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公开(公告)号：KR1020140139842A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020130060464
申请日：2013-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065 , F04B37/14 , H01J37/241 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 반도체 제조설비 및 그의 세라믹 박막 코팅 방법을 개시한다. 그의 세라믹 박막 코팅 방법은, 세라믹 파우더를 제공하는 단계와, 상기 세라믹 파우더에 불순물을 주입하는 단계와, 상기 불순물이 주입된 상기 세라믹 파우더를 챔버의 내에 분사하여 상기 챔버의 내벽을 세라믹 박막으로 코팅하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 세라믹 파우더는 이리듐 산화막을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种半导体制造设备和涂覆陶瓷薄层的方法。 涂覆陶瓷薄层的方法包括：提供陶瓷粉末; 向陶瓷粉末注入杂质; 并将其中注入杂质的陶瓷粉末喷射到室中以在室的内壁上涂覆陶瓷薄层。 在这种情况下，陶瓷粉末包括氧化铱层。
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3.发明公开포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한포토레지스트의 제거 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 失效除去光催化剂的组合物，制备组合物的方法，除去光催化剂的方法和使用其制造半导体装置的方法
公开(公告)号：KR1020060131180A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050051421
申请日：2005-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/5013 , C11D7/263 , C11D7/266 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047
Abstract: Composition for removing photoresist and its etching residue is provided to effectively remove photoresist and microfine residue after etching the photoresist, and considerably reduce damage of metal wire exposed during photoresist removal by comprising alcohol amide compound, polar non-protonic solvent and general additive. The composition comprises: 5-20wt.% of alcohol amide compound represented by a formula, wherein R1 is hydroxy or hydroxy alkyl group and R2 is hydrogen or hydroxyl alkyl group; 15-60wt.% of polar non-protonic solvent; 0.1-6wt.% of additive; and the balance of water. Alternatively, the composition includes; 5-20wt.% of alcohol amide compound; 15-60wt.% of polar non-protonic solvent; 1-30wt.% of hydroxyl amine or alkanol amine; 0.1-6wt.% of additive; and the balance of water. The composition is used in manufacturing semiconductor device by forming photoresist pattern on a substrate, and adding the prepared photoresist composition to the substrate so as to remove the photoresist pattern.
Abstract translation: 提供用于除去光致抗蚀剂及其蚀刻残留物的组合物，以在蚀刻光致抗蚀剂之后有效去除光致抗蚀剂和微细残留物，并且通过包含醇酰胺化合物，极性非质子溶剂和通用添加剂，显着减少在光致抗蚀剂去除期间暴露的金属线的损伤。 该组合物包含：5-20重量％的由式表示的醇酰胺化合物，其中R1是羟基或羟基烷基，R2是氢或羟基烷基; 极性非质子溶剂15-60重量％ 0.1-6重量％的添加剂; 和水的平衡。 或者，组合物包括： 5-20重量％的醇酰胺化合物; 极性非质子溶剂15-60重量％ 1-30重量％的羟胺或链烷醇胺; 0.1-6重量％的添加剂; 和水的平衡。 通过在基板上形成光致抗蚀剂图案，将该组合物用于制造半导体器件，并将所制备的光致抗蚀剂组合物添加到基板上以除去光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020120026872A
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020100089047
申请日：2010-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05H1/0031 , H05H1/2406 , H05H2001/2431 , H01L22/26 , H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: A process monitoring device and a semiconductor process apparatus with the same, and a process monitoring method are provided to monitor a semiconductor manufacturing process regardless of pressure by extending the pressure range of the process monitoring device. CONSTITUTION: A housing(411) comprises an upper wall(411a), a bottom wall(411b), and a sidewall(411c). A plasma unit(420) generates plasma by ionizing a discharge gas. The plasma unit comprises a first electrode(422), a second electrode(424), and a power supply unit(426). The power supply unit applies the power to one of the first electrode and the second electrode. An optical emission spectrum unit(440) analyzes the light of the plasma generated from the plasma unit.
Abstract translation: 目的：提供一种过程监视装置及其半导体处理装置，以及处理监视方法，通过扩展处理监视装置的压力范围来监视半导体制造过程，不管压力如何。 构成：外壳（411）包括上壁（411a），底壁（411b）和侧壁（411c）。 等离子体单元（420）通过电离放电气体来产生等离子体。 等离子体单元包括第一电极（422），第二电极（424）和电源单元（426）。 电源单元向第一电极和第二电极之一施加电力。 光发射光谱单元（440）分析从等离子体单元产生的等离子体的光。
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公开(公告)号：KR1020110109340A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100029021
申请日：2010-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0416 , G02F1/1333 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04104
Abstract: 본 발명은 멀티 터치 장치에 관한 것으로서, 장치의 내부에 설치되는 투명 엘씨디(LCD; Liquid Crystal Display) 패널과, 상기 투명 엘씨디 패널의 양면에 각각 설치되는 터치 센싱 수단 및 상기 터치 센싱 수단의 센싱 동작을 감지하여 해당 터치 좌표에서의 멀티 터치 동작을 수행하는 제어부를 포함하여, 투명 엘씨디를 채용하고 상기 엘씨디의 양면에 터치 수단을 적용함으로써 멀티 터치가 가능하도록 구현되기 때문에 맞물림 현상에 의한 기기의 오조작을 미연에 방지할 수 있으며, 다양한 터치 방식을 제공함으로써 사용자의 다변화되어가는 기호에 부응할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110103723A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020100022927
申请日：2010-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
CPC classification number: G01J3/443 , H01J37/32834 , H01J37/32935 , H01J37/32972
Abstract: 공정 모니터링 장치와, 이를 이용한 공정 모니터링 방법이 제공된다. 공정 모니터링 장치는 유전체 장벽 방전(DBD) 방식을 이용하여 챔버의 배기 가스로부터 플라즈마를 발생하고, 플라즈마 방출 광의 분광 스펙트럼을 분석하여 챔버 내에서 진행되는 반도체 제조 공정을 모니터링한다.
