公开(公告)号：KR20210024318A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190102564A

申请日：2019-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성길 ,  김성진 ,  김슬예 ,  김정환 ,  김찬형

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/105 ,  H01L29/792

Abstract: 본 개시의 일 실시예는, 기판 상에 배치되며 제1 도전형 불순물을 포함하는 도전층과, 상기 기판 상에 배치되며 상기 도전층을 덮는 고유전체 물질을 포함하는 절연성 베이스층과, 상기 절연성 베이스층 상에 배치된 하부 절연막과 상기 하부 절연막 상에 교대로 적층된 복수의 게이트 전극들과 복수의 몰드 절연층들을 갖는 적층 구조체 - 여기서, 상기 절연성 베이스층은 상기 하부 절연막 및 상기 복수의 몰드 절연층의 물질들과 다른 유전체 물질을 포함함 - 와, 상기 적층 구조체를 관통하는 수직 채널층과 상기 수직 채널층과 상기 복수의 게이트 전극들 사이에 배치된 수직 절연층을 포함하며 상기 절연성 베이스층 내에서 폭방향으로 확장된 제1 확장 영역을 갖는 수직 구조체와, 상기 수직 구조체의 제1 확장 영역에서 상기 도전층과 접촉하는 바닥으로부터 상기 수직 채널층의 표면을 따라 연장되며, 상기 도전층과 동일한 도전물질을 포함하는 도전막과, 상기 적층 구조체, 상기 절연성 베이스층 및 상기 도전층을 관통하며 상기 기판의 상면과 평행한 일 방향으로 연장되고 상기 절연성 베이스층 내에서 폭방향으로 확장된 제2 확장 영역을 갖는 분리 구조체를 포함하는 3차원 반도체 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020170035412A

公开(公告)日：2017-03-31

申请号：KR1020150134073

申请日：2015-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김슬예 ,  최지훈 ,  김동겸 ,  김중호 ,  노진태 ,  이은영

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L27/11565

Abstract: 3차원반도체메모리장치가제공된다. 3차원반도체메모리장치는기판상에서일 방향으로연장되며서로이격되어배치된적층구조체들로서, 상기적층구조체들각각은상기기판상에수직적으로번갈아적층된전극들및 절연막들을포함하는것; 상기적층구조체들을관통하는수직구조체들; 상기수직구조체들과이격되어상기적층구조체들을관통하며, 상기적층구조체들과나란히연장되는공통소오스플러그; 및상기적층구조체들과상기공통소오스플러그사이에배치된스페이서구조체를포함하되, 상기적층구조체들은수직적으로서로이격된리세스영역들을포함하는측벽을갖되, 상기측벽은상기스페이서구조체와인접하며, 상기스페이서구조체는, 상기적층구조체들의상기측벽상에서상기리세스영역들을채우되, 그루브들(grooves)을갖는표면을포함하는절연스페이서; 및상기절연스페이서의상기표면상에서상기그루브들을채우되, 실질적으로평탄한표면을갖는보호스페이서를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种三维半导体存储器件。 三维半导体存储装置中在所述基板haneungeot包括，交替地在垂直的板状银器件绝缘膜的每个堆叠的电极的层叠结构，并作为堆叠结构设置为彼此间隔开的一个方向延伸; 穿过堆叠结构的垂直结构; 与垂直结构间隔开并且延伸穿过堆叠结构并与堆叠结构并排延伸的公共源极插塞; 和包括设置在所述公共源极和与所述层叠结构中的插头之间的间隔物结构，所述层叠结构是和具有侧壁，其包括垂直隔开的凹陷区域中，侧壁是间隔结构葡萄酒将抵接分隔 所述结构包括：绝缘间隔物，所述绝缘间隔物包括具有凹槽的表面，所述凹部填充所述堆叠结构的所述侧壁上的所述凹陷区域; 并且具有在绝缘间隔件的表面上填充有沟槽的基本平坦的表面的保护性间隔件。

公开(公告)号：KR1020170014033A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150106278

申请日：2015-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최지훈 ,  김중호 ,  김동겸 ,  김슬예 ,  노진태 ,  신현진 ,  임승현

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/11582

Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는기판상에교대로적층된절연패턴들및 전극구조체들을포함하는적층구조체, 및상기적층구조체를수직적으로관통하는수직채널구조체를포함한다. 상기전극구조체들의각각은제1 측벽및 상기제1 측벽에대향하는제2 측벽을가지는도전패턴, 상기제1 측벽상의제1 식각방지패턴, 및상기제2 측벽상의제2 식각방지패턴을포함한다.

Abstract translation: 提供半导体器件。 半导体器件包括堆叠结构，其包括交替堆叠在衬底上的绝缘图案和电极结构以及垂直穿过堆叠结构的垂直沟道结构。 每个电极结构包括具有第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁的导电图案，第一侧壁上的第一蚀刻防止图案和第二侧壁上的第二蚀刻防止图案。