公开(公告)号：KR1020170097270A

公开(公告)日：2017-08-28

申请号：KR1020160018633

申请日：2016-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민경석 ,  남성진 ,  성석현 ,  오영묵 ,  권미경 ,  김형동 ,  박인원 ,  이형구

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6833 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판으로부터수직적으로돌출되며, 상기기판의상면과평행한제1 방향으로연장하는핀 구조체를포함한다. 상기핀 구조체는, 하부패턴, 및상기하부패턴의상면으로부터수직하게돌출된활성패턴을포함하고, 상기하부패턴의상면은, 상기기판의상면과실질적으로평행한평평한부분을포함하며, 상기하부패턴은상기제1 방향으로연장되는제1 측벽, 및상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는제2 측벽을포함하고, 상기제1 측벽과상기기판의상면이이루는제1 각도는, 상기제2 측벽과상기기판의상면이이루는제2 각도보다크다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地说，涉及一种引脚结构，该引脚结构垂直地从基板突出并沿平行于基板上表面的第一方向延伸。 其中，所述pin结构包括下图案和从所述下图案的上表面垂直突出的有源图案，其中，所述下图案的上表面包括基本平行于所述基板的上表面的平坦部分， 第一侧壁沿第一方向延伸，第二侧壁沿与第一方向交叉的第二方向延伸，其中由第一侧壁和衬底的上表面形成的第一角度与第一角度相同， 大于由第二侧壁和衬底的上表面形成的第二角度。

公开(公告)号：KR1020170082300A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：KR1020160001535

申请日：2016-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민경석 ,  권미경 ,  남성진 ,  성석현 ,  송영훈 ,  오영묵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는기판상에형성된제1 핀과제2 핀; 및제1 핀과제2 핀사이에형성되고, 제1 절연막과제1 절연막상에제1 절연막과연결되어형성되고, 제1 절연막보다큰 폭을가지는제2 절연막을포함하는필드절연막을포함하되, 제1 핀과제2 핀각각의하부폭에대한상부폭의비율은 0.5를초과한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 一种半导体器件包括：形成在衬底上的第一引脚任务2引脚; 以及形成在第一引脚和第二引脚之间并具有比第一绝缘膜的宽度大的宽度的场绝缘膜，场绝缘膜与第一绝缘膜的绝缘膜上的第一绝缘膜相连接地形成。 每个针脚2针脚的顶部宽度与底部宽度的比例超过0.5。