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1.发明授权
公开(公告)号：KR100916542B1
公开(公告)日：2009-09-14
申请号：KR1020070013241
申请日：2007-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F3/193 , H03F1/223 , H03F1/3211 , H03F3/45179 , H03F2200/451 , H03F2203/45306 , H03F2203/45318
Abstract: 보상회로를 구비하는 신호 변환기 및 신호 변환 방법이 개시된다. 상기 신호 변환기는 싱글-엔디드 신호에 응답하여 차동 신호들을 출력하기 위한 신호 변환부; 및 상기 차동 신호들을 수신하고, 상기 차동 신호들 사이의 위상 부정합 에러와 진폭 부정합 에러를 보상하고, 보상된 차동 신호들을 출력하기 위한 보상 회로를 구비하여 싱글-엔디드 신호를 정확한 진폭 특성과 위상 특성을 갖는 차동 신호들을 출력할 수 있는 효과가 있다.
싱글-차동 신호 변환, RF 신호-
公开(公告)号：KR100801056B1
公开(公告)日：2008-02-04
申请号：KR1020060006477
申请日：2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F3/165
Abstract: 딥 엔웰 씨모스 공정으로 구현한 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 이용한 반도체 회로가 개시된다. 본 발명에 따른 증폭기 회로는, 입력 노드 및 출력 노드에 커플되고, 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 발생하는 증폭 트랜지스터 및 상기 출력 노드와 소정의 전원 전압 노드 사이에 연결되는 부하를 구비한다. 상기 증폭 트랜지스터는 딥 엔웰 씨모스 공정으로 구현되는 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터로 구현된다. 본 발명에 따른 가변 게인 증폭 회로 또는 싱글 폴 로그 도메인 회로 역시 딥 엔웰 씨모스 공정으로 구현되는 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 포함하여 구성된다. 본 발명에 의하면, 써브 쓰레쉬홀드 영역에서 동작하는 MOSFET 소자 대신에 이 소자에 비하여 뛰어난 특성을 가지는 딥 엔웰 씨모스 공정에서 얻을 수 있는 수직형 BJT 소자를 증폭기, 가변 게인 증폭 회로 및 싱글 폴 로그 도메인 회로 등에 사용함으로써, 이들 회로의 특성이 개선된다.
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公开(公告)号：KR1020070076940A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：KR1020060006477
申请日：2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F3/165
Abstract: A semiconductor circuit using a vertical bipolar junction transistor implemented by a deep n-well CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) process is provided to enhance circuit characteristics by using the vertical bipolar junction transistor in various devices. A semiconductor circuit using a vertical bipolar junction transistor implemented by a deep n-well CMOS process includes four transistors(Q1,Q2,Q3,Q4), three current sources(511,512,513), a capacitor(C), and a power supply(Vcc). Base terminals(N1) of the first and second transistors(Q1,Q2) are connected to each other. Emitter terminals of the second and third transistors(Q2,Q3) are connected to common emitter nodes(N2). The capacitor(C) and the first and second current sources(511,512) are connected to each other in parallel between the common emitter nodes(N2) and ground. The third current source(513) is connected between the power supply(Vcc) and base terminals(N3) of the third and fourth transistors(Q3,Q4). The three current sources(511,512,513) provides predetermined current(Io).
Abstract translation: 提供了使用由深n阱CMOS（互补金属 - 氧化物半导体）工艺实现的垂直双极结型晶体管的半导体电路，以通过在各种器件中使用垂直双极结型晶体管来增强电路特性。 使用由深n阱CMOS工艺实现的垂直双极结型晶体管的半导体电路包括四个晶体管（Q1，Q2，Q3，Q4），三个电流源（511,512,513），电容器（C）和电源 ）。 第一和第二晶体管（Q1，Q2）的基极端子（N1）彼此连接。 第二和第三晶体管（Q2，Q3）的发射极端子连接到共发射极节点（N2）。 电容器（C）和第一和第二电流源（511,512）在公共发射极节点（N2）和地之间并联连接。 第三电流源（513）连接在第三和第四晶体管（Q3，Q4）的电源（Vcc）和基极（N3）之间。 三个电流源（511,512,513）提供预定电流（Io）。
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公开(公告)号：KR1020080040071A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060107537
申请日：2006-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03F3/19 , H03F1/32 , H03F2200/294 , H03G1/0029 , H03G1/0088
Abstract: A wide band programmable variable gain amplifier and a radio receiver having the same are provided to improve a performance of a chip by acquiring a wide band characteristic of a radio frequency receiver. A wide band programmable variable gain amplifier includes a first amplifying unit, a second amplifying unit(12), and a third amplifying unit. The first amplifying unit receives and amplifies an external signal. The second amplifying unit has a programmable output load, receives the output of the first amplifying unit, and differentially outputs the received signal. The output load unit has a plurality of first switches and a first transistor coupled to a plurality of diodes which are switched by the first switches. The third amplifying unit has a programmable current mirror, differentially receives an output of the second amplifying unit through the current mirror, and outputs the received signal. The current mirror has a plurality of second switches and a plurality of second transistors which are switched by the second switches.