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公开(公告)号：KR1020110048653A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090105320
申请日：2009-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A POI information sharing method in a mobile terminal system and apparatus thereof are provided to search for POI information to a server through location information and a keyword of a mobile terminal. CONSTITUTION: If a POI(Point Of Interest) transmission event is generated, a mobile communication terminal displays a POI message input window on a display unit(701). The terminal receives a message showing POI information from a user(703). The terminal obtains present position information through a GPS receiver(705). The terminal receives the keyword related to the POI information from the user(707). The terminal generates the POI information message. The terminal transmits the POI information message to a POI management server(709).
Abstract translation: 目的：提供移动终端系统中的POI信息共享方法及其装置，通过位置信息和移动终端的关键词向服务器搜索POI信息。 构成：如果生成POI（兴趣点）传输事件，则移动通信终端在显示单元上显示POI消息输入窗口（701）。 终端从用户接收显示POI信息的消息（703）。 终端通过GPS接收机获取当前位置信息（705）。 终端从用户接收与POI信息相关的关键字（707）。 终端生成POI信息消息。 终端将POI信息消息发送到POI管理服务器（709）。
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公开(公告)号：KR101663032B1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020100089047
申请日：2010-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05H1/0031 , H05H1/2406 , H05H2001/2431
Abstract: 공정모니터링장치와이를구비한반도체공정설비, 그리고이를이용한공정모니터링방법이제공된다. 공정모니터링장치는양단이개방된실린더형상을가지는제 1 전극과, 로드형상을가지고길이방향이제 1 전극의길이방향을향하도록제 1 전극내에삽입되는제 2 전극을이용하여유전체장벽방전(DBD) 방식으로챔버의배기가스로부터플라즈마를발생하고, 플라즈마방출광의분광스펙트럼을분석하여챔버내에서진행되는반도체제조공정을모니터링한다.
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公开(公告)号：KR1020120004190A
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：KR1020100064916
申请日：2010-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32862
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor apparatus is provided to minimize the damage of an electrostatic chuck by plasma by controlling the plasma which reaches the surface of an electrostatic chuck. CONSTITUTION: A reaction gas supply unit(140) is connected to the reaction gas injector(114) of a processing chamber(110) through a supply line(141). The processing chamber includes a first electrode(132) and a second electrode(137) for generating the electrostatic chuck(120) and plasma. A chiller supplies a cooling gas or a cool liquid to a circulation pipe which is formed in the electrostatic chuck. An exhaust pump(150) is connected to the discharge end portion of the processing chamber. An exhaust volume controller(151) is placed between the discharge end portion and an exhaust pump.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁半导体装置的方法，通过控制到达静电卡盘表面的等离子体来最小化等离子体的静电卡盘的损坏。 构成：反应气体供应单元（140）通过供应管线（141）连接到处理室（110）的反应气体注入器（114）。 处理室包括用于产生静电卡盘（120）和等离子体的第一电极（132）和第二电极（137）。 冷却器将冷却气体或冷却液供给到形成在静电卡盘中的循环管道。 排气泵（150）连接到处理室的排放端部。 排气量控制器（151）被放置在排出端部和排气泵之间。
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公开(公告)号：KR1020080020762A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020060084030
申请日：2006-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김세연
CPC classification number: C11D3/16 , C11D1/02 , C11D3/0073 , C11D3/046 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D11/0047 , H01L21/02041
Abstract: A cleaning composition for contact holes is provided to remove polymers remaining in the contact holes of a semiconductor device formed through a dry etching process while not adversely affecting the underlying layers. A cleaning composition for contact holes comprises: 0.5-5 wt% of TEMPO(2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical) derivative; 0.01-1 wt% of ammonium fluoride; 0.0001-0.01 wt% of an anionic surfactant; 0.1-5 w% of a metal anti-corrosive agent; and the balance amount of water. The TEMPO derivative is at least one selected from the group consisting of 4-hydroxy-TEMPO, 4-hydroxy-TEMPO benzoate, 4-hydroxy-TEMPO-d17, 4-methoxy-TEMPO, 4-amino-TEMPO, 4-(2-iodoacetamino)-TEMPO, 4-carboxy-TEMPO, 4-oxo-TEMPO, 4-oxo-TEMPO-d16-1-15N, 4-cyano-TEMPO and 4-maleimido-TEMPO.
Abstract translation: 提供了用于接触孔的清洁组合物以除去残留在通过干蚀刻工艺形成的半导体器件的接触孔中的聚合物，同时不会对下面的层产生不利影响。 用于接触孔的清洁组合物包括：0.5-5重量％的TEMPO（2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基自由基）衍生物; 0.01-1重量％氟化铵; 0.0001-0.01重量％的阴离子表面活性剂; 0.1-5％的金属防腐剂; 和水的平衡量。 TEMPO衍生物是选自4-羟基-TEMPO，4-羟基-TEMPO苯甲酸酯，4-羟基-TEMPO-d17,4-甲氧基-TEMPO，4-氨基-TEMPO，4-（2 - 碘代乙氨基）-TEMPO，4-羧基-TEMPO，4-氧代-TEMPO，4-氧代-TEMPO-d16-1-15N，4-氰基-TEMPO和4-马来酰亚胺-TEMPO。
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