公开(公告)号：WO2023043070A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/KR2022/012396

申请日：2022-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  계명대학교 산학협력단

Inventor： 김도윤 ,  이종하 ,  안현수 ,  김찬일 ,  박은빈

IPC: A61B5/0537 ,  A61B5/00

Abstract: 개시된 일 측면에 따른 전자 장치는 대상체에 전류를 인가하고, 대상체의 임피던스를 측정하는 전극 센서와 인가되는 전류의 주파수를 조절하는 주파수 제어기와 주파수 별로 임피던스와 비타민 D 농도 간의 상관 관계가 저장된 메모리와 주파수를 가변하는 중에, 대상체의 임피던스를 획득하고, 획득된 임피던스가 속한 상관 관계를 특정하고, 상관 관계에 기초하여 대상체의 비타민 D 농도를 산출하는 프로세서를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020160135447A

公开(公告)日：2016-11-28

申请号：KR1020150068739

申请日：2015-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전희준 ,  박찬우 ,  김찬일 ,  라병주

IPC: G07C9/00 ,  B60R25/24

CPC classification number: G07C9/00119 ,  A44C5/0007 ,  A44C5/18 ,  G07C9/00309 ,  G07C9/00563 ,  G07C2009/00095 ,  G07C2009/00404 ,  G07C2009/00587 ,  G07C2009/00793 ,  G07C2009/00968 ,  G07C2209/61 ,  G08B7/06

Abstract: 결착장치에있어서, 몸체부와, 상기몸체부내측에형성되어스마트키 관련제어회로가배치되는제 1 영역, 및상기몸체부일측에형성되어상기제어회로운용에필요한전원을공급하는배터리가안착되고상기배터리의적어도일부가노출되도록형성되는제 2 영역을포함하는스트랩(strap) 및상기제 2 영역을덮도록형성된덮개를포함하는결착장치가개시된다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.

Abstract translation: 本发明提供了装订装置的装订装置和操作方法，其中装订装置包括一个包括主体的带，形成在主体内部的第一区域，以及设置在第一区域中的与智能钥匙有关的控制电路，第二区域 形成在身体的一侧，具有用于供电的电池，用于操作位于第二区域上的与智能钥匙相关的控制电路，使得电池的至少一部分被暴露，以及覆盖形成为覆盖第二区域的盖。

公开(公告)号：KR1020060019901A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040068599

申请日：2004-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김찬일

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/32513

Abstract: 플라즈마 클리닝 공정을 위한 반도체 제조 설비가 제공된다. 반도체 제조 설비는 챔버, 챔버를 밀봉하며 내면은 금속재질이고 외면은 석영재질인 쉴드, 쉴드로 밀봉된 챔버 상부에 장착되며 초기 플라즈마를 발생시키키 위한 코일이 내장된 리드, 챔버 하부에 형성되며 반도체 기판이 로딩되고 RF 플라즈마를 발생시키는 플레이트부, 챔버에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 주입부 및 챔버내에서 반응된 가스를 배출하기 위한 가스 배출부를 포함한다.
플라즈마, 클리닝, 반도체 제조 설비, 쉴드

公开(公告)号：KR1020040100755A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030033213

申请日：2003-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍상균 ,  김찬일 ,  최정호

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing system and a method of controlling temperature of a substrate using the same are provided to obtain an excellent film without an additional apparatus by performing metal film forming and cooling processes at the same temperature using one cooling solution supply part. CONSTITUTION: A semiconductor device manufacturing system includes a substrate transfer chamber(210), a plurality of process chambers(220) connected with the transfer chamber, and a cooling chamber(240) connected with the transfer chamber. A substrate holder with a first cooling solution storage part is installed in the process chamber. A cooling plate with a second cooling solution storage part is installed in the cooling chamber. A cooling solution supply part(280) is simultaneously connected with the first and second cooling solution storage parts.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件制造系统和使用其的基板的温度控制方法，以通过使用一个冷却溶液供应部在相同温度下进行金属成膜和冷却工艺而不需要附加装置来获得优异的膜。 构成：半导体器件制造系统包括衬底传送室（210），与传送室连接的多个处理室（220）和与传送室连接的冷却室（240）。 具有第一冷却溶液存储部的基板保持器安装在处理室中。 具有第二冷却溶液存储部的冷却板安装在冷却室中。 冷却溶液供给部件（280）同时与第一和第二冷却溶液存储部连接。

