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公开(公告)号：WO2013024921A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006039
申请日：2011-08-17
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자 제공한다. 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자를 사용할 경우, n형 및 p형 전극 간 거리가 균일하여 전극의 특정 영역에 전류가 집중되는 현상이 최소화될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其在本发明的一个实施例中包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的有源层和p型半导体层; 形成在与n型半导体层的上表面不同于第一区域的第二区域上的n型电极，与n型半导体层电连接，并且设置有n型焊盘，并且第一和第二n 型手指; 以及p型电极，形成在p型半导体层上，与p型半导体层电连接，并具有p型焊盘和p型指状物。 当使用本发明中描述的半导体发光器件时，n型和p型电极之间的距离是恒定的，并且可以将在电极的特定区域集中的电流最小化。
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公开(公告)号：WO2013022129A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/005776
申请日：2011-08-09
Abstract: 본 발명은 텍스쳐(texture) 효과를 통해 광추출 효율(Light Extraction Efficiency)이 향상된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 기판 위에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 발광구조물의 상하면을 관통하도록 형성된 복수개의 관통홀을 구비하는 광추출 패턴;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种由于纹理效应而具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光元件，包括：发光结构，其形成在基板上，并且包括第一导电氮化物半导体层，第二导电氮化物半导体 层和夹在其间的活性层; 电连接到第一导电氮化物半导体层的第一电极; 电连接到第二导电氮化物半导体层的第二电极; 以及具有位于第一和第二电极之间的多个通孔并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面的光提取图案。
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公开(公告)号：WO2013018938A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005589
申请日：2011-07-29
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 발광구조물을 이루고, 상기 발광구조물의 상부에서 보았을 때, 상기 n형 및 p형 핑거는 서로 교차하도록 서로 중첩되는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供一种半导体发光元件，包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的活化层和p型半导体层; n型电极，其形成在n型半导体层的顶表面的与第一区不同的第二区上并与n型半导体层电连接，并且具有n型 垫和第一和第二n型手指; 以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接并且设置有p型焊盘和p型指状物。 n型半导体层，活化层和p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观察时，半导体发光元件具有以下区域： n型和p型手指重叠以便彼此相交。
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公开(公告)号：KR101650722B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020100012823
申请日：2010-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명은텍스쳐(texture) 효과를통해광추출효율(Light Extraction Efficiency)이향상된질화물반도체발광소자에관한것으로, 기판위에형성되며, 제1 도전형질화물반도체층및 제2 도전형질화물반도체층과, 그사이에위치하는활성층을포함하는발광구조물; 상기제1 도전형질화물반도체층에전기적으로연결된제1 전극; 상기제2 도전형질화물반도체층에전기적으로연결된제2 전극; 및상기제1 전극및 상기제2 전극사이에위치하며, 상기발광구조물의상하면을관통하도록형성된복수개의관통홀을구비하는광추출패턴;을포함한다.
Abstract translation: 的通过影响萃取效率（光提取效率）的增强的氮化物涉及一种半导体发光器件，形成一基板，一第一导电型氮化物半导体层和所述第二导电型氮化物半导体层上的本发明的纹理（质地）; 包括位于其间的有源层的发光结构; 电连接到第一导电材料半导体层的第一电极; 电连接到第二导电材料半导体层的第二电极; 并且光提取图案设置在第一电极和第二电极之间，光提取图案具有形成为穿透发光结构的下表面的多个通孔。
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公开(公告)号：KR101601625B1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020090114556
申请日：2009-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은발광다이오드어레이및 그제조방법에관한것으로서, 본발명의일 측면은, 상면에형성된요철구조를구비하며, 전기절연성을갖는기판과, 상기요철구조의볼록부에의하여둘러싸인복수의소자영역에각각형성되며, 각각 n형및 p형반도체층과그 사이에형성된활성층을갖는복수의발광다이오드셀 및상기발광다이오드셀의 n형반도체층또는 p형반도체층을다른발광다이오드셀의 n형반도체층또는 p형반도체층과전기적으로연결하는배선구조를포함하는발광다이오드어레이를제공한다. 본발명에따르면, 교류전원등에서사용되기에적합한발광다이오드어레이에서, 안정성과신뢰성이우수한셀 간의배선구조를갖는발광다이오드어레이및 이러한배선구조를효율적으로구현할수 있는발광다이오드어레이의제조방법을얻을수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110093037A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012823
申请日：2010-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device is provided to use a light extraction pattern which is formed by eliminating layers from a semiconductor layer until an active layer is eliminated, thereby increasing light extraction efficiency. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(110). The light emitting structure includes a first conductive nitride semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive nitride semiconductor layer(140). A first electrode(150) is electrically connected to the first conductive nitride semiconductor layer. A second electrode(160) is electrically connected to the second conductive nitride semiconductor layer. A light extraction pattern(170) has a through hole.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物半导体发光器件，以使用通过从半导体层去除层直到消除有源层而形成的光提取图案，从而提高光提取效率。 构成：在基板（110）上形成发光结构。 发光结构包括第一导电氮化物半导体层（120），有源层（130）和第二导电氮化物半导体层（140）。 第一电极（150）电连接到第一导电氮化物半导体层。 第二电极（160）电连接到第二导电氮化物半导体层。 光提取图案（170）具有通孔。
