화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법
    1.
    发明授权
    화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법 有权
    화학적기계적연마장비의슬러리공급장치및방법

    公开(公告)号:KR100454120B1

    公开(公告)日:2004-10-26

    申请号:KR1020010070139

    申请日:2001-11-12

    Abstract: An apparatus for supplying chemicals in a chemical mechanical polishing (CMP) process includes a plurality of chemical solution supply sources for supplying different chemical solutions in a pump-less manner by using a pressure applied at the chemical solution supply sources, each supply source having an associated feed line, re-circulating line, and means for measuring and controlling flow rates of the chemical solutions supplied through the feed lines. The chemical solutions are delivered via a plurality of delivery lines to a mixer, thereby providing a mixed chemical solution to a chemical injection part of a polishing apparatus. Each means for measuring and controlling flow rates is mounted in the feed lines.

    Abstract translation: 一种用于在化学机械抛光(CMP)过程中供应化学品的设备包括多个化学溶液供应源,用于通过使用施加在化学溶液供应源处的压力以无泵方式供应不同的化学溶液,每个供应源具有 关联的供给管线,再循环管线以及用于测量和控制通过供给管线供给的化学溶液的流量的装置。 化学溶液经由多个输送管线输送到混合器,从而将混合的化学溶液提供给抛光设备的化学注入部分。 用于测量和控制流量的每种装置都安装在进料管线中。

    케미컬 혼합장치
    2.
    发明公开
    케미컬 혼합장치 无效
    混合化学品的装置

    公开(公告)号:KR1020010084012A

    公开(公告)日:2001-09-06

    申请号:KR1020000008745

    申请日:2000-02-23

    Abstract: PURPOSE: Provided is an apparatus for mixing chemicals which is characterized by enhancing the mixing uniformity of chemicals used at a manufacturing process of semiconductor device by circulating among many mixing vessels. CONSTITUTION: The apparatus is composed of the following parts in draw 1: a first vessel (100) and a second vessel (200) to mix chemical A and B; inlets (110 and 110') for chemical A and B equipped at the first vessel (100); inlets (120 and 220) for an inert gas (ie. N2) equipped at the first vessel and the second vessel, respectively; a connection pipe (130) with the diameter of 30% of the mixing vessel diameter between the mixing vessels; and a mixer (140) shaped like a stirrer on the connection pipe (130).

    Abstract translation: 目的:提供一种混合化学品的装置,其特征在于通过在许多混合容器之间循环来提高半导体装置的制造过程中使用的化学品的混合均匀性。 构成:该装置由图1中的以下部分组成:第一容器(100)和混合化学品A和B的第二容器(200); 用于在第一容器(100)装备的化学品A和B的入口(110和110'); 分别装在第一容器和第二容器上的惰性气体(即N2)的入口(120和220) 连接管(130),其直径在混合容器之间的混合容器直径的30%; 以及在连接管(130)上形成为类似搅拌器的混合器(140)。

    반도체소자제조용용수처리설비의광산화처리장치
    3.
    发明公开
    반도체소자제조용용수처리설비의광산화처리장치 失效
    半导体器件制造用水处理设备的光氧化处理装置

    公开(公告)号:KR1019990047773A

    公开(公告)日:1999-07-05

    申请号:KR1019970066290

    申请日:1997-12-05

    Abstract: 본 발명은, 반도체소자 제조용 용수처리설비의 광산화처리장치와 이를 구비하는 용수처리설비 및 용수처리방법에 관한 것이다.
    본 발명의 반도체소자 제조용 용수처리설비의 광산화처리장치는, 전처리가 이루어진 용수중에 포함되어 있는 유기물이 산화되도록 상기 소정의 파장의 유브이를 조사시키는 유브이램프; 상기 유브이램프를 수용하고, 상기 용수를 플로우시키는 광산화부; 및 상기 소정의 파장의 유브이의 조사시 상기 유기물의 산화를 활성화시킬 수 있도록 상기 광산화부의 내측벽에 구비되는 촉매부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
    본 발명의 광산화처리장치가 구비되는 용수처리설비는, 전처리장치; 한외여과장치; 가스처리장치; 유브이램프, 광산화부 및 TiO
    2 재질의 촉매부가 구비되는 제 1 광산화처리장치; 제 1 이온교환장치; 유브이램프, 광산화부 및 TiO
    2 재질의 촉매부가 구비되는 제 2 광산화처리장치; 제 2 이온교환장치; 및 파티클처리장치를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
    따라서, 용수중에 포함되어 있는 유기물을 완전하게 처리함으로써 반도체소자의 신뢰도 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.

