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公开(公告)号：WO2018021649A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/KR2017/002825
申请日：2017-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/0488 , G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0488
Abstract: 본 발명은 전자 장치 및 그의 동작 방법에 관한 것으로, 전자 장치는 센서; 및 상기 센서와 전기적으로 연결된 프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는, 상기 센서로부터 제1 기준 범위에 포함되는 세기의 압력 발생을 나타내는 제1 데이터를 수신하는 것에 대응하여 컨텐츠 파일의 제1 구성을 획득하고, 상기 센서로부터 상기 제1 기준 범위를 벗어나는 세기의 압력 발생을 나타내는 제2 데이터를 수신하는 것에 대응하여 상기 컨텐츠 파일의 제2 구성을 추가로 획득하도록 구성될 수 있다.
Abstract translation: 电子设备及其操作方法技术领域本发明涉及一种电子设备及其操作方法，其中电子设备包括传感器; 和电连接到所述处理器和所述传感器，所述处理器，响应于接收到表示所述压力产生在第一参考范围中包含来自传感器的强度的第一数据以获得内容文件的第一配置 并且获取对应于从传感器接收指示在第一参考范围之外的强度的压力产生的第二数据的内容文件的第二配置。
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公开(公告)号：KR101248942B1
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020070104475
申请日：2007-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26
Abstract: 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 적어도 하나의 스트링, 적어도 하나의 비트 라인, 및 센싱 트랜지스터를 구비한다. 적어도 하나의 스트링은 직렬로 연결되는 복수개의 메모리 셀 트랜지스터들을 각각 포함한다. 적어도 하나의 비트 라인은 상기 적어도 하나의 스트링에 각각 대응된다. 센싱 트랜지스터는 상기 비트 라인의 전압을 센싱하는 게이트를 가지며 높은 임계 전압을 가진다. 센싱 트랜지스터의 임계 전압은, 독출 대상 메모리 셀 트랜지스터에 연결되는 독출 비트 라인에 인가되는 전압보다 낮고, 상기 독출 비트 라인에 인가되는 전압에서 소정의 전압을 감산한 전압보다 높을 수 있다.
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公开(公告)号：KR101245219B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020070047831
申请日：2007-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C2211/5642
Abstract: 기입 동작과 독출 동작에서 서로 다른 코드를 이용하는 메모리 셀 기입/독출 방법 및 페이지 버퍼이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 셀 기입/독출 방법은, 복수개의 임계 전압 분포들을 가지는 메모리 셀의 기입/독출 방법으로써, 데이터 기입 단계 및 데이터 독출 단계를 구비한다. 데이터 기입 단계는, 복수개의 임계 전압 분포들 중에서 대응되는 임계 전압 분포를 각각 가리키는 기입 코드들을 이용하여 메모리 셀에 n비트의 데이터를 기입한다. 데이터 독출 단계는, 복수개의 임계 전압 분포들 중에서 대응되는 임계 전압 분포를 각각 가리키는 독출 코드들을 이용하여 메모리 셀로부터 n비트의 데이터를 독출한다. 본 발명에 따른 메모리 셀 기입/독출 방법에서, 기입 코드들 중 일부와 기입 코드들에 대응되는 독출 코드들 중 일부는, 서로 다르다.
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公开(公告)号：KR1020080035211A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060101569
申请日：2006-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/42324 , G11C16/0408 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42336 , H01L29/4234 , H01L29/42352 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: A semiconductor memory device including a recess-type control gate electrode is provided to increase operation current and improve operation speed of a semiconductor memory device by adjusting the vertical depth of channel regions. A control gate electrode(160) is recessed in a semiconductor substrate(105). A storage node layer(140) is interposed between the sidewall of the control gate electrode and the semiconductor substrate. A tunneling insulation layer(130) is interposed between the storage node layer and the semiconductor substrate. A blocking insulation layer(150) is interposed between the storage node layer and the control gate electrode. First and second channel regions(110a,110b) are formed in the vicinity of the surface of the semiconductor substrate under the tunneling insulation layer to surround the sidewall of the control gate electrode, isolated by a pair of isolation layers(125a,125b) confronting each other. The dielectric constant of the blocking insulation layer is greater than that of the tunneling insulation layer. A buried insulation layer can be interposed between the bottom of the control gate electrode and the semiconductor substrate, thicker than the tunneling insulation layer.
Abstract translation: 提供包括凹型控制栅电极的半导体存储器件，以通过调整沟道区域的垂直深度来增加操作电流并提高半导体存储器件的操作速度。 控制栅电极（160）凹入半导体衬底（105）中。 存储节点层（140）插入在控制栅电极的侧壁和半导体衬底之间。 隧道绝缘层（130）介于存储节点层和半导体衬底之间。 在存储节点层和控制栅电极之间插入阻挡绝缘层（150）。 第一和第二沟道区域（110a，110b）形成在隧道绝缘层下方的半导体衬底的表面附近，以围绕控制栅电极的侧壁，由一对面对的隔离层（125a，125b）隔离 彼此。 阻挡绝缘层的介电常数大于隧道绝缘层的介电常数。 掩埋绝缘层可以插入在控制栅电极的底部和半导体衬底之间，比隧道绝缘层厚。
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公开(公告)号：KR1020070066198A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050127073
申请日：2005-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박주희
IPC: H04B1/40
Abstract: An apparatus and a method for providing a preview function of a web page in a mobile communication terminal are provided to enable a user to previously determine the URL address of a web page stored in the mobile terminal and the URL address registered in the list of a book mark. A web page preview data generator creates web page preview data when a user adds a present web page to a bookmark. A memory part stores the created web page preview data. A controller creates and stores the web page preview data. The controller displays at least one stored web page preview data according to preview display setting when a user selects a web page preview function. The preview display setting is about the number of preview data displayed on one screen of a display of the mobile terminal.
