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公开(公告)号：KR102224718B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140101101A
申请日：2014-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03H1/0808 , G03H1/2294 , G03H2001/0228 , G03H2001/2271 , G03H2210/454 , G03H2226/02
Abstract: 홀로그램 생성 방법은 3차원 영상 데이터 정보를 수신하는 단계; 상기 3차원 영상 데이터를 상호 의존성(dependency)이 없는 복수의 그룹으로 분할하는 분할 단계; 상기 복수의 그룹으로 분할된 영상 데이터로부터, 홀로그램 평면상의 각 위치에 표시될 홀로그램 값을 연산하되, 상기 복수의 그룹에 대한 연산을 병렬적으로 수행하는 연산 단계; 상기 홀로그램 평면상의 각 위치에 대해, 상기 복수의 그룹에서 연산된 홀로그램 값을 합산하는 단계; 상기 합산된 홀로그램 값을 공간 광변조기용 데이터로 변환하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102224718B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140101101
申请日：2014-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 홀로그램생성방법은 3차원영상데이터정보를수신하는단계; 상기 3차원영상데이터를상호의존성(dependency)이없는복수의그룹으로분할하는분할단계; 상기복수의그룹으로분할된영상데이터로부터, 홀로그램평면상의각 위치에표시될홀로그램값을연산하되, 상기복수의그룹에대한연산을병렬적으로수행하는연산단계; 상기홀로그램평면상의각 위치에대해, 상기복수의그룹에서연산된홀로그램값을합산하는단계; 상기합산된홀로그램값을공간광변조기용데이터로변환하는단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR102213662B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020140109968
申请日：2014-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/11
Abstract: 음향광학발생부, 광공급부및 웨이브변환부(wave transducer)를포함하는음향광학소자, 음향광학소자중 구동할음향광학소자를선택하는게이트구동부, 전선에연결되어, 선택된음향광학소자의음향광학발생부를제어하는전기광학변조기(Electro-Optic Modulator)에전기데이터를전송하는전기데이터구동부, 및도파관(waveguide)에연결되어, 선택된음향광학소자의웨이브변환부에웨이브데이터를전송하는웨이브데이터구동부를포함하는, 음향광학소자어레이가개시된다.
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公开(公告)号：KR102208966B1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR1020140144286
申请日：2014-10-23
Abstract: 근거리통신용칩 안테나에관해개시되어있다. 개시된칩 안테나는기판과상기기판상에구비된제1 안테나요소와제2 안테나요소를포함한다. 상기기판과상기제1 및제2 안테나요소는하나의칩에포함될수 있다. 상기제1 및제2 아테나요소는칩 외부에구비될수도있다. 상기기판은실리콘기판이거나복수의소자를포함하는하부층일수 있다. 상기제1 안테나요소는물고기뼈 모양을갖는금속구조체일수 있다. 상기제2 안테나요소는다이폴(dipole) 안테나일수 있다.
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公开(公告)号：KR101802947B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110087847
申请日：2011-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울시립대학교 산학협력단
IPC: H03K19/173 , G06F9/06
CPC classification number: H03K19/17756
Abstract: 논리장치가개시된다. 본발명의실시예에따른논리장치는, 제1 저장블록및 제2 저장블록및 제1 기능제어부를포함하는제1 기능블록을포함하고, 제1 동작구간에서상기제1 기능제어부는, 제1 설정선택신호및 제1 기능의설정을명령하는제1 설정명령신호를수신하고, 상기제1 설정선택신호를기반으로상기제1 저장블록을상기제1 동작구간의설정저장블록으로선택하고, 상기제1 설정명령신호를기반으로상기제1 저장블록에상기제1 기능을설정한다.
Abstract translation: 公开了一种逻辑器件。 根据本发明的一个实施例，在所述第一存储块和第二存储块，以及第一功能的控制，如权利要求包括第一功能块，并在第1动作期间包括第一功能控制单元，该第一逻辑装置 接收第一组命令信号，以命令组的选择信号，并设置第一功能，以及基于所述第一设定选择信号到所述第一铜雀之间的设定存储块中选择所述第一存储块，并且其中 并且第一功能基于第一设定命令信号被设定到第一存储块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101802945B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110062480
申请日：2011-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03K19/173 , H01L21/82
CPC classification number: H03K19/17704 , H03K19/17728 , H03K19/17736 , H03K19/1776
Abstract: 빠른시간내에다른기능으로의재구성이가능한논리장치가제공된다. 이를위해본 발명은, 제1 기능정보에따라정의된제1 동작및 제2 기능정보에따라정의된제2 동작을수행하는제1 기능블록, 및제1 기능정보에따라정의된제3 동작및 제2 기능정보에따라정의된제4 동작을수행하는제2 기능블록을포함하고, 제1 기능블록은, 설정정보를수신하여제1 기능정보및 제2 기능정보중 하나를선택하고, 선택된기능정보에기초하여제1 동작또는제2 동작을수행하며, 제2 기능블록은, 설정정보를수신하여제1 기능정보및 제2 기능정보중 하나를선택하고, 선택된기능정보에기초하여제3 동작또는제4 동작을수행하는것을특징으로하는논리장치를제공한다.