Abstract translation: 提供宽带可编程可变增益放大器和具有该宽带可编程可变增益放大器的无线电接收机，以通过获取射频接收机的宽带特性来提高芯片的性能。 宽带可编程可变增益放大器包括第一放大单元，第二放大单元（12）和第三放大单元。 第一放大单元接收和放大外部信号。 第二放大单元具有可编程输出负载，接收第一放大单元的输出，差分地输出接收信号。 输出负载单元具有多个第一开关和耦合到由第一开关切换的多个二极管的第一晶体管。 第三放大单元具有可编程电流镜，差分地通过电流镜接收第二放大单元的输出，并输出接收信号。 电流镜具有多个第二开关和由第二开关切换的多个第二晶体管。
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公开(公告)号：KR1020080034555A
公开(公告)日：2008-04-22
申请号：KR1020060100632
申请日：2006-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/1638 , H03F1/26 , H03F3/68 , H03F2200/294
Abstract: A multi-band LNA(Low Noise Amplifier) and a multi-band RF signal receiver are provided to maintain similar inductance and quality factor of inductors to those obtained when the inductors are separately integrated, by integrating the inductors such that they are integrated to be insulated and current flows selectively. Low noise amplifying circuits(21-23) selectively operate according to a plurality of different frequency bands and include an amplifying unit and a degeneration unit. The degeneration units include inductors(L11-L13). Current flows only to an inductor of a low noise amplifying circuit selected according to a frequency band, and a loop of one inductor is integrated on the same plane so that it surrounds a loop of the other remaining inductor and insulated. The loops of the inductors have different sizes. The centers of the loops of the inductors correspond to each other. One of the inductors includes a crossing portion that cubically cross, and includes two or more loops.
Abstract translation: 提供多频带LNA（低噪声放大器）和多频带RF信号接收机，以保持电感器与电感器分开集成时所获得的电感和品质因数相似的电感和质量因子，通过集成电感器使得它们被集成为 绝缘和电流有选择地流动。 低噪声放大电路（21-23）根据多个不同的频带选择性地工作，并且包括放大单元和退化单元。 退化单元包括电感器（L11-L13）。 电流仅流向根据频带选择的低噪声放大电路的电感器，并且一个电感器的环路集成在同一平面上，使得其围绕另一个剩余电感器的环路并且绝缘。 电感器的环路具有不同的尺寸。 电感器的环路的中心彼此对应。 电感器之一包括立方交叉的交叉部分，并且包括两个或更多个环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100824783B1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020060100632
申请日：2006-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/1638 , H03F1/26 , H03F3/68 , H03F2200/294
Abstract: 다중 대역용 저잡음 증폭기(multi-band LNA)는 복수의 서로 다른 주파수 대역에 따라 선택적으로 동작하고 각각 증폭부 및 디제너레이션부를 구비하는 복수의 저잡음 증폭회로들을 포함하며, 상기 각각의 디제너레이션부는 인덕터를 포함하고, 상기 인덕터들은 상기 주파수 대역에 따라 선택된 저잡음 증폭회로의 인덕터에만 전류가 흐르며, 그 중 하나의 인덕터의 루프가 나머지 인덕터의 루프를 둘러싸고 서로 절연되도록 동일 평면상에 집적된다. 따라서 인덕터 점유 면적을 감소시킴으로써 칩 면적을 줄일 수 있고, 상기 인덕터들은 선택적으로 전류가 흐르므로, 각각 개별적으로 집적될 때와 비슷한 값의 인덕턴스 및 양호도를 유지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070047039A
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020050103725
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F1/3211 , H03F3/45085 , H03F3/45183 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/45362 , H03F2203/45371
Abstract: 선형성이 향상된 차동 회로, 이를 구비하는 차동 증폭 회로 및 믹서 회로가 개시된다. 본 발명의 차동 회로는 차동 출력부 및 적어도 하나의 트랜지스터 쌍을 포함한다. 차동 출력부는 차동 입력 신호를 입력받아 차동 전류로 변환하여 두 출력단자로 출력한다. 트랜지스터 쌍에서 각 트랜지스터는 제1단자가 소정의 공통 노드 혹은 소정 임피던스를 통하여 공통 노드에 연결되고, 제2단자로 차동 입력 신호를 수신하며, 제3단자가 두 출력단자에 각각 연결되어 차동 입력 신호를 보상 전류로 변환하여 제3단자로 출력함으로써 차동 전류를 보상한다.
