발광장치
    1.
    发明公开
    발광장치 无效
    发光装置

    公开(公告)号:KR1020130130501A

    公开(公告)日:2013-12-02

    申请号:KR1020120054366

    申请日:2012-05-22

    Abstract: The present invention relates to a light emitting apparatus. The light emitting apparatus a power supply part supplying power with a predetermined frequency, light emitting diode array including an array structure connected to at least one light emitting diode in serials, and a frequency conversion part providing at least one modulated electric signal among the light emitting diode array by modulating the frequency of the power supplied from the power supply part. According to the present invention, the light emitting apparatus is operated by an AC power source, and a flicker phenomenon is prevented.

    Abstract translation: 本发明涉及一种发光装置。 发光装置具有向预定频率供电的电源部分,包括串联连接至少一个发光二极管的阵列结构的发光二极管阵列和在发光装置中提供至少一个调制电信号的频率转换部分 二极管阵列,通过调制从电源部分提供的电力的频率。 根据本发明,发光装置由AC电源操作,并且防止了闪烁现象。

    반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
    2.
    发明公开
    반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 审中-实审
    半导体发光装置,发光模块和照明装置

    公开(公告)号:KR1020130095054A

    公开(公告)日:2013-08-27

    申请号:KR1020120016456

    申请日:2012-02-17

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device, a light emitting module and an illumination apparatus are provided to minimize the decrease of an effective light emitting area by forming a middle separation layer of electric insulation in a semiconductor laminate. CONSTITUTION: A semiconductor laminate is divided by an isolation area. The semiconductor laminate includes light emitting cells. A middle separation layer (53) is formed between a base semiconductor layer and a first conductivity type semiconductor layer. First and second electrodes are connected to the first conductivity type semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer respectively. A line part (57) connects the first and second electrodes of different light emitting cells.

    Abstract translation: 目的:提供半导体发光器件,发光模块和照明设备,以通过在半导体层叠体中形成电绝缘的中间分离层来最小化有效发光面积的减小。 构成:半导体层压板被隔离区划分。 半导体层叠体包括发光单元。 中间分离层(53)形成在基底半导体层和第一导电型半导体层之间。 第一和第二电极分别连接到第一导电类型半导体层和第二导电半导体层。 线部分(57)连接不同发光单元的第一和第二电极。

    반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
    3.
    发明公开
    반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치 审中-实审
    半导体发光器件及其半导体发光器件

    公开(公告)号:KR1020150035656A

    公开(公告)日:2015-04-07

    申请号:KR1020130115674

    申请日:2013-09-27

    Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, 기판; 기판상에배치되고, 제1 n형반도체층, 제1 활성층및 제1 p형반도체층을구비하는제1 구조물; 기판상에서제1 구조물과이격되어배치되고, 제2 n형반도체층, 제2 활성층및 제2 p형반도체층을구비하는제2 구조물; 제1 n형반도체층및 제1 p형반도체층에각각접속되는제1 n 전극및 제1 p 전극; 및제2 n형반도체층및 제2 p형반도체층에각각접속되는제2 n 전극및 제2 p 전극을포함하고, 제2 n 전극또는제2 p 전극은제2 활성층으로부터소정거리만큼이격되어제2 활성층을둘러싸도록배치된다.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括:衬底; 布置在基板上的第一结构,包括第一n型半导体层,第一有源层和第一p型半导体层; 第二结构,与基板上的第一结构分离,并且包括第二n型半导体层,第二有源层和第二p型半导体层; 分别连接到第一n型半导体层和第一p型半导体层的第一n电极和第一p电极; 以及分别连接到第二n型半导体层和第二p型半导体层的第二n电极和第二p电极。 第二n电极或第二p电极以预定距离与第二有源层分离并且围绕第二有源层。

    멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조방법, 그리고 발광모듈 및 조명장치
    4.
    发明公开
    멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조방법, 그리고 발광모듈 및 조명장치 审中-实审
    具有多细胞阵列的半导体发光装置及其制造方法,发光模块和照明装置

    公开(公告)号:KR1020130128841A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:KR1020120052926

    申请日:2012-05-18

    Abstract: The semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention is equipped with the first and the second conductive semiconductor layers. The first insulation layer formed in at least one part of the domain except for the side covering surface is in opposite direction to the first electrode and the second insulation layer which is formed among multiple light emitting cells on the first insulation layer is positioned on the whole. The substrate in order to cover at least one is arranged on whole surface of the multi cells.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体发光器件配备有第一和第二导电半导体层。 形成在除侧面覆盖面以外的畴的至少一部分上的第一绝缘层与第一电极相反的方向,并且在第一绝缘层上的多个发光单元之间形成的第二绝缘层位于整体上 。 为了覆盖至少一个的基板被布置在多个单元的整个表面上。

    반도체 발광장치 및 조명장치

    公开(公告)号:KR101926358B1

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:KR1020120016456

    申请日:2012-02-17

    Abstract: 본 발명의 일 측면은, 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 가지며, 아이솔레이션 영역에 의해 분할되어 복수의 발광셀을 제공하는 반도체 적층체와, 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층이 서로 전기적으로 분리되도록 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 중간 분리층과, 상기 복수의 발광셀의 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 복수의 제1 및 제2 전극과, 상기 복수의 발광셀이 서로 연결되도록 서로 다른 발광셀의 제1 및 제2 전극을 연결하는 배선부를 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.

    반도체 발광소자
    7.
    发明公开
    반도체 발광소자 审中-实审
    半导体发光装置

    公开(公告)号:KR1020150044583A

    公开(公告)日:2015-04-27

    申请号:KR1020130123797

    申请日:2013-10-17

    Abstract: 본발명은반도체발광소자에관한것으로서, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층이순차적으로적층된발광구조물; 및상기제1 및제2 도전형반도체층과각각전기적으로연결된제1 및제2 전극;을포함하며, 상기제2 전극은, 상기제2 도전형반도체층의상면중 일영역에형성된전류차단층; 상기전류차단층상에형성된반사부; 상기반사부와이격되어배치되고, 상기반사부를둘러싸는개구부를가지며상기제2 도전형반도체층상에형성되는투명전극층; 상기반사부를덮으며상기투명전극층과이격되어형성되고상기전류차단층의영역내에형성된패드전극부; 및상기패드전극부로부터일 방향으로연장되어형성되며적어도일부는상기투명전극층상에형성되는적어도하나의핑거전극부;를포함하여, 반도체발광소자의광추출효율이더욱향상되는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件,包括:发光结构,其中第一导电类型半导体层,有源层和第二第一导电类型半导体层依次排列成层; 以及分别与第一和第二导电类型半导体层电连接的第一和第二电极。 第二电极包括:形成在第二导电类型半导体层的上表面的一个区域上的电流阻挡层; 形成在电流阻挡层上的反射层; 布置成与所述反射层分离的透明电极层,具有围绕所述反射层的开口,并形成在所述第二导电类型半导体层上; 覆盖所述反射层的焊盘电极单元,形成为与所述透明电极层分离,并形成在所述电流阻挡层的区域中; 以及至少一个指状电极单元,从所述焊盘电极单元向一个方向放大,至少一部分形成在所述透明电极层上。 因此,提高了半导体发光器件的光提取效率。

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