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公开(公告)号：KR102212559B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020140108440
申请日：2014-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/62
Abstract: 본발명은제1 및제2 전극이배치된제1 면과상기제1 면의반대에위치한제2면을갖는발광다이오드칩; 상기제1 및제2 전극의본딩영역들이노출되도록상기발광다이오드칩의표면에배치된패시베이션층; 상기본딩영역들에각각배치되며각각분리된복수의영역을갖는복수의솔더패드; 상기본딩영역들에각각배치되며, 각각상기솔더패드의상기분리된복수의영역을덮는복수의솔더범프;를포함하여, 솔더패드와솔더범프사이의계면이손상되어분리되는것을효과적으로차단할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160141035A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150073728
申请日：2015-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02068 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
Abstract: 본발명은기판상에제1 도전형반도체층, 활성층, 제2 도전형반도체층을구비하는발광구조물을적층하는단계; 상기제1 및제2 도전형반도체층에각각제1 전극및 제2 전극을형성하는단계; 상기제1 및제2 전극을덮으며, 상기제1 및제2 전극을각각부분적으로노출시키는제1 및제2 개구를갖는절연층을형성하는단계; 및상기절연층및 상기제1 및제2 개구를통해노출된제1 및제2 전극의표면을플라즈마처리하여, 상기절연층의표면에요철을형성하고, 상기제1 및제2 전극의표면에산소결핍층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자제조방법을제공한다.
Abstract translation: 一种制造半导体发光器件的方法包括在衬底上堆叠包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层的发光结构; 在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层上分别形成第一电极和第二电极; 形成覆盖所述第一和第二电极并且分别具有部分地暴露所述第一和第二电极的表面的第一和第二开口的绝缘层; 以及在所述绝缘层的表面和所述第一和第二电极的部分露出的表面上进行等离子体处理，以在所述绝缘层的表面上形成凹凸部，并在所述第一和第二电极的所述部分露出的表面上形成氧耗尽层 和第二电极。
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公开(公告)号：KR1020140103397A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130016601
申请日：2013-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor light emitting device includes a semiconductor region which includes a light emitting structure; and an electrode layer which includes a first high reflection metal layer which is in contact with a first part of the semiconductor region and reflects light from the light emitting structure, and a second high reflection metal layer which is in contact with a second part of the semiconductor region and reflects the light from the light emitting structure. The second high reflection metal layer is overlapped with the first high reflection metal layer in a location separated from the first high reflection metal layer.
Abstract translation: 一种半导体发光器件包括：包括发光结构的半导体区域; 以及电极层，其包括与半导体区域的第一部分接触并反射来自发光结构的光的第一高反射金属层和与第二高反射金属层接触的第二高反射金属层， 半导体区域并且反射来自发光结构的光。 第二高反射金属层与第一高反射金属层在与第一高反射金属层分离的位置处重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160023010A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020140108440
申请日：2014-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L24/16 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/1607 , H01L2224/16106 , H01L2924/3512
Abstract: 본발명은제1 및제2 전극이배치된제1 면과상기제1 면의반대에위치한제2면을갖는발광다이오드칩; 상기제1 및제2 전극의본딩영역들이노출되도록상기발광다이오드칩의표면에배치된패시베이션층; 상기본딩영역들에각각배치되며각각분리된복수의영역을갖는복수의솔더패드; 상기본딩영역들에각각배치되며, 각각상기솔더패드의상기분리된복수의영역을덮는복수의솔더범프;를포함하여, 솔더패드와솔더범프사이의계면이손상되어분리되는것을효과적으로차단할수 있다.
