유체 흡입관이 연결되어 밸브들이 폐쇄된 상태에서 제 2영역은 저압으로 유지된다.
밸브 어셈블리, 진공, 트랩, 세정-
公开(公告)号：KR1020060086028A
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020050006836
申请日：2005-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최해문
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , F16K11/20
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 배기부에 사용되는 누설(leak)을 방지하는 밸브 어셈블리 구조를 개시한다. 이에 의하면, 밸브 어셈블리 몸체의 오픈된 양 끝단중의 하나는 공정챔버 또는 펌프와 연결되고 다른 하나는 트랩과 연결된다. 몸체내에는 3개의 밸브가 설치되며, 가스를 배기할 때는 몸체 내부에 설치된 모든 밸브들을 개방시키고, 가스를 차단할 때에는 몸체 내부의 모든 밸브들을 폐쇄시킨다. 이경우 밸브들에 의해 몸체 내부가 복수의 공간으로 분리되는데, 제 1밸브와 제 2밸브 사이의 공간에는 제 1영역이 형성되고, 제 2 밸브와 제 3밸브에는 제 2영역이 형성된다. 제 1영역에는 가스 주입관이 연결되어 밸브들이 폐쇄된 상태에서 제 1영역은 고압으로 유지되고, 제 2영역에는 유체 흡입관이 연결되어 밸브들이 폐쇄된 상태에서 제 2영역은 저압으로 유지된다.
밸브 어셈블리, 진공, 트랩, 세정Abstract translation: 本发明公开了一种用于防止在半导体制造设备的排气部分中使用的泄漏的阀组件结构。 据此，阀组件本体的一个开口端连接到处理室或泵，另一个连接到捕集器。 阀体内装有三个阀门，当排气时，阀体内的所有阀门都打开，当气体关闭时，阀体内的所有阀门都关闭。 在这种情况下，通过阀将主体内部分割成多个空间，在第一阀与第二阀之间的空间形成第一区域，在第二阀与第三阀中形成第二区域。 第一个方面是连接并保持的气体入口管在阀关闭，所述第一区域是一个高的压力，所述第二区域具有流体吸入管连接到所述第二区域保持在低压下在阀关闭。
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公开(公告)号：KR1020040024944A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020020056690
申请日：2002-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최해문
IPC: B25B21/00
Abstract: PURPOSE: A nut connecting tool is provided to connect or disconnect a nut from a bolt to work easily in a limited space and to maximize rotation force transferred to the nut. CONSTITUTION: A nut connecting tool(200) is composed of a head(110), a shaft(130) transferring rotation force to the head, and a connecting member connecting the head and the shaft. The head is composed of a first groove(112) having a corresponding shape to an outer surface of a nut, a second groove(114) to receive one end of a bolt protruding through the nut. The head transfers rotation force to the nut.
Abstract translation: 目的：提供螺母连接工具，以将螺母与螺栓连接或断开，以在有限的空间内轻松工作，并最大限度地提高传递到螺母的旋转力。 构成：螺母连接工具（200）由头部（110），将旋转力传递到头部的轴（130）和连接头部和轴的连接构件构成。 头部具有与螺母的外表面相对应的形状的第一凹槽（112），第二凹槽（114），用于容纳通过螺母突出的螺栓的一端。 磁头将旋转力传递给螺母。
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