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公开(公告)号：KR1020080065455A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020070002604
申请日：2007-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for polishing a substrate is provided to reduce the quantity of used slurry by adjusting the flow of slurry. A substrate maintaining hole for receiving a substrate is formed in a substrate carrier(10). A first platen is disposed to confront one surface of the substrate carrier. A first polishing pad is attached to one surface of the first platen confronting one surface of the substrate carrier. A slurry supply apparatus supplies slurry to one surface of the substrate. A first flow path through which the slurry flows is formed in one surface of the substrate carrier confronting the first platen. The first flow path can be of a radial shape extended from the center of the substrate carrier to the edge of the substrate carrier.
Abstract translation: 提供一种用于抛光基底的装置，通过调节浆料的流动来减少使用的浆料的量。 在衬底载体（10）中形成用于接收衬底的衬底维持孔。 第一压板被设置成面对衬底载体的一个表面。 第一抛光垫附接到面对基板载体的一个表面的第一压板的一个表面。 浆料供给装置将浆料供给到基板的一个表面。 浆料流过的第一流动路径形成在与第一压板相对的基板载体的一个表面中。 第一流路可以是从基板载体的中心延伸到基板载体的边缘的径向形状。
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公开(公告)号：KR1020170083384A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020160002779
申请日：2016-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/544 , H01L21/68 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/02013 , H01L21/02021 , H01L21/02035 , H01L21/0262 , H01L21/324 , H01L22/12 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493
Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예에의한반도체웨이퍼는서로반대되는제1 면과제2 면을가지는웨이퍼몸체, 상기웨이퍼몸체의외주로부터상기웨이퍼몸체의중심부를향하여형성된개구를구비한노치부, 상기웨이퍼몸체의외주를따라형성되며, 상기제1 면과제2 면을연결하는제1 경사면을포함하고, 상기제1 면과상기제1 경사면이만나는제1 지점으로부터상기제2 면과상기제1 경사면이만나는제2 지점까지연장된직선에대하여제1 높이를가지는제1 베벨부, 및상기개구와접하도록배치되고, 상기제1 면과제2 면을연결하는제2 경사면을포함하고, 상기제1 면과상기제2 경사면이만나는제3 지점으로부터상기제2 면과상기제2 경사면이만나는제4 지점까지연장된직선에대하여상기제1 높이와상이한제2 높이를가지는제2 베벨부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体晶片包括具有两个相对的第一表面任务的晶片本体，具有从晶片本体的外周朝向晶片本体的中心形成的开口的切口部分， 其中，所述第一斜面沿所述晶圆本体的外围形成并包括将所述第一表面的两个表面连接至所述第一斜面的第一倾斜表面， 第一倾斜部分具有相对于延伸至第二点的直线的第一高度和与所述开口接触布置且连接所述第一表面任务的两个表面的第二倾斜部分， 并且具有相对于从第二倾斜表面与第二表面相交的第三点延伸到第四倾斜表面的直线具有与第一高度不同的第二高度的第二斜面部分。
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公开(公告)号：KR1020070059259A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020050117908
申请日：2005-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67242 , H01L21/68707
Abstract: A semiconductor substrate transferring apparatus is provided to safely transfer the semiconductor substrate along a set path and accurately guide the substrate on a set portion of substrate processing equipment. A blade(130) extends from a transfer arm(120) for transferring a semiconductor substrate, and supports the semiconductor substrate in a horizontal direction. A light emitting part(140) is disposed on one side of the blade to illuminate light in a horizontal direction crossing a transfer path of the semiconductor substrate. A light receiving part(150) is disposed opposite to the light emitting part to generate an electric signal according to the light interfered or illuminated by passage of the semiconductor substrate. A drive part(110) adjusts an angle of the blade.
Abstract translation: 半导体衬底传送装置被设置为沿着设定路径安全地传送半导体衬底，并且将衬底精确地引导到衬底处理设备的设置部分上。 刀片（130）从用于传送半导体衬底的传送臂（120）延伸，并且在水平方向上支撑半导体衬底。 发光部分（140）设置在叶片的一侧上以照射与半导体衬底的传送路径交叉的水平方向的光。 光接收部分（150）与发光部分相对设置，以根据半导体衬底通过的干扰或照亮的光产生电信号。 驱动部分（110）调节叶片的角度。
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公开(公告)号：KR1020150094876A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140015631
申请日：2014-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/544 , H01L21/20
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 웨이퍼를 제공한다. 이 방법에서는 표면 연마를 하기 전에 결정방위를 나타내는 깊은 제 1 레이저 마크를 최소의 갯수로 형성하고 표면 연마 후에 웨이퍼 정보를 나타내는 상기 제 1 레이저 마크보다 얕은 제 2 레이저 마크를 형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及由此制造晶片和晶片的方法。 在该方法中，形成表示表面抛光之前的晶体取向的深度第一激光标记的最小数量，表面抛光后表示晶片信息的第二激光标记比第一激光标记浅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100118213A
公开(公告)日：2010-11-05
申请号：KR1020090036923
申请日：2009-04-28
Applicant: 에스케이실트론 주식회사 , 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing mono-crystal substrates, a method for evaluating the mono-crystal substrates, and the mono-crystal substrates are provided to improve the bulk micro defect density in a surface proximal region by performing an additional oxygen precipitate growing process. CONSTITUTION: A mono-crystal ingot is grown(S10). A mono-crystal substrate is processed using the mono-crystal ingot(S20). The mono-crystal substrate undergoes a rapid thermal process(S30). The rapid thermal process includes a first rapid thermal processing step and a second rapid thermal processing step. A bulk-micro-defect inspection is performed(S40).
