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公开(公告)号：KR102219941B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020150033393
申请日：2015-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는로우마다배치되고, 각각이 M개의광전변환소자들을포함하는 N개의픽셀들, 및 N개의아날로그-디지털컨버터(analog-to-digital converter(ADC))들을포함하고, 상기아날로그-디지털컨버터들각각은픽셀마다구현된상기광전변환소자들에의해공유될수 있다.
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公开(公告)号：KR101964262B1
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：KR1020110124393
申请日：2011-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR101745892B1
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020100127385
申请日：2010-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: CDS 회로가개시된다. 상기 CDS 회로는픽셀신호의초기직류전압과램프신호의초기직류전압을부스팅하기위해제어신호에응답하여부스팅전압을생성하는부스팅회로와, 상기부스팅전압에의해부스팅된초기직류전압을가진상기픽셀신호와상기부스팅된전압에의해부스팅된초기직류전압을가진상기램프신호를비교하고비교결과에상응하는비교신호를출력하는비교기회로를포함한다.
Abstract translation: CDS电路启动。 CDS电路是与初始直流电压的像素信号和升压电路，并且由升压电压响应升压到所述控制信号的初始DC电压升压斜坡信号的初始直流电压用于产生像素信号的升压后的电压 以及比较器电路，用于将斜坡信号与通过基于过电压的卡住电压升高的初始DC电压进行比较，并输出与比较结果相对应的比较信号。
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公开(公告)号：KR1020170008978A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100219
申请日：2015-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 함석헌
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/23212 , H04N5/3696 , H04N5/374 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 오토포커싱픽셀을포함하는이미지센서, 및이를포함하는이미지처리시스템을개시한다. 본발명의이미지센서는 R, G, B 베이어패턴을갖는제1 내지제4 픽셀들을포함하는픽셀어레이와상기제1 내지제4 픽셀들각각의픽셀신호를디지털픽셀신호로변환하는아날로그-디지털변환블록을포함하며, 상기제1 내지제4 픽셀들중 적어도하나의픽셀은제1 방향으로분할된 2개의포토다이오드들을포함하고, 상기제1 내지제4 픽셀들중 다른나머지픽셀들은상기제1 방향과다른제2 방향으로분할된 2개의포토다이오드들을포함한다.
Abstract translation: 图像传感器包括包括具有R，G和B拜耳图案的第一至第四像素的像素阵列。 模数转换器（ADC）块将第一至第四像素中的每一个的像素信号转换为数字像素信号。 第一至第四像素中的至少一个包括在第一方向上分离的两个光电二极管，并且第一至第四像素中的至少另一个包括沿与第一方向不同的第二方向分离的两个光电二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101543674B1
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：KR1020090002542
申请日：2009-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3658 , H04N5/378
Abstract: 킥-백노이즈를감소시키기위한이미지센서가개시된다. 상기이미지센서는픽셀과, 상기픽셀로부터출력된신호를스위칭동작에따라처리하는신호처리회로와, 상기스위칭동작에따라발생한킥-백노이즈를감소시키기위하여상기픽셀과상기신호처리회로사이에접속되는킥-백노이즈블락킹회로를포함한다. 킥-백노이즈블락킹회로는저항또는선형영역에서동작하는 MOSFET를포함한다.
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公开(公告)号：KR101498042B1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020080036510
申请日：2008-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: G11C7/10
Abstract: 직렬로 접속된 다수의 드라이버 버퍼들을 포함하는 반도체 장치는 제어신호를 생성하고 생성된 제어신호를 상기 다수의 드라이버 버퍼들 중에서 첫 번째 드라이버 버퍼로 전송하기 위한 제어신호 발생기를 포함한다. 상기 직렬로 접속된 다수의 드라이버 버퍼들 각각은 자기에게 할당된 다수의 신호 처리회로들 각각에 구현된 다수의 스위칭 회로들 각각의 스위칭 동작을 제어하기 위한 버퍼링된 제어신호를 출력한다. 상기 다수의 신호 처리 회로들은 다수의 픽셀들, 다수의 CDS 회로들, 다수의 아날로그-디지털 변환기들, 또는 다수의 래치들을 포함한다.
드라이버 버퍼, 제어신호 발생기-
公开(公告)号：KR1020140104169A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020130018004
申请日：2013-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/341
CPC classification number: H04N5/23245 , H04N5/378
Abstract: An image sensor comprises a pixel array and an analog-digital conversion unit. The pixel array generates an analog signal by detecting incident light. The analog-digital conversion unit performs sigma-delta analog-digital conversion and cyclic analog-digital conversion for the analog signal in a first operation mode to generate a digital signal, and performs single slope analog-digital conversion for the analog signal in a second operation mode to generate a digital signal. The image sensor can provide images of good quality having a high signal-to-noise ratio in both a still image recording mode and a video recording mode.
Abstract translation: 图像传感器包括像素阵列和模拟数字转换单元。 像素阵列通过检测入射光来产生模拟信号。 模拟数字转换单元在第一操作模式中对模拟信号进行Σ-Δ模数转换和循环模数转换，以产生数字信号，并对模拟信号进行单斜率模数转换 操作模式产生数字信号。 图像传感器可以在静止图像记录模式和视频记录模式下提供具有高信噪比的良好质量的图像。
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公开(公告)号：KR1020130058402A
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110124393
申请日：2011-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/8236 , H01L21/77 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L25/00 , H01L27/00 , H01L27/0883 , H01L29/66545 , H01L2924/0002 , H01L29/4232 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a current leakage using a high reliability gate insulating layer for high voltage. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) has a high voltage region and a low voltage region. A high voltage transistor(TR-I) is formed in the high voltage region. The high voltage transistor includes a first active region, a first source/drain region, a first gate insulating layer, and a first gate electrode. A low voltage transistor(TR-II) is formed in the low voltage region. The low voltage transistor includes a second active area, a second source/drain region, a second gate insulating layer, and a second gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以便使用高可靠性的栅极绝缘层来降低电流泄漏。 构成：半导体衬底（100）具有高电压区域和低电压区域。 在高电压区域形成高压晶体管（TR-I）。 高压晶体管包括第一有源区，第一源极/漏极区，第一栅极绝缘层和第一栅电极。 在低压区域形成低压晶体管（TR-II）。 低压晶体管包括第二有源区，第二源极/漏极区，第二栅极绝缘层和第二栅电极。
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公开(公告)号：KR1020120062383A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020100123619
申请日：2010-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/772 , H04N5/23245 , H04N5/347 , H04N5/378
Abstract: PURPOSE: An image sensor and a camera system including the same are provided to implement high sensitivity without decreasing frame rate and to increase SNR. CONSTITUTION: An ADC(Analog to Digital Converter)(300) operates an operation mode. The ADC performs digital conversion through a reference signal. The ADC adds a digital-converted value. The ADC generates a digital signal. A controlling unit(400) controls an operation of a pixel array, a reference signal generating unit, and the ADC.
Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器和包括该图像传感器的相机系统，以实现高灵敏度，而不会降低帧速率并提高SNR。 构成：ADC（模数转换器）（300）操作一种操作模式。 ADC通过参考信号执行数字转换。 ADC增加一个数字转换值。 ADC产生数字信号。 控制单元（400）控制像素阵列，参考信号生成单元和ADC的操作。
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