公开(公告)号：KR1020040078241A

公开(公告)日：2004-09-10

申请号：KR1020030013065

申请日：2003-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김찬일 ,  홍상균

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/50 ,  B05B7/222 ,  C23C4/08 ,  C23C4/131

Abstract: PURPOSE: A ceramic ring for physical deposition equipment is provided on which a buffer film is formed so that a Ta film is deposited very well on the ceramic ring in a process of depositing the Ta film on a wafer. CONSTITUTION: In a ceramic ring(50) for physical deposition equipment for proceeding Ta deposition process, the ceramic ring for physical deposition equipment comprises a ring shaped ceramic body part(52); and a buffer film(54) coated on the ceramic body part so that a Ta deposition film is uniformly deposited on the ceramic body part in the Ta deposition process, wherein the buffer film is formed by Al arc spray method.

Abstract translation: 目的：提供一种用于物理沉积设备的陶瓷环，在其上形成缓冲膜，以便在将Ta膜沉积在晶片上的过程中，使Ta膜非常好地沉积在陶瓷环上。 构成：在用于进行Ta沉积工艺的物理沉积设备的陶瓷环（50）中，用于物理沉积设备的陶瓷环包括环形陶瓷体部分（52）; 以及涂覆在陶瓷体部分上的缓冲膜（54），以使Ta沉积膜在Ta沉积工艺中均匀地沉积在陶瓷体部分上，其中缓冲膜通过Al电弧喷涂法形成。

公开(公告)号：KR1020030072770A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020020011959

申请日：2002-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김찬일 ,  강광기 ,  최정호

IPC: H01L21/203

Abstract: PURPOSE: A sputtering multi-chamber is provided to be capable of conserving a transfer chamber at a lower temperature for preventing defects from being generated at a metal layer by using a temperature control part. CONSTITUTION: A sputtering multi-chamber includes a plurality of sputtering chambers(36,38) located at the peripheral portion of a transfer chamber(32) integrated with a robot arm(34) for transferring a wafer, for carrying out a sputtering process in a low temperature. At this time, the transfer chamber includes a temperature control part capable of controlling the inner temperature of the transfer chamber at a low temperature. Preferably, the temperature control part includes a cooling solution supply line(48) prolonged to the inside of the transfer chamber and connected to a cooling solution supply part(46).

Abstract translation: 目的：提供溅射多室以能够在较低温度下保存传送室，以防止通过使用温度控制部件在金属层处产生缺陷。 构成：溅射多腔室包括位于与用于传送晶片的机器人手臂（34）成一体的传送室（32）的周边部分处的多个溅射室（36,38），用于执行溅射过程 低温。 此时，传送室包括能够在低温下控制传送室的内部温度的温度控制部。 优选地，温度控制部分包括延伸到传送室内部并连接到冷却溶液供应部分（46）的冷却溶液供应管线（48）。

公开(公告)号：KR1020020069551A

公开(公告)日：2002-09-05

申请号：KR1020010009605

申请日：2001-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영규 ,  김찬일 ,  서정석 ,  권현철

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a thin film by using a clamp ring shield is provided to prevent a wafer from being damaged by a clamp while a material is not deposited on the front surface of the wafer, by fixing a clamp ring including a protrusion in direct contact with the wafer wherein the wafer is not separated but not fixed. CONSTITUTION: The wafer(120) is loaded by the clamp ring(118) located under the wafer. A shield plate(112) supports the clamp ring, coupled to the lower portion of the clamp ring. A clamp cover(110) fixes the clamp ring, positioned on the side surface of the wafer. A shaft(102) transfers the clamp cover upward and downward.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用夹紧环形屏蔽形成薄膜的装置，以防止晶片在晶片的前表面没有沉积材料时被夹具损坏，通过将包括突起的夹环固定在 与晶片直接接触，其中晶片未分离但不固定。 构成：晶片（120）由位于晶片下方的夹紧环（118）装载。 屏蔽板（112）支撑夹紧环，其联接到夹紧环的下部。 夹具盖（110）固定位于晶片的侧表面上的夹紧环。 轴（102）向上和向下转动夹具盖。