Abstract translation: 提供的逻辑器件可以在短时间内重新配置为其他功能。 为此，本发明的特征在于包括：第一功能块，用于执行根据第一操作定义的第二操作和根据第一功能信息定义的第二功能信息; 以及第二功能块，用于执行根据第二功能信息定义的第四操作，其中第一功能块接收设置信息，选择第一功能信息和第二功能信息中的一个， 并且第二功能块接收设置信息以选择第一功能信息和第二功能信息中的一个，并基于所选功能信息执行第三操作或第二操作 然后执行第四个操作。
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公开(公告)号：KR1020170034290A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020160010076
申请日：2016-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/28
Abstract: 저전압에서구동가능하고, 멀티레벨을구현할수 있는가중치소자, 뉴럴네트워크, 및가중치소자의동작방법을개시한다. 가중치소자는전압인가에따라고저항상태와저저항상태로스위칭될수 있는스위칭레이어와, 스위칭레이어의저항상태에따라전하를포획또는방출하는전하포획물질층을포함한다. 이러한가중치소자는뉴럴네트워크에서가중치의조절을위해사용될수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种加权装置，神经网络以及一种操作加权装置的方法，该加权装置能够以低电压驱动并且可以实现多级。 加权装置包括可根据电压施加切换到高电阻状态和低电阻状态的切换层以及根据切换层的电阻状态捕获或放电电荷的电荷俘获材料层。 这些加权元素可用于调整神经网络中的权重。
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公开(公告)号：KR1020170034215A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132605
申请日：2015-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1157 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/53 , G11C2213/79 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/28282 , H01L21/308 , H01L21/762 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L27/1052 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/66833 , H01L29/685 , H01L45/00
Abstract: 저전압에서구동가능하고, 멀티레벨을구현할수 있는시냅스메모리소자의제조방법을제공한다. 상기시냅스메모리소자는메모리층을포함하는제 1 트랜지스터의드레인영역과제 2 트랜지스터의제 1 소스영역을하나의공용영역으로공유하도록하는 2 트랜지스터구조를포함한다. 상기공용영역을통해전압을인가하여시냅스메모리소자를제어한다. 메모리층은전하저장층과문턱전압변환층을포함하여비휘발성멀티레벨메모리기능을구현할수 있다.
Abstract translation: 它可以在低电压下驱动，并且提供了用于能够实现多级的突触存储装置的制备方法。 突触是存储器元件包括第二晶体管结构，以便共享第一晶体管漏极区域分配第二晶体管，其包括存储器层中的第一源极区域到一个单一的接口。 并通过共享区域施加电压来控制突触存储器件。 存储器层可以实现包括电荷存储层和阈值电压转换层的非易失性多级存储器功能。
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公开(公告)号：KR101675561B1
公开(公告)日：2016-11-15
申请号：KR1020100042085
申请日：2010-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03K17/16 , H03K17/284 , G01R31/02
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/284
Abstract: 본발명은전원장치에관한것으로, 전원장치는제어단자및 출력단자를가지는스위칭소자; 및제어단자와상기출력단자사이의전압이임계전압이하가되도록제어단자에구동전압을제공하고, 구동전압이목표레벨에도달하는데에걸리는상승시간은스위칭소자의전류-전압특성에따라결정된구동부를포함하고, 제어단자와출력단자사이의전압이임계전압보다크면제어단자와출력단자사이에누설전류가발생한다.
Abstract translation: 电源装置技术领域本发明涉及一种电源装置，并且电源装置包括具有控制端子和输出端子的开关装置; 并且，向控制端子提供驱动电压，使得控制端子和输出端子之间的电压等于或小于阈值电压，并且驱动电压达到目标电平所需的上升时间包括根据电流 - 如果控制端子和输出端子之间的电压大于阈值电压，则在控制端子和输出端子之间产生泄漏电流。
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公开(公告)号：KR101660409B1
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020100074983
申请日：2010-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은룩-업테이블회로(LookUp Table circuit)에관한것으로, 룩-업테이블회로는제1 구성비트및 제1 독출비트를포함하는제1 비트신호를인가받는제1 입력단을포함하여, 제1 비트신호에응답하여교호적으로(alternatively) 제1 노드와제2 노드또는제3 노드를전기적으로연결하는제1 경로부, 제2 노드및 제3 노드와각각전기적으로연결되며, 제2 구성비트및 제2 독출비트를포함하는제2 비트신호를인가받는제2 및제3 입력단을포함하여, 제2 비트신호에응답하여교호적으로제2 노드와제4 노드또는제5 노드, 및제3 노드와제6 노드또는제7 노드를전기적으로연결하는제2 경로부, 및제4 내지제7 노드들중 하나의노드와제8 노드사이에병렬로각각전기적으로연결되고, 제1 노드및 제8 노드에인가된전압에기초하여프로그램가능한제1 내지제4 비휘발성메모리소자들을포함하는논리연산회로를구비한다.
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