-
公开(公告)号：KR100175312B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019910006807
申请日：1991-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 수평적으로 농도가 그레이딩(grading)되는 에미터를 갖게 하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 질화막층의 스페이서(spacer)하부에 형성된 산화층을 언더 컷(under cut)하여 고농도의 다결정 실리콘층으로 재충전함으로써 n-형 에미터 영역의 도핑 프로파일의 모양을 용이하게 조절하여 핫 캐리어 효과에 의한 바이폴라 트랜지스터의 성능 저하를 방지할 수 있는 LGE(laterally graded emitter) 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
-
-
-
-
-
Patent Agency Ranking
-
7.发明公开1차폴리와질화막스페이서를갖는LGE(LATERALLYGRADEDEMITTER)바이폴라트랜지스터제조방법 失效制造具有初级多晶硅和氮化物间隔物的LATERALLY GRADEDEDITTER双极晶体管的方法
-
-
9.发明公开
-
公开(公告)号：KR100883737B1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070005201
申请日：2007-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02F1/13439 , H01L51/5203 , H01L2251/5369 , Y02E10/549 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/75 , Y10S977/902 , Y10S977/932 , Y10T428/249953 , Y10T428/249962 , Y10T428/249964 , Y10T428/249978 , Y10T428/249986 , Y10T428/249987 , Y10T428/254 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 본 발명은 망상의 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 투명 기판 위에 망상의 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 입자물질과 탄소나노튜브로 박막을 형성한 후 입자물질을 제거하여 망상의 탄소나노튜브 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 투명전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탄소나노튜브 투명전극은 광투과도가 유지되면서도 전기전도성이 우수하여 이미지센서, 태양전지, 액정 디스플레이 장치, 유기 EL 디스플레이, 터치 스크린 패널 등과 같이 광투과 특성과 전기전도성 등 두 가지 특성을 동시에 필요로 하는 각종 전자 소자에 폭 넓게 사용될 수 있다.
탄소나노튜브(CNT), 투명전극, 망상의 탄소나노튜브 박막층, 입자물질, 콜로이드 입자
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.017 seconds)