Abstract translation: 提供了一种用于在移动通信终端中提供网页的预览功能的装置和方法，以使得用户能够预先确定存储在移动终端中的网页的URL地址和登记在移动终端列表中的URL地址 书签。 当用户将当前网页添加到书签时，网页预览数据生成器创建网页预览数据。 内存部分存储创建的网页预览数据。 控制器创建并存储网页预览数据。 当用户选择网页预览功能时，控制器根据预览显示设置显示至少一个存储的网页预览数据。 预览显示设置是关于在移动终端的显示器的一个屏幕上显示的预览数据的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100636198B1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：KR1020040097997
申请日：2004-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박주희
IPC: H04N21/262
Abstract: 데이터 방송에서 사용자의 선호도를 반영하여 데이터 방송 컨텐츠를 전송할 수 있도록 하는 데이터 방송 컨텐츠 전송 방법 및 장치, 데이터 방송 컨텐츠 수신 방법 및 장치가 개시된다.
본 발명에 따른 데이터 방송 컨텐츠 전송 방법은, 전송되는 데이터 방송 컨텐츠에 대한 선호를 나타내는 컨텐츠 선호 정보를 사용자 단말기로부터 백채널을 통해 수신하는 단계와, 상기 컨텐츠 선호 정보를 기초로 전송될 방송 컨텐츠에 대한 우선순위를 결정하는 단계와, 상기 결정된 우선순위에 기초하여 데이터 방송 컨텐츠를 전송하는 단계를 포함한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, 수신기들이 데이터 방송 전송 장치에 사용자들의 선호도를 반영한 적극적인 요청을 하여 적합하고 빠른 정보 수신을 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100619032B1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020040044131
申请日：2004-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N7/08
Abstract: 본 발명에 따라 메타 파일 전송 방법, 메타 파일 복호 방법 및 장치가 개시된다.
본 발명에 따른 메타 파일 전송 방법은, A/V 데이터에 관한 실제 데이터와, 상기 실제 데이터에 관한 정보를 담고 있는 메타 데이터를 분리하는 단계와, 상기 실제 데이터와 상기 메타 데이터에 대해 서로 다른 에러 방지 부호화를 수행하여 전송하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명의 구성에 의하면 메타 파일에서 메타 데이터와 실제 데이터를 분리하고 메타 데이터에 대해서는 에러 방지 부호화를 적용하여 전송함으로써 메타 데이터의 에러에 강한 전송을 추구할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050117827A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040043072
申请日：2004-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04H60/27 , H04H20/30 , H04H40/18 , H04H60/13 , H04H2201/20
Abstract: DAB 수신장치에서 디스플레이되는 슬라이드 쇼 데이터를 저장하였다가 사용자의 인터페이스를 통해 사용자 입력을 받아 디스플레이를 수행하는 슬라이드 쇼 제공방법 및 수신장치가 개시된다. 본 발명에 따라, 슬라이드 쇼 데이터 처리방법은 (a) 소정의 프로토콜에 따라 슬라이드 쇼 데이터를 수신하는 단계; (b) 상기 수신한 슬라이드 쇼 데이터에 포함된 디스플레이 화면구성정보를 해석하여 상기 슬라이드 쇼의 화면구성에 따라 상기 슬라이드 쇼 데이터를 저장하는 단계; 및 (c) 사용자로부터의 명령이 수신되면 이에 따라 상기 저장된 슬라이드 쇼 데이터를 검색하여, 해당 명령을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 종래의 수동적이고 정적인 슬라이드 쇼 서비스 대신, 지나갔던 슬라이드 쇼의 내용을 사용자 인터페이스에 의해 다시 볼 수도 있고 저장할 수도 있어 사용자와의 인터랙션이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020050117726A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040042915
申请日：2004-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N7/08
CPC classification number: H04H60/13 , H04H60/14 , H04H2201/20
Abstract: 본 발명에 따라 디지털 방송 전송 방법, 디지털 방송 디스플레이 제어 방법/장치 및 그 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능한 기록매체가 개시된다.
본 발명에 따른 디지털 방송 디스플레이 제어 방법은, 적어도 하나 이상의 광고 채널을 포함하는 앙상블을 수신하는 단계와, 상기 수신된 앙상블에 포함된 광고 채널중 적어도 하나 이상의 광고 채널에 담긴 광고 방송이 강제적으로 디스플레이되도록 제어하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 디지털 방송은 복수개의 서비스 디스플레이를 가능하게 하므로 이중에서 광고 서비스를 무조건적으로 디스플레이되게 하여 방송서비스 사업자는 광고의 효과의 극대화를 시켜주고, 소비자들에게는 좀더 저렴하게 디지털 방송을 수신을 기대할 수 있다-
公开(公告)号：KR1020170043420A
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020150185178
申请日：2015-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 수직형메모리장치는기판, 기판의상면에대해수직한제1 방향으로연장하는채널들, 채널들을감싸며제1 방향을따라서로이격되도록적층되는복수의게이트라인들, 및게이트라인들을제1 방향으로절단하며너비의증감이반복되는도전라인을포함한다.
Abstract translation: 垂直存储器件包括衬底，在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸的沟道，围绕沟道并被堆叠以沿第一方向间隔开的多条栅极线， 并且重复宽度的增加和减小的导线。
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