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公开(公告)号：KR100652965B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050092373
申请日：2005-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/10
Abstract: A transmitter realized by a vertical BJT(Bipolar Junction Transistor) is provided to use a vertical BJT for at least a portion of circuit elements, thereby improving matching characteristics among the elements and solving DC(Direct Current) offset problems. A DAC(Digital to Analog Converter)(10) converts an inputted digital signal into an analog signal. A baseband analog filter(20) filters a particular band of a signal passing through the DAC(10). A phase conversion element(60) is applied with an LO(Local Oscillator) signal to output an in-phase LO signal and a quadrature LO signal. The first and second mixers mix the signal outputted from the filter(20) with the outputted in-phase and quadrature LO signals to individually output in-phase RF(Radio Frequency) and quadrature RF vector signals. A drive amplifier(40) amplifies the outputted RF signals. A switching element that comprises at least one of the DAC(10), the filter(20), the first and second mixers, and the drive amplifier(40) is realized as a vertical BJT.
Abstract translation: 提供由垂直BJT（双极结晶体管）实现的发射器，以对至少一部分电路元件使用垂直BJT，从而改善元件之间的匹配特性并解决DC（直流）偏移问题。 DAC（数模转换器）（10）将输入的数字信号转换为模拟信号。 基带模拟滤波器（20）对通过DAC（10）的信号的特定频带进行滤波。 相位转换元件（60）被施加LO（本地振荡器）信号以输出同相LO信号和正交LO信号。 第一和第二混频器将从滤波器（20）输出的信号与输出的同相和正交LO信号混合，以分别输出同相RF（射频）和正交RF矢量信号。 驱动放大器（40）放大输出的RF信号。 包括DAC（10），滤波器（20），第一和第二混频器以及驱动放大器（40）中的至少一个的开关元件被实现为垂直BJT。
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公开(公告)号：KR1020160096532A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020150157730
申请日：2015-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의다양한실시예들에따른인덕터장치는, 메인인덕터부(main inductor portion)와, 메인인덕터부의주변둘레로복수개의분할인덕터소자들이메인인덕터부를감싸게구비되는보조인덕터부(auxiliary inductor portion)를포함하고, 메인인덕터부와보조인덕터부의사이에는전류의인가에따라커플링이발생되고, 상기커플링들은서로상쇄될수 있다. 또한, 상기와같은장치는실시예에따라더욱다양하게구현될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例的电感器件包括主电感器部分和辅助电感器部分，其包括围绕主电感器部分布置以覆盖主电感器部分的多个分开的电感器元件。 当施加电流时，在主电感器单元和辅助电感器单元之间产生耦合。 联轴器可以抵消。 此外，可以通过实施例各种实现电感器件。 本发明的目的是提供能够减小两个电感器之间的空间的电感器件。
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公开(公告)号：KR1020080102642A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：KR1020070049326
申请日：2007-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H04B1/0082 , H03L7/093 , H03L7/099
Abstract: A local oscillation signal generator generates local oscillation signals with various frequency bands, requires a relatively small chip area, and reduces power consumption. A local oscillation signal generator includes a PLL(Phase Locked Loop) circuit, a first 2 divider(1st DIV2), a 3 divider(DIV3), a multiplexer(MUX), a second 2 divider(2nd DIV2). The PLL circuit includes a VCO(Voltage Controlled Oscillator) outputting the local oscillation signal, and a PLL 2 divider dividing and outputting the local oscillation signal by 2. The first 2 divier divides and outputs the local oscillation signal by 2. The 3 divider divides and outputs the local oscillation signal by 3. The second 2 divider divides the output signal of the multiplexer by 2 and outputs the divided signal.
Abstract translation: 本地振荡信号发生器产生具有各种频带的本地振荡信号，需要相对较小的芯片面积，并降低功耗。 本地振荡信号发生器包括PLL（锁相环）电路，第一分频器（1st DIV2），3除法器（DIV3），多路复用器（MUX），第二二分频器（2nd DIV2）。 PLL电路包括输出本地振荡信号的VCO（压控振荡器）以及PLL2分频器，分频并输出本地振荡信号2.前2个分频器将本地振荡信号分频并输出。3分频器除法器 并将本地振荡信号输出3.第二个2分频器将多路复用器的输出信号除以2，并输出分频信号。
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