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公开(公告)号：KR1020110069375A
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：KR1020090126084
申请日：2009-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/24137 , H01L2224/48137 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L27/156 , H01L33/0008 , H01L33/62 , H01L2933/0033
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode array and a manufacturing method thereof are provided to improve stability and reliability by preventing a contact between a bridge wiring and a light emitting diode cell. CONSTITUTION: A plurality of light emitting diode cells(C1,C2) are formed on a substrate(101). A light emitting diode cell includes a first conductive semiconductor layer(102), an active layer(103), and a second conductive semiconductor layer(104). A wiring structure between light emitting diode cells is a bridge wire(105). The bridge wire is separated from the top of the substrate and the side of the light emitting diode cell. An air gap(107) is interposed between the bridge wire and the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管阵列及其制造方法，以通过防止桥接布线和发光二极管单元之间的接触来提高稳定性和可靠性。 构成：在基板（101）上形成多个发光二极管单元（C1，C2）。 发光二极管单元包括第一导电半导体层（102），有源层（103）和第二导电半导体层（104）。 发光二极管单元之间的布线结构是桥接线（105）。 桥接线与衬底的顶部和发光二极管单元的侧面分离。 气隙（107）插入在桥接线和衬底之间。
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公开(公告)号：KR1020110092830A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012483
申请日：2010-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to arrange an insulating layer for preventing short-circuit between an n-type finger and a p-type finger, thereby enhancing current distributing effects. CONSTITUTION: An active layer and a p-type semiconductor layer are formed on the first area of an n-type semiconductor layer(102). An n-type electrode(106) is formed on the second area of the n-type semiconductor layer. The n-type electrode includes an n-type pad(106a) and an n-type finger(106b). A p-type electrode is formed on the p-type semiconductor layer. The p-type electrode includes a p-type pad(107a) and a p-type finger(107b).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，用于布置用于防止n型手指和p型手指之间短路的绝缘层，从而增强电流分布效应。 构成：在n型半导体层（102）的第一区域上形成有源层和p型半导体层。 n型电极（106）形成在n型半导体层的第二区域上。 n型电极包括n型焊盘（106a）和n型手指（106b）。 p型电极形成在p型半导体层上。 p型电极包括p型焊盘（107a）和p型手指（107b）。
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公开(公告)号：KR1020110092527A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011996
申请日：2010-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device and the semiconductor light emitting structure made by the same are provided to simplify a cleaning process by preventing the re-absorption of etching byproducts by forming an electrode forming area through a laser lift off process. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(100). A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer(101), an active layer(102), and a second conductive semiconductor layer(103). The light emitting structure is partially separated from the substrate by radiating laser to a part of the interface of the substrate and the first conductive semiconductor layer. A first electrode(105a) is formed on the side of the first conductive semiconductor layer. A second electrode(105b) is formed on the second conductive semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体发光器件的方法和由其制造的半导体发光结构，以通过通过激光剥离工艺形成电极形成区域来防止蚀刻副产物的再吸收来简化清洁过程。 构成：在基板（100）上形成发光结构。 发光结构包括第一导电半导体层（101），有源层（102）和第二导电半导体层（103）。 发光结构通过将激光照射到基板和第一导电半导体层的界面的一部分而与基板部分地分离。 第一电极（105a）形成在第一导电半导体层的侧面上。 第二电极（105b）形成在第二导电半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020050093946A
公开(公告)日：2005-09-26
申请号：KR1020040017822
申请日：2004-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사 , 코닝정밀소재 주식회사
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: H01J65/046 , G02F1/133604 , H01J61/025 , H01J61/305 , H01J61/35
Abstract: 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 면광원 장치 및 이를 갖는 액정표시장치가 개시되어 있다. 면광원 장치는 광을 발생하는 광원 몸체, 광원 몸체의 외측 표면의 양 단부에 각각 형성되어 광원 몸체에 방전 전압을 인가하기 위한 제1 및 제2 외부전극, 및 광원 몸체의 내부에 형성되고 코팅 수지와 적어도 두 가지 이상의 입자 크기를 갖는 산란 입자로 이루어지는 반사막을 포함한다. 이때, 산란 입자는 내열성이 우수한 산화물로 이루어진다. 따라서, 반사막은 반사되는 광의 색좌표의 변화를 줄이면서 반사율을 향상시킬 수 있다.
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