公开(公告)号：KR1020160118118A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020150098647

申请日：2015-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종원 ,  노기정 ,  원진연 ,  임태완 ,  박우현

IPC: H01L27/115

Abstract: 기판상에 2차원적으로배열되고기판으로부터수직으로연장되는수직채널구조체들이제공된다. 수직채널구조체들상에제공되고제 1 방향을따라배치된수직채널구조체들을연결하는비트라인들이제공된다. 제 1 방향과교차하는제 2 방향을따라수직채널구조체들사이로연장되는복수개의공통소스라인들이제공된다. 비트라인들과동일한수직레벨에위치하고, 복수개의공통소스라인들을전기적으로연결하는소스스트래핑라인이제공된다.

公开(公告)号：KR1020170043979A

公开(公告)日：2017-04-24

申请号：KR1020150170110

申请日：2015-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정훈 ,  노기정 ,  박세준 ,  신진현 ,  이동식 ,  이웅섭

IPC: H01L27/115

Abstract: 3차원반도체메모리장치는, 기판상에, 상기기판의상면에수직한제1 방향으로적층된하부선택라인및 상부선택라인, 상기하부선택라인과상기상부선택라인사이에제공되고, 상기제1 방향으로적층된셀 게이트전극들을포함하는셀 게이트구조체. 상기하부선택라인과상기셀 게이트구조체사이에제공되고, 상기제1 방향을따라상기셀 게이트전극들중 최하층의셀 게이트전극으로부터제1 거리로이격되는하부더미게이트라인을포함하는하부더미구조체, 및상기상부선택라인과상기셀 게이트구조체사이에제공되고, 상기제1 방향을따라상기셀 게이트전극들중 최상층의셀 게이트전극으로부터제2 거리로이격되는상부더미게이트라인을포함하는상부더미구조체를포함한다. 상기셀 게이트전극들은상기제1 방향을따라제3 거리로서로이격되고, 상기제1 거리및 상기제2 거리는각각상기제3 거리보다크다.

Abstract translation: 一种三维半导体存储器件包括：在垂直于衬底上表面的第一方向上堆叠的下选择线和上选择线以及设置在下选择线和上选择线之间的下选择线和上选择线， Gt信元门 下部虚设栅极线，设置在下选择线与单元栅极结构之间，并且沿着第一方向与单元栅电极中的最下层的单元栅电极隔开第一距离; 以及上部虚拟栅极线，设置在上部选择线与单元栅极结构之间，并且沿着第一方向与单元栅极电极的最上部单元栅极电极间隔开第二距离 的。 单元栅极电极沿着第一方向彼此间隔第三距离，并且第一距离和第二距离分别大于第三距离。

公开(公告)号：KR1020170043420A

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：KR1020150185178

申请日：2015-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박주희 ,  이종민 ,  김선경 ,  노기정 ,  신진현 ,  박종현 ,  원진연

IPC: H01L27/115

Abstract: 수직형메모리장치는기판, 기판의상면에대해수직한제1 방향으로연장하는채널들, 채널들을감싸며제1 방향을따라서로이격되도록적층되는복수의게이트라인들, 및게이트라인들을제1 방향으로절단하며너비의증감이반복되는도전라인을포함한다.

Abstract translation: 垂直存储器件包括衬底，在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸的沟道，围绕沟道并被堆叠以沿第一方向间隔开的多条栅极线， 并且重复宽度的增加和减小的导线。

公开(公告)号：KR1020150126216A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020140053620

申请日：2014-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현석 ,  이준희 ,  노기정

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/60 ,  H01L28/91

Abstract: 본발명의사상은수직구조의비휘발성메모리소자는주변회로영역을구성하는커패시터를수직형태로형성함으로써, 평판형태의커패시터에비해전체소자의크기대비커패시터가차지하는면적을감소시킬수 있어고집적화및 대용량화를실현할수 있다. 상기수직구조의비휘발성메모리소자는셀 영역과주변회로영역을갖는기판; 상기셀 영역에형성되는복수의수직형메모리셀 및상기복수의수직형메모리셀을상기기판에수직한제1 방향으로관통하여형성되는채널홀을포함하는메모리셀 스트링; 상기기판상의주변회로영역에상기메모리셀 스트링의상면레벨과실질적으로동일한레벨을갖도록형성되는절연막; 및상기주변회로영역상에서상기절연막의적어도일부를상기제1 방향으로관통하여상기채널홀과상호평행하게연장되는복수의커패시터전극;을포함하고, 상기복수의커패시터전극은상기기판과평행한제2 방향으로서로이격되고, 상기복수의커패시터전극중 인접한한 쌍의커패시터전극사이에는상기절연막이개재되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有垂直结构的非易失性存储器件，与通过形成垂直型电容器的器件的整体尺寸相比，通过减小电容器的面积来形成大容量存储和高集成度，包括周边 电路区域。 该装置包括：包括周围电路区域和单元区域的基板; 包括形成在单元区域中的多个垂直存储单元的存储单元串和通过垂直于基板的第一方向穿透垂直存储单元而形成的通道孔; 形成在周围电路区域中的绝缘膜与存储单元串的上表面电平相同; 并且多个电容器电极通过在第一方向上穿透周围电路区域中的绝缘膜的至少一部分而与沟道孔平行延伸。 电容器电极在第二方向上远离衬底。 绝缘膜位于电容器电极之间彼此相邻的一对电容器电极之间。

公开(公告)号：KR1020160087691A

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：KR1020150006980

申请日：2015-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상용 ,  노기정 ,  박형 ,  임태완

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/788

Abstract: 수직형메모리장치는공통소스라인용개구부내에서리세스영역을한정하는내측벽을가지는제1 공통소스라인콘택플러그를포함한다. 수직형메모리장치의제조방법은셀 영역과주변회로영역을포함하는기판을제공하고, 상기셀 영역에몰드구조물을형성하고, 상기몰드구조물을관통하며, 상기기판상면에대해수직인제1 방향으로연장하는공통소스라인용개구부를형성하고, 상기공통소스라인용개구부내에서리세스영역을한정하는내측벽을가지는제1 콘택플러그를형성하고, 상기제1 콘택플러그의내측벽과전기적으로연결가능한공통소스비트라인콘택을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 垂直存储装置包括第一公共源极线接触插头，其具有限定用于公共源极线的开口部分中的凹部区域的内壁。 制造垂直存储器件的方法包括提供包括单元区域和周边区域的衬底; 在细胞区域中形成模具结构; 穿过模具结构，并且形成用于沿垂直于衬底的上表面的第一方向延伸的公共源极线的开口部分; 形成第一接触塞，所述第一接触插塞具有限制所述共用源极线的开口部中的所述凹部的内壁; 以及形成可以电连接到第一接触插塞的内壁的公共源位线接触件。 因此，可以提高垂直存储器件的可靠性。