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公开(公告)号：KR100657967B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020050074495
申请日：2005-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: A non-volatile semiconductor memory device and a method for manufacturing the same are provided to restrict a current path forming region as a local region by applying voltage stress to a local region of a data storage layer. A non-volatile semiconductor memory device includes a switching element and a storage node connected with the switching element. The storage node includes a lower electrode(50), a data storage layer(52), and an upper electrode(68). The data storage layer includes a first region(P1) for forming a current path at a first voltage, and a second region(P2) for surrounding the first region and forming a current path at a second voltage. The first region is positioned between the upper and the lower electrodes.
Abstract translation: 提供一种非易失性半导体存储器件及其制造方法，用于通过向数据存储层的局部区域施加电压应力来将电流路径形成区域限制为局部区域。 非易失性半导体存储器件包括开关元件和与开关元件连接的存储节点。 存储节点包括下电极（50），数据存储层（52）和上电极（68）。 数据存储层包括用于在第一电压下形成电流路径的第一区域（P1）以及用于围绕第一区域并在第二电压下形成电流路径的第二区域（P2）。 第一区域位于上电极和下电极之间。
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公开(公告)号：KR1020140047934A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020120114308
申请日：2012-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14645
Abstract: Provided are a 3D image sensor and a method of fabricating the same. In the 3D image sensor, because the thickness of a second transmission gate and the gate insulating layer of a drain gate is thinner than that of other gate insulating layers, the operation voltage of the second transmission gate and the drain gate can be lowered. Thereby, the power consumption of the 3D image sensor can be reduced.
Abstract translation: 提供了3D图像传感器及其制造方法。 在3D图像传感器中，由于第二传输栅极和漏极栅极的栅极绝缘层的厚度比其他栅极绝缘层的厚度薄，所以可以降低第二传输栅极和漏极栅极的工作电压。 由此，能够降低3D图像传感器的功耗。
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公开(公告)号：KR1020130053601A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110118989
申请日：2011-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N13/02
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N13/207 , H04N13/271 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: PURPOSE: A pixel of a depth sensor and an image sensor including the pixel are provided to reduce spatial waste according to the miniaturization of the pixel by sharing a first floating diffusion node with first and second light amount extracting circuits. CONSTITUTION: A first light amount extracting circuit(210) generates a first charge changed according to the amount of light reflected from a target and transmits the first charge to a light amount output circuit(230). A second light amount extracting circuit(220) generates a second charge changed according to the amount of the light reflected from the target and transmits the second charge to the light amount output circuit. The light amount output circuit receives the first and the second charges from the extracting circuits to output a pixel signal according to a control signal.
Abstract translation: 目的：提供深度传感器的像素和包括像素的图像传感器，以通过与第一和第二光量提取电路共享第一浮动扩散节点，根据像素的小型化来减少空间浪费。 构成：第一光量提取电路（210）产生根据从目标反射的光量而改变的第一电荷，并将第一电荷发送到光量输出电路（230）。 第二光量提取电路（220）产生根据从目标反射的光量而改变的第二电荷，并将第二电荷发送到光量输出电路。 光量输出电路从提取电路接收第一和第二电荷，以根据控制信号输出像素信号。
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公开(公告)号：KR101715141B1
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020110118989
申请日：2011-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N13/02
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N13/207 , H04N13/271
Abstract: 깊이센서의픽셀이개시된다. 본발명의실시예에따른깊이센서의픽셀은광량출력회로, 상기광량출력회로에연결되고, 대상물로부터반사된빛의양에따라가변되는제1 전하를생성하고, 상기제1 전하를상기광량출력회로로전송하는제1 광량추출회로및 상기광량출력회로에연결되고, 상기대상물로부터반사된빛의양에따라가변되는제2 전하를생성하고, 상기제2 전하를상기광량출력회로로전송하는제2 광량추출회로를포함하며, 상기광량출력회로는상기제1 광량추출회로또는상기제2 광량추출회로로부터전송된상기제1 전하또는상기제2 전하를수신하여입력되는제어신호에따라픽셀신호를출력한다. 즉, 제1 광량추출회로및 제2 광량추출회로는제1 플로팅디퓨젼노드를공유함으로써, 픽셀의소형화에따른공간낭비를최소화할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 深度传感器的单位像素包括：光强度输出电路，被配置为根据控制信号输出与第一电荷和第二电荷对应的像素信号的像素信号;第一光强度提取电路，被配置为 产生第一电荷并将第一电荷传输到光强度输出电路，第一电荷根据从目标物体反射的光量而变化，第二光强度提取电路被配置为产生第二电荷 并将第二电荷传输到光强度输出电路，第二电荷根据反射光量而变化。 光强度输出电路包括第一浮动扩散节点。 因此，能够减少空间的浪费，从而制造小尺寸的像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150050029A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130131345