Abstract translation: 目的：提供单晶基板的制造方法，单晶基板的评价方法以及单晶基板，通过进行附加的氧沉淀生长工序来提高表面近端区域的体积微观缺陷密度。 构成：生长单晶锭（S10）。 使用单晶锭处理单晶基板（S20）。 单晶衬底经历快速热处理（S30）。 快速热处理包括第一快速热处理步骤和第二快速热处理步骤。 进行体显微缺陷检查（S40）。
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公开(公告)号：KR1020080072989A
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020070011385
申请日：2007-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: A wafer grinding apparatus and a wafer grinding wheel are provided to improve a flatness of a wafer by arranging plural wheel blades, which are ring shape, on the grinding wheel. When a wafer is loaded, a chuck table(10) sucks the wafer(12) and rotates the wafer at a constant speed. A spindle assembly(20) is separated from the chuck table in an upward direction and selectively rotated or lowered, such that the wafer is ground. The spindle assembly includes a driving unit(22) and a grinding wheel(24). The driving unit lowers the spindle assembly, such that the spindle assembly is contacted with the wafer. The grinding wheel grinds the wafer to a predetermined thickness. The grinding wheel includes a wheel body, a first wheel blade, and a second wheel blade. The first wheel blade is arranged along an edge portion of the wheel body in a circular shape. The second wheel blade is arranged to be apart from the first wheel blade in an inward direction.
Abstract translation: 提供晶片研磨装置和晶片磨轮，通过在砂轮上布置环状的多个叶片来提高晶片的平坦度。 当加载晶片时，卡盘台（10）吸取晶片（12）并以恒定的速度旋转晶片。 主轴组件（20）在向上方向上与卡盘台分离并选择性地旋转或降低，使得晶片被研磨。 主轴组件包括驱动单元（22）和砂轮（24）。 驱动单元降低主轴组件，使得主轴组件与晶片接触。 研磨轮将晶片研磨成预定厚度。 砂轮包括轮体，第一轮叶片和第二轮叶片。 第一轮叶片沿轮体的边缘部分呈圆形排列。 第二轮叶片被布置成在向内的方向上与第一轮叶片分开。
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公开(公告)号：KR1020160000049A
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140076521
申请日：2014-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/02002 , H01L21/02043
Abstract: 본발명은노치리스웨이퍼의제조방법을제공한다. 이방법은결정방위를아는반도체단결정잉곳(ingot)을마운터(mounter) 위에부착하는단계; 상기마운터위에서상기반도체단결정잉곳을잘라웨이퍼들을만드는단계; 및상기웨이퍼들을하나씩레이저마킹하고상기마운터로부터떼어내는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造无缺陷晶片的方法。 该方法包括以下步骤：将具有晶体取向的半导体单晶锭连接到安装器上; 在安装器上切割半导体单晶锭以生产晶片; 并用激光一个接一个地标记晶片，以将晶片从贴片机上分离出来。
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公开(公告)号：KR1020140006370A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120073038
申请日：2012-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L21/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L29/045
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device. According to the embodiment of the present invention, the semiconductor device field regions formed in a substrate; N-type impurity regions formed between the field regions. The substrate includes an epitaxial growth layer. The surface of the epitaxial growth layer has a {100} plane.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件。 根据本发明的实施例，形成在衬底中的半导体器件场区域; 在场区域之间形成N型杂质区。 衬底包括外延生长层。 外延生长层的表面具有{100}面。
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公开(公告)号：KR101104492B1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：KR1020090036923
申请日：2009-04-28
Applicant: 에스케이실트론 주식회사 , 삼성전자주식회사
Abstract: 단결정 기판 제조방법 및 그에 의해 제조된 단결정 기판 평가를 위한 열처리 방법을 제공한다. 상기 단결정 기판 제조방법은 단결정 기판을 제공한 후, 상기 기판 내에 베이컨시-산소 복합체를 형성하고, 상기 베이컨시-산소 복합체가 형성된 기판 내에 베이컨시를 주입하고 산소 석출물 핵 생성을 가속화시키는 것을 포함한다. 상기 단결정 기판 평가방법에서는 먼저, 전면으로부터 제1 깊이까지의 영역인 전방 표면층, 후면으로부터 제2 깊이까지인 후방 표면층, 및 상기 전방 표면층과 상기 후방 표면층 사이에 개재된 벌크층을 포함하는 단결정 기판를 제공한다. 상기 기판의 전후방 표면층들 내의 결함들을 제거하여 디누드존을 형성하고, 상기 벌크층 내에 산소 석출물을 형성시킨 후, 상기 산소 석출물을 성장시킨다.
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