    수분 검사 장치
    4.
    发明公开
    수분 검사 장치 审中-实审
    水分分析仪

    公开(公告)号:KR1020170054631A

    公开(公告)日:2017-05-18

    申请号:KR1020150156927

    申请日:2015-11-09

    CPC classification number: G01N21/27 G01N33/18 G01N2201/06113

    Abstract: 본발명은보틀내의저장공간으로건조기체를주입하는건조기체주입유닛; 상기저장공간에주입된상기건조기체를흡입하는흡입유닛; 및상기흡입유닛을통해흡입된상기건조기체의수분농도를측정하는수분측정유닛을포함하는수분검사장치에관한것이다.

    Abstract translation: 干燥气体注入装置技术领域本发明涉及一种干燥气体注入装置,用于将干燥气体注入瓶子的存储空间中; 抽吸单元,用于抽吸注入储存空间的干燥气体; 以及水分测量单元,用于测量通过抽吸单元抽吸的干燥气体的水分浓度。

    웨이퍼 연마용 약액의 안정화 장치
    5.
    发明授权
    웨이퍼 연마용 약액의 안정화 장치 失效
    用于波浪抛光的浆料稳定设备

    公开(公告)号:KR100598084B1

    公开(公告)日:2006-07-07

    申请号:KR1019990002439

    申请日:1999-01-26

    Abstract: 본 발명은 반도체 산업과 웨이퍼의 제조 과정에 사용되는 웨이퍼 연마용 약액의 입자를 안정화 시켜 연마공정의 품질을 높이기 위한 웨이퍼 연마용 약액 안정화 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 연마용 약액의 안정화 장치는 약액 공급부에 연결된 유입관으로부터 유입되는 약액을 저장하고 1차로 안정화 시키는 제 1 침전부와, 제 1 침전부로부터 안정화된 약액을 공급받아 약액이 이동되는 과정에서 연속적으로 안정화 시키는 제 2 침전부 및, 제 1 침전부와 제 2 침전부의 하단에 연결되고 각 침전부의 바닥에 쌓인 침전물을 배수하기 위한 배수관으로 이루어진다.

    혼합유니트 및 혼합유니트를 포함하는 액체혼합장치
    6.
    发明授权
    혼합유니트 및 혼합유니트를 포함하는 액체혼합장치 失效
    一种液体混合设备,包括混合单元和混合单元

    公开(公告)号:KR100489651B1

    公开(公告)日:2005-08-02

    申请号:KR1019980039279

    申请日:1998-09-22

    Abstract: 본 발명은 내부에 회선홈들이 형성된 두개 이상의 회선관이 서로 합쳐져서 형성된 혼합유니트 및 이 혼합유니트를 포함하는 액체혼합장치에 관한 것이다.
    본 발명은 내부에 제1회선홈(611)이 형성된 제1회선관(61)과 역시 내부에 제2회선홈(621)이 형성된 제2회선관(62)을 포함하며, 상기 제1회선관(61)의 단부가 상기 제2회선관(62)의 내부로 인입되어 형성되는 혼합유니트(6)를 제공하며, 또한 상기 혼합유니트(6)를 포함하는 액체혼합장치도 제공한다.
    따라서, 두가지 이상의 액체를 혼합조(1)에 의한 혼합은 물론 단순한 혼합을 위하여는 혼합조(1) 외에서의 혼합유니트(6)에 의한 액체의 공급과 동시적으로 혼합이 가능하도록 하는 효과가 있으며, 그에 따라 혼합하고자 하는 액체의 정체시간을 줄일 수 있도록 하는 효과가 있다.

    광산화처리장치를 구비한 반도체소자 제조용 용수처리설비및 용수처리방법
    7.
    发明授权
    광산화처리장치를 구비한 반도체소자 제조용 용수처리설비및 용수처리방법 失效
    具有照相氧化设备的水处理设备,用于制造半导体器件和水处理方法

    公开(公告)号:KR100253102B1

    公开(公告)日:2000-04-15

    申请号:KR1019990053598

    申请日:1999-11-29

    CPC classification number: C02F1/725 B01J19/123 C02F1/32 Y10S210/90

    Abstract: PURPOSE: A water treatment equipment including a photooxidation apparatus for manufacture of semiconductor device and a method thereof are provided, to prevent the components of a catalyst part in a photooxidation part from being eluted by water and to react the catalyst part and aromatic organic in the water. CONSTITUTION: The equipment consists of: (i) a pretreatment apparatus; (ii) an ultrafiltration apparatus; (iii) a gas treatment apparatus; (iv) a first photooxidation apparatus including a UV lamp, a photooxidation part, and a catalyst part that is made of TiO2 material and is coated with polymer film; v) a first ion exchange device; (vi) a second photooxidation apparatus; (vii) a second ion exchange device; and (viii) a particle treater.

