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公开(公告)号：KR1020140009774A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020120076476
申请日：2012-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N13/257 , H01L27/14621 , H01L27/1464
Abstract: A three-dimensional (3D) image sensor is disclosed. The 3D image sensor includes a first color filter which first area wavelengths and infrared area wavelengths among visible ray area wavelengths pass through together; a second color filter which second area wavelengths and the infrared area wavelengths among the visible ray area wavelengths pass through together; and an infrared sensor for sensing the infrared area wavelengths passing through the first color filter.
Abstract translation: 公开了一种三维（3D）图像传感器。 3D图像传感器包括可见光区域波长中的第一区域波长和红外区域波长通过在一起的第一滤色器; 第二滤色器，可见光区域波长中的第二区域波长和红外区域波长通过在一起; 以及用于感测通过第一滤色器的红外区域波长的红外传感器。
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公开(公告)号：KR1020130006182A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110068071
申请日：2011-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14609 , H04N13/30 , H04N5/369
Abstract: PURPOSE: A sensor, a data processing system having the same, and a method for operating the same are provided to make multiple color pixels and multiple deep pixels a single chip. CONSTITUTION: A pixel array deeply includes a depth pixel(Z) and a color pixel(R,G,B). The first signal line group includes the multiple signal lines for supplying multiple first control signals(RG,TG,SEL) for controlling the color pixel. The second signal line group includes the multiple signal lines for supplying multiple second signals(RG1,DG,TG1,SEL1) for controlling the depth pixel.
Abstract translation: 目的：提供一种传感器，具有该传感器的数据处理系统及其操作方法，以使多个彩色像素和多个深度像素成为单个芯片。 构成：像素阵列深深地包括深度像素（Z）和彩色像素（R，G，B）。 第一信号线组包括用于提供用于控制彩色像素的多个第一控制信号（RG，TG，SEL）的多条信号线。 第二信号线组包括用于提供用于控制深度像素的多个第二信号（RG1，DG，TG1，SEL1）的多条信号线。
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公开(公告)号：KR1020060108017A
公开(公告)日：2006-10-17
申请号：KR1020050029988
申请日：2005-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14614 , H01L27/14689
Abstract: 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법이 제공된다. 이 씨모스 이미지 센서의 전달 게이트의 하부에는 계단형태의 채널이 형성된다. 그리고 상기 채널의 한쪽끝은 수광부의 신호전하가 형성되는 부분과 연결되며, 다른 한쪽끝은 부유확산층과 연결된다. 계단형태의 채널에 의하여 상기 수광부의 신호전하가 형성되는 부분과 채널 및 상기 부유확산층과 채널이 높이차 없이 연결될 수 있으므로 신호전하 전달이 원활하게 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1020060098041A
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020050019246
申请日：2005-03-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 광검출기를 갖는 이미지 센서 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 제1 도전형의 불순물들로 도핑된 반도체 기판, 및 반도체 기판에 형성되되, 제2 도전형의 불순물들로 도핑된 불순물 확산층을 포함한다. 불순물 확산층은 반도체 기판과 pn접합되어 포토 다이오드를 이루고, 불순물 확산층의 하부(lower portion)의 적어도 일부는 불순물 확산층의 상부면의 폭에 비하여 큰 폭을 갖는다.
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公开(公告)号：KR101823347B1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：KR1020110068071
申请日：2011-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14609
Abstract: 센서가개시된다. 상기센서는컬러픽셀및 깊이픽셀을포함하는픽셀어레이, 상기컬러픽셀의동작을제어하기위한다수의제1제어신호들을공급하기위한다수의신호라인들을포함하는제1신호라인그룹, 및상기깊이픽셀의동작을제어하기위한다수의제2제어신호들을공급하기위한다수의신호라인들을포함하는제2신호라인그룹을포함한다.
Abstract translation: 图像传感器包括单位像素，该单位像素包括具有深度像素的多个彩色像素。 第一信号线组的第一信号线组用于提供控制多个彩色像素的操作的第一控制信号，并且独立的第二信号线组的第二信号线用于提供控制深度的操作的第二控制信号 像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140047934A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020120114308
申请日：2012-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14645
Abstract: Provided are a 3D image sensor and a method of fabricating the same. In the 3D image sensor, because the thickness of a second transmission gate and the gate insulating layer of a drain gate is thinner than that of other gate insulating layers, the operation voltage of the second transmission gate and the drain gate can be lowered. Thereby, the power consumption of the 3D image sensor can be reduced.
Abstract translation: 提供了3D图像传感器及其制造方法。 在3D图像传感器中，由于第二传输栅极和漏极栅极的栅极绝缘层的厚度比其他栅极绝缘层的厚度薄，所以可以降低第二传输栅极和漏极栅极的工作电压。 由此，能够降低3D图像传感器的功耗。
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公开(公告)号：KR100825804B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020070015093
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: A CMOS image sensor and a method for manufacturing the same are provided to increase an optical charge generation region by using a transparent transfer gate. A photodiode(110) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(102). A transfer gate(132) including a transparent material is formed on the semiconductor substrate of one side of the photodiode to draw optical charges accumulated in the photodiode. A floating diffusion region(114) is opposite to the photodiode and is formed within the semiconductor substrate of one side of the transfer gate to receive the optical charges. A channel region(120) is formed under the transfer gate and comes in contact with one side of the photodiode to transfer the optical charges.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器及其制造方法，以通过使用透明传输门来增加光电荷产生区域。 在半导体衬底（102）的上表面上形成光电二极管（110）。 在光电二极管的一侧的半导体衬底上形成包括透明材料的传输门（132），以吸收在光电二极管中累积的光电荷。 浮动扩散区域（114）与光电二极管相对，并且形成在传输门的一侧的半导体衬底内以接收光电荷。 沟道区域（120）形成在传输栅极下方并与光电二极管的一侧接触以转移光电荷。
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公开(公告)号：KR1020080016067A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060077666
申请日：2006-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14689
Abstract: An image sensor having a photodiode with an n-well and a manufacturing method thereof are provided to increase a junction depth of the photodiode by forming the n-well before a depth n-type impurity region is formed. An active region defined by an isolation layer is disposed in a semiconductor substrate(1) having a p-well(PW). A transmission gate electrode(TG) is disposed to cross the active region on the semiconductor substrate. A shallow p-type impurity region(PPD) is disposed in the active region at one side of the transmission gate electrode. A deep n-type impurity region(NPD) is disposed under the shallow p-type impurity region. An n-well(NW) is diposed under the n-type impurity region to have a region shallower than the n-type impurity region.
Abstract translation: 提供具有n阱的光电二极管及其制造方法的图像传感器，以在形成深度n型杂质区之前通过形成n阱来增加光电二极管的结深度。 由隔离层限定的有源区域设置在具有p阱（PW）的半导体衬底（1）中。 传输栅电极（TG）设置成与半导体衬底上的有源区交叉。 在传输栅电极的一侧的有源区域中设置浅的p型杂质区（PPD）。 深的n型杂质区（NPD）设置在浅的p型杂质区域的下方。 在n型杂质区域下面放置n阱（NW），使其具有比n型杂质区域浅的区域。
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公开(公告)号：KR101861765B1
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：KR1020110019001
申请日：2011-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B3/0018 , G02B3/0056 , G02B13/14 , G02B23/14 , G03F7/40
Abstract: 깊이