公开(公告)号：KR1020160120382A

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：KR1020150049051

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 김인중 ,  윤일구

IPC: H05H1/00 ,  G01N21/66

CPC classification number: H01J37/32972 ,  G01J3/0202 ,  G01J3/0221 ,  G01J3/0248 ,  G01J3/0289 ,  G01J3/443 ,  H01J37/32917

Abstract: 광학분광분석장치가제공된다. 광학분광분석장치는, 기판에대해플라즈마공정을처리하는공정챔버내의광을측정하는광 측정부, 상기광 측정부로부터수집된광을전달받아플라즈마상태를분석하는광 분석부, 상기광 분석부의출력신호를전달받아상기출력신호를처리하는제어부, 상기공정챔버와상기광 측정부사이에배치되어상기광 측정부에결합되고, 상기광 측정부로수집되는수집광을제어하는수광제어부를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170029892A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：KR1020150127034

申请日：2015-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 김인중 ,  윤일구

IPC: G02B3/00 ,  H01J37/32 ,  G01J3/443 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: G01J3/0208 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0229 ,  G01J3/024 ,  G01J3/443 ,  G02B5/205 ,  G02B7/021 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67253

Abstract: 본발명의기술적사상은플라즈마공정에서의플라즈마상태를정밀하게검출하는데이용할수 있는튜브형렌즈, 그튜브형렌즈를포함한 OES 장치, OES 장치를포함한플라즈마모니터링시스템및 그시스템을이용한반도체제조방법을제공한다. 그튜브형렌즈는원통형튜브; 광이입사하는상기튜브의입구쪽에배치되고, 중심영역으로상기광의투과가차단된제1 렌즈; 및상기광이출사하는상기튜브의출구쪽에배치된제2 렌즈;를포함한다.

Abstract translation: 本发明的技术特征提供了一种使用等离子监控系统和包括该OES设备，OES设备，包括等离子处理eseoui等离子体状态的筒状透镜的系统中，并且可用于精确地检测镜头管的半导体制造方法。 管状透镜包括圆柱形管; 它被设置在使光入射时，在第一透镜和光透射被阻挡在中央区域中的管的入口; 并且第二透镜设置在光出射的管的出口侧。

公开(公告)号：KR1020120004190A

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020100064916

申请日：2010-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전현수 ,  이헌정 ,  전상진 ,  김세연 ,  김인중

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor apparatus is provided to minimize the damage of an electrostatic chuck by plasma by controlling the plasma which reaches the surface of an electrostatic chuck. CONSTITUTION: A reaction gas supply unit(140) is connected to the reaction gas injector(114) of a processing chamber(110) through a supply line(141). The processing chamber includes a first electrode(132) and a second electrode(137) for generating the electrostatic chuck(120) and plasma. A chiller supplies a cooling gas or a cool liquid to a circulation pipe which is formed in the electrostatic chuck. An exhaust pump(150) is connected to the discharge end portion of the processing chamber. An exhaust volume controller(151) is placed between the discharge end portion and an exhaust pump.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁半导体装置的方法，通过控制到达静电卡盘表面的等离子体来最小化等离子体的静电卡盘的损坏。 构成：反应气体供应单元（140）通过供应管线（141）连接到处理室（110）的反应气体注入器（114）。 处理室包括用于产生静电卡盘（120）和等离子体的第一电极（132）和第二电极（137）。 冷却器将冷却气体或冷却液供给到形成在静电卡盘中的循环管道。 排气泵（150）连接到处理室的排放端部。 排气量控制器（151）被放置在排出端部和排气泵之间。

公开(公告)号：KR1020110113066A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020100032398

申请日：2010-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전현수 ,  김기상 ,  이승형 ,  김종범 ,  최민웅 ,  김인중

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091

Abstract: 플라즈마를 이용한 일정 공정을 수행하는 경우, 웨이퍼의 표면에 부착되는 불순물의 양을 최소화할 수 있는 반도체 제조 장치의 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 상기 반도체 제조 장치의 플라즈마 처리 방법은 상기 일정 공정의 종료 후, 상기 웨이퍼 상에 생성된 플라즈마를 확산시키고 상기 웨이퍼를 탈착시킨다.