Abstract translation: 本发明包括具有第一和第二电极的第一表面和与第一表面相对的第二表面的发光二极管芯片; 钝化层，其布置在所述发光二极管芯片的表面上以暴露所述第一和第二电极的接合区域; 多个焊盘，分别布置在所述接合区域中并具有多个分离区域; 以及分别布置在接合区域中并且分别覆盖焊料焊盘的多个分离区域的多个焊料凸块。 可以有效地防止由于焊盘和焊料凸块之间的界面的损坏导致的分离。
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公开(公告)号：KR1020150087445A
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：KR1020140006667
申请日：2014-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2924/10155
Abstract: 일실시예는, 제1 및제2 영역으로구분된상면을갖는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층의제2 영역상에순차적으로배치된활성층과제2 도전형반도체층을갖는반도체적층체와, 상기제1 도전형반도체층의제1 영역상에배치된제1 콘택전극과, 상기제2 도전형반도체층상에배치된제2 콘택전극과, 상기제2 콘택전극상에배치되며, 제1 저항을갖는제1 도전막과상기제1 저항보다작은제2 저항을갖는제2 도전막이교대로적층된전류분산층과, 상기제1 콘택전극에전기적으로접속된제1 전극패드와, 상기제2 콘택전극에전기적으로접속되도록상기전류분산층의일부영역에배치된제2 전극패드를포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体发光器件，其特征在于，包括：具有第一导电半导体层的半导体层叠体，所述第一导电半导体层具有被划分为第一和第二区域的上表面，以及有源层和第二导电半导体层， 导电半导体层; 布置在第一导电半导体层的第一区域上的第一接触电极; 布置在所述第二导电半导体层上的第二接触电极; 布置在第二接触电极上的电流散射层，其中具有第一电阻的第一导电膜和具有小于第一电阻的第二电阻的第二导电膜交替布置; 电连接到第一接触电极的第一电极焊盘; 以及布置在电流散射层的一些区域上以电连接到第二接触电极的第二电极焊盘。
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公开(公告)号：KR1020150066121A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130151269
申请日：2013-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/38 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257
Abstract: 본발명은반도체발광소자및 이를구비한반도체발광장치에관한것으로서, 기판; 상기기판상에배치되고, 제1 n형반도체층, 제1 활성층및 제1 p형반도체층을구비하는제1 구조물; 상기기판상에서상기제1 구조물과이격되어배치되고, 제2 n형반도체층, 제2 활성층및 제2 p형반도체층을구비하는제2 구조물; 상기제1 n형반도체층및 상기제1 p형반도체층에각각접속되는제1 n전극및 제1 p전극; 및상기제2 n형반도체층및 상기제2 p형반도체층에각각접속되는제2 n전극및 제2 p전극을포함하고, 상기제1 n전극과상기제2 p전극은일체로형성되며, 상기제2 n전극은상기제2 활성층으로부터소정거리만큼이격되어상기제2 활성층을둘러싸도록배치되어, 역방향의 ESD에대한내성전압이향상되면서도, 휘도가향상될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件和包括该半导体发光器件的半导体发光器件。 半导体发光器件包括衬底; 布置在所述基板上的第一结构，并且包括第一n型半导体层，第一有源层和第一p型半导体层; 布置在所述基板上以与所述第一结构分离的第二结构，并且包括第二n型半导体层，第二有源层和第二p型半导体层; 连接到第一n型半导体层和第一p型半导体层的第一n电极和第一p电极; 以及分别连接到第二n型半导体层和第二p型半导体层的第二n电极和第二p电极，其中第一n电极和第二p电极一体形成，并且第二n电极与 并且被布置成围绕第二有源层，从而提高可逆方向的ESD的电阻电压并提高亮度。
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公开(公告)号：KR1020140111512A
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020130025751
申请日：2013-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/13
Abstract: According to the present invention, a semiconductor light emitting device includes: a semiconductor area having a light emitting structure; an electrode layer formed on the semiconductor area; at least one first hole which is extended form an upper side of the electrode layer to an upper side of the semiconductor area, and exposes the upper side of the electrode layer; and a reflective protection structure which has a reflective area covering the semiconductor layer from an adjacent area of the electrode layer.
Abstract translation: 根据本发明，半导体发光器件包括：具有发光结构的半导体区域; 形成在所述半导体区域上的电极层; 至少一个第一孔，其从电极层的上侧延伸到半导体区域的上侧，并且暴露电极层的上侧; 以及具有从电极层的相邻区域覆盖半导体层的反射区域的反射保护结构。
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