    Abstract translation: 目的:提供一种包括用于制造半导体器件的光氧化装置及其方法的水处理设备,以防止光氧化部分中的催化剂部分的组分被水洗脱并使催化剂部分和芳香族有机物在 水。 规定:设备包括:(i)预处理设备; (ii)超滤装置; (iii)气体处理装置; (iv)第一种光氧化装置,其包括UV灯,光氧化部分和由TiO 2材料制成并涂覆有聚合物膜的催化剂部分; v)第一离子交换装置; (vi)第二光氧化装置; (vii)第二离子交换装置; 和(viii)颗粒处理器。

    반도체 웨이퍼, 반도체 구조체 및 이를 제조하는 방법
    8.
    发明公开
    반도체 웨이퍼, 반도체 구조체 및 이를 제조하는 방법 审中-实审
    半导体晶圆,半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170083384A

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:KR1020160002779

    申请日:2016-01-08

    Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예에의한반도체웨이퍼는서로반대되는제1 면과제2 면을가지는웨이퍼몸체, 상기웨이퍼몸체의외주로부터상기웨이퍼몸체의중심부를향하여형성된개구를구비한노치부, 상기웨이퍼몸체의외주를따라형성되며, 상기제1 면과제2 면을연결하는제1 경사면을포함하고, 상기제1 면과상기제1 경사면이만나는제1 지점으로부터상기제2 면과상기제1 경사면이만나는제2 지점까지연장된직선에대하여제1 높이를가지는제1 베벨부, 및상기개구와접하도록배치되고, 상기제1 면과제2 면을연결하는제2 경사면을포함하고, 상기제1 면과상기제2 경사면이만나는제3 지점으로부터상기제2 면과상기제2 경사면이만나는제4 지점까지연장된직선에대하여상기제1 높이와상이한제2 높이를가지는제2 베벨부를포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体晶片包括具有两个相对的第一表面任务的晶片本体,具有从晶片本体的外周朝向晶片本体的中心形成的开口的切口部分, 其中,所述第一斜面沿所述晶圆本体的外围形成并包括将所述第一表面的两个表面连接至所述第一斜面的第一倾斜表面, 第一倾斜部分具有相对于延伸至第二点的直线的第一高度和与所述开口接触布置且连接所述第一表面任务的两个表面的第二倾斜部分, 并且具有相对于从第二倾斜表面与第二表面相交的第三点延伸到第四倾斜表面的直线具有与第一高度不同的第二高度的第二斜面部分。

    화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법
    10.
    发明公开
    화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법 有权
    浆料供应装置和CMP设备的方法

    公开(公告)号:KR1020030039182A

    公开(公告)日:2003-05-17

    申请号:KR1020010070139

    申请日:2001-11-12

    Abstract: PURPOSE: A slurry supply apparatus and method of CMP(Chemical Mechanical Polishing) equipment are provided to be capable of supplying chemical by using the pressure of a chemical supply part instead of that of a pump. CONSTITUTION: A slurry supply apparatus(200) is provided with a chemical supply part(210), a supply line used for transferring chemical from the chemical supply part to a chemical dosing part by the supply pressure of the chemical supply part, and a flow measuring and controlling part(230) connected with the supply line for measuring and controlling the flow of the chemical. The supply line further includes a circulation line(222) connected with the chemical supply part and a branch line(224) connected to the chemical dosing part. The flow measuring and controlling part(230) further includes a flow control valve(232), a flow detector(234) connected with the flow control valve(232), and a controller(236) for controlling the flow control valve(232) by using the signal generated from the flow detector(234).

    Abstract translation: 目的:提供CMP(化学机械抛光)设备的浆料供应装置和方法,以能够使用化学品供应部分的压力而不是泵的压力来供应化学品。 构成:浆料供给装置(200)具有化学物质供给部(210),用于通过化学物质供给部的供给压力将化学品从化学物质供给部输送到化学计量部的供给管, 测量和控制与供应管线连接的部件(230),用于测量和控制化学品的流动。 供应线还包括与化学供应部分连接的循环管线(222)和连接到化学计量部分的分支管线(224)。 流量测量和控制部分(230)还包括流量控制阀(232),与流量控制阀(232)连接的流量检测器(234)和用于控制流量控制阀(232)的控制器(236) 通过使用从流量检测器(234)产生的信号。

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