公开(公告)号：KR20210024318A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190102564A

申请日：2019-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성길 ,  김성진 ,  김슬예 ,  김정환 ,  김찬형

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/105 ,  H01L29/792

Abstract: 본 개시의 일 실시예는, 기판 상에 배치되며 제1 도전형 불순물을 포함하는 도전층과, 상기 기판 상에 배치되며 상기 도전층을 덮는 고유전체 물질을 포함하는 절연성 베이스층과, 상기 절연성 베이스층 상에 배치된 하부 절연막과 상기 하부 절연막 상에 교대로 적층된 복수의 게이트 전극들과 복수의 몰드 절연층들을 갖는 적층 구조체 - 여기서, 상기 절연성 베이스층은 상기 하부 절연막 및 상기 복수의 몰드 절연층의 물질들과 다른 유전체 물질을 포함함 - 와, 상기 적층 구조체를 관통하는 수직 채널층과 상기 수직 채널층과 상기 복수의 게이트 전극들 사이에 배치된 수직 절연층을 포함하며 상기 절연성 베이스층 내에서 폭방향으로 확장된 제1 확장 영역을 갖는 수직 구조체와, 상기 수직 구조체의 제1 확장 영역에서 상기 도전층과 접촉하는 바닥으로부터 상기 수직 채널층의 표면을 따라 연장되며, 상기 도전층과 동일한 도전물질을 포함하는 도전막과, 상기 적층 구조체, 상기 절연성 베이스층 및 상기 도전층을 관통하며 상기 기판의 상면과 평행한 일 방향으로 연장되고 상기 절연성 베이스층 내에서 폭방향으로 확장된 제2 확장 영역을 갖는 분리 구조체를 포함하는 3차원 반도체 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR102132351B1

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：KR1020130127545

申请日：2013-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김승현 ,  김문환 ,  김찬형 ,  윤정빈 ,  진영구 ,  차승원

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：KR1020150047731A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020130127545

申请日：2013-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김승현 ,  김문환 ,  김찬형 ,  윤정빈 ,  진영구 ,  차승원

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H04N9/045

Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는제1로우에배치된제1픽셀과제2픽셀을포함하고, 상기제1픽셀은반도체기판내부에서제1깊이에형성되고제1가시광스펙트럼을제1광전하로변환하는제1광전변환소자를포함하고, 상기제2픽셀은상기반도체기판내부에서상기제1깊이로부터제2깊이에형성되고수직방향으로상기제1광전변환소자와부분적으로오버랩되고제2가시광스펙트럼을제2광전하로변환하는제2광전변환소자를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器包括布置在第一行中的第一像素和第二像素。 第一像素包括形成在半导体衬底内的第一深度处的第一光电转换元件，并将第一可见光光转换成第一光电荷。 第二像素包括形成在半导体衬底内的第一深度的第二深度处的第二光电转换元件，在垂直方向上与第一光电转换元件部分地重叠，并将第二可见光谱转换为第二光电荷。