公开(公告)号：KR1020040040076A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：KR1020020068397

申请日：2002-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍상균 ,  김찬일

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A physical vapor deposition apparatus for manufacturing a semiconductor chip is provided to prevent a target from being damaged due to the inflow of outer air by using a pump system. CONSTITUTION: A physical vapor deposition apparatus(200) is provided with a chamber(210), a target source part(220) for loading a target, and a pump system(250) for conserving the vacuum state of the target source part while the chamber is separated. Preferably, the pump system further includes a pipe line(252) connected to the target source part for supplying vacuum pressure, a vacuum pump(254) for generating the vacuum pressure, a valve(256) for controlling the vacuum pressure supplied to the target source part, and a vacuum gauge(258) for measuring the degree of vacuum of the target source part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体芯片的物理气相沉积设备，以防止由于使用泵系统而导致的外部空气流入而导致目标物体损坏。 构成：物理气相沉积装置（200）设置有室（210），用于装载目标的目标源部分（220）和用于保持目标源部分的真空状态的泵系统（250），同时 室分离。 优选地，泵系统还包括连接到用于提供真空压力的目标源部分的管道（252），用于产生真空压力的真空泵（254），用于控制供应给目标物的真空压力的阀（256） 源部分和用于测量目标源部分的真空度的真空计（258）。

公开(公告)号：KR1019980068810A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005592

申请日：1997-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창원 ,  김찬일 ,  최길현 ,  김병준

IPC: H01L21/203

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조공정에 사용되는 스퍼터(sputter)장치의 냉각설비에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 반도체장치의 제조공정에 사용되는 스퍼터(sputter)장치의 냉각설비에는 메인 플로우 미터와 상기 메인 플로우 미터의 청소, 교체 또는 고장시 상기 메인 플로우 미터가 직렬로 연결되어 있는 제1 냉각관으로부터 냉각수의 흐름을 우회시킬 수 있는 제2 냉각관이 마련되어 있고 상기 제2 냉각관에는 계속적으로 냉각수의 흐름의 이상 상태를 감지할 수 있는 보조 플로우 미터가 구비되어 있다. 결국 상기 메인 플로우 미터와 상기 보조 플로우 미터는 병렬로 상기 제1 냉각관에 연결되어 있다.
따라서 상기 어느 한 플로우 미터에 장애가 있더라도 스퍼터 장치의 계속적인 냉각을 실시할 수 있으므로 스퍼터장치를 이용하는 반도체장치의 생산을 계속 할 수 있으므로 반도체장치의 생산성이 높아지고 따라서 단위 제품의 단가를 낮출 수 있어서 경쟁력도 높일 수 있는 잇점이 있다.

公开(公告)号：KR1020040049908A

公开(公告)日：2004-06-14

申请号：KR1020020076875

申请日：2002-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정호 ,  김찬일

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A system for detecting a wafer deposition layer by a dual sensor is provided to determine whether a metal layer is deposited on a wafer while operating a physical deposition apparatus by detecting and comparing the difference of reflectivity. CONSTITUTION: An input reflectivity detecting unit(20) detects the reflectivity on the wafer(12) supplied to a chamber(10). An output reflectivity detecting unit(30) detects the reflectivity on the wafer taken out from the chamber after a metal layer deposition process is completed in the chamber. A reflectivity comparing unit(40) receives and compares the input reflectivity and output reflectivity transmitted from the input reflectivity detecting unit and the output reflectivity detecting unit and determines whether the metal layer is deposited on the wafer.

Abstract translation: 目的：提供用于通过双传感器检测晶片沉积层的系统，以通过检测和比较反射率的差异来确定在操作物理沉积设备的同时在金属层上沉积金属层。 构成：输入反射率检测单元（20）检测提供给室（10）的晶片（12）上的反射率。 输出反射率检测单元（30）在室内完成金属层沉积处理之后，检测从室中取出的晶片的反射率。 反射率比较单元（40）接收并比较从输入反射率检测单元和输出反射率检测单元发送的输入反射率和输出反射率，并确定金属层是否沉积在晶片上。