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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160141035A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150073728
申请日：2015-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02068 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
Abstract: 본발명은기판상에제1 도전형반도체층, 활성층, 제2 도전형반도체층을구비하는발광구조물을적층하는단계; 상기제1 및제2 도전형반도체층에각각제1 전극및 제2 전극을형성하는단계; 상기제1 및제2 전극을덮으며, 상기제1 및제2 전극을각각부분적으로노출시키는제1 및제2 개구를갖는절연층을형성하는단계; 및상기절연층및 상기제1 및제2 개구를통해노출된제1 및제2 전극의표면을플라즈마처리하여, 상기절연층의표면에요철을형성하고, 상기제1 및제2 전극의표면에산소결핍층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자제조방법을제공한다.
Abstract translation: 一种制造半导体发光器件的方法包括在衬底上堆叠包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层的发光结构; 在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层上分别形成第一电极和第二电极; 形成覆盖所述第一和第二电极并且分别具有部分地暴露所述第一和第二电极的表面的第一和第二开口的绝缘层; 以及在所述绝缘层的表面和所述第一和第二电极的部分露出的表面上进行等离子体处理，以在所述绝缘层的表面上形成凹凸部，并在所述第一和第二电极的所述部分露出的表面上形成氧耗尽层 和第二电极。
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公开(公告)号：KR1020160054712A
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140153835
申请日：2014-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/54
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, 기판, 상기기판상에순차적으로적층되는제1 도전형반도체층, 활성층, 및제2 도전형반도체층을포함하며, 제1 영역및 상기제1 영역을둘러싸는제2 영역을갖는발광구조물, 및상기기판의가장자리에인접하도록상기제2 영역에마련되며, 상기기판의가장자리와평행한방향으로연장되는홈구조물을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，半导体发光器件包括：衬底; 包括连续层叠在所述基板上的第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层，并且具有包围所述第一区域的第一区域和第二区域的发光结构; 以及设置在与基板的边缘相邻并且与基板的边缘平行的方向上延伸的第二区域中的凹槽。 本发明的目的是防止在制造半导体发光器件封装时制造反射壁的过程中发生的故障。
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公开(公告)号：KR1020160145888A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150081892
申请日：2015-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/38
Abstract: 본발명의일 실시예에의한발광소자패키지는, 제1 및제2 전극구조를구비하는패키지기판; 및상기패키지기판에실장되는발광소자;를포함하며, 상기발광소자는, 하나의성장기판을공유하며전기적으로직렬연결된복수의발광구조물; 직렬연결된상기복수의발광구조물의입력단과출력단에각각전기적으로접속되며상기제1 및제2 전극구조와접하는제1 및제2 솔더패드; 및상기발광구조물상에배치되되, 상기복수의발광구조물과전기적으로절연되며, 상기제1 및제2 전극구조와접하는복수의더미(dummy) 솔더패드;를포함한다.
Abstract translation: 发光器件封装包括：包括第一电极结构和第二电极结构的封装板; 以及安装在所述封装板上并被配置为发光的发光器件，所述发光器件包括：设置在生长衬底上的发光结构，其串联电连接，并且包括输入端子和输出端子; 分别与输入端子和输出端子电连接并与第一和第二电极结构接触的第一焊盘和第二焊盘; 以及设置在发光结构上并与发光结构电绝缘的虚拟焊盘。
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公开(公告)号：KR1020150044583A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：KR1020130123797
申请日：2013-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체발광소자에관한것으로서, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층이순차적으로적층된발광구조물; 및상기제1 및제2 도전형반도체층과각각전기적으로연결된제1 및제2 전극;을포함하며, 상기제2 전극은, 상기제2 도전형반도체층의상면중 일영역에형성된전류차단층; 상기전류차단층상에형성된반사부; 상기반사부와이격되어배치되고, 상기반사부를둘러싸는개구부를가지며상기제2 도전형반도체층상에형성되는투명전극층; 상기반사부를덮으며상기투명전극층과이격되어형성되고상기전류차단층의영역내에형성된패드전극부; 및상기패드전극부로부터일 방향으로연장되어형성되며적어도일부는상기투명전극층상에형성되는적어도하나의핑거전극부;를포함하여, 반도체발광소자의광추출효율이더욱향상되는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，包括：发光结构，其中第一导电类型半导体层，有源层和第二第一导电类型半导体层依次排列成层; 以及分别与第一和第二导电类型半导体层电连接的第一和第二电极。 第二电极包括：形成在第二导电类型半导体层的上表面的一个区域上的电流阻挡层; 形成在电流阻挡层上的反射层; 布置成与所述反射层分离的透明电极层，具有围绕所述反射层的开口，并形成在所述第二导电类型半导体层上; 覆盖所述反射层的焊盘电极单元，形成为与所述透明电极层分离，并形成在所述电流阻挡层的区域中; 以及至少一个指状电极单元，从所述焊盘电极单元向一个方向放大，至少一部分形成在所述透明电极层上。 因此，提高了半导体发光器件的光提取效率。
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