申请日：2013-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 이미지센서가제공된다. 이미지센서는트렌치를갖는제 1 도전형의반도체기판, 상기트렌치아래의상기반도체기판내에형성된제 2 도전형의광전변환층, 상기트렌치내에게이트절연막을개재하여배치된제 1 및제 2 전송게이트전극들, 상기제 1 전송게이트전극일측의상기반도체기판내에형성된제 1 전하검출층, 및상기제 2 전송게이트전극타측의상기반도체기판내에형성된제 2 전하검출층을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种图像传感器。 本发明的图像传感器包括：具有沟槽的第一导电半导体衬底; 第二导电光电转换层，其形成在沟槽下方的半导体衬底中; 第一和第二传输栅电极，其通过在沟槽中插入栅极绝缘膜而布置; 第一电荷检测层，其形成在所述第一传输门的一侧上的所述半导体衬底中; 以及第二电荷检测层，其形成在所述第二传输栅电极的另一侧上的所述半导体衬底中。
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公开(公告)号：KR1020170086175A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020160005546
申请日：2016-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645
Abstract: 본발명의실시예에따른씨모스이미지센서는기판내에배치되며제 1 방향으로배열된제 1 및제 2 화소영역들을정의하는제 1 분리부, 상기기판은상기제 1 방향으로연장하며서로평행한상기제 1 분리부의제 1 부분들중 어느하나와수직적으로중첩하는제 1 활성부및 상기제 1 분리부의상기제 1 부분들중 다른하나와수직적으로중첩하는제 2 활성부를포함하고, 상기제 1 및제 2 화소영역들각각의상기기판내에배치되며, 상기제 1 방향으로배열된제 1 및제 2 광전변환소자들및 상기기판의상기제 1 활성부상에배치되는소오스팔로워게이트를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的CMOS图像传感器包括设置在所述基板限定布置在所述第一方向上的第一mitje第二像素区域的第一分离单元，所述衬底可以是彼此平行的第一方向hansanggi权利要求中延伸 第一mitje 2包括第一分离部，其重叠第一分离成其他的垂直重叠的部分的部分中的的第一部分中的垂直的第一活性部分中的任一个和第二活性的第一部分，和 设置在每个所述基板和所述像素区域的，可以包括于所述第一第一mitje第二光电转换排列在第一方向元件和所述第一源极跟随器栅极位于所述衬底的所述活性部分。
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公开(公告)号：KR100657966B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020050073816
申请日：2005-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
Abstract: A method for manufacturing a memory device for stabilizing reset current is provided to reduce power consumption and enhance reliability of the memory device by reducing a reset current value of the memory device using a resistance conversion material. A memory device includes an oxide layer(32) including a resistance conversion material. A lower electrode(31) is formed on a lower structure. An electron beam(37) or an ion beam is irradiated on one region of the oxide layer. The resistance conversion material includes at least one of NiO, TiO2, HfO, ZrO, ZnO, WO3, CoO or Nb2O5. The lower structure includes a substrate having a source and a drain, a gate insulating layer and a gate electrode layer contacting the source and the drain, and a conductive plug connected with at least one of the source and the drain and a first electrode.
Abstract translation: 提供一种用于制造用于稳定复位电流的存储器件的方法，以通过使用电阻转换材料来减小存储器件的复位电流值来降低功耗并提高存储器件的可靠性。 一种存储器件包括包含电阻转换材料的氧化物层（32）。 下部电极（31）形成在下部结构上。 电子束（37）或离子束照射在氧化物层的一个区域上。 电阻转换材料包括NiO，TiO2，HfO，ZrO，ZnO，WO3，CoO或Nb2O5中的至少一种。 下部结构包括具有源极和漏极的基板，与源极和漏极接触的栅极绝缘层和栅极电极层以及与源极和漏极中的至少一个以及第一电极连接的导电插塞。
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公开(公告)号：KR1020160088471A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150007292
申请日：2015-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14638 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14665
Abstract: 본발명에따른이미지센서는단위픽셀들을갖는기판을포함할수 있다. 상기단위픽셀들각각은상기기판내에제공되는복수의광전소자부들및 복수의저장소자부들을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，图像传感器包括具有单位像素的基板。 每个单位像素包括多个光电元件单元和设置在该基板内的多个存储元件单元。 因此，图像传感器可以具有高分辨率。
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公开(公告)号：KR1020150047731A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130127545
申请日：2013-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H04N9/045
Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는제1로우에배치된제1픽셀과제2픽셀을포함하고, 상기제1픽셀은반도체기판내부에서제1깊이에형성되고제1가시광스펙트럼을제1광전하로변환하는제1광전변환소자를포함하고, 상기제2픽셀은상기반도체기판내부에서상기제1깊이로부터제2깊이에형성되고수직방향으로상기제1광전변환소자와부분적으로오버랩되고제2가시광스펙트럼을제2광전하로변환하는제2광전변환소자를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器包括布置在第一行中的第一像素和第二像素。 第一像素包括形成在半导体衬底内的第一深度处的第一光电转换元件，并将第一可见光光转换成第一光电荷。 第二像素包括形成在半导体衬底内的第一深度的第二深度处的第二光电转换元件，在垂直方向上与第一光电转换元件部分地重叠，并将第二可见光谱转换为第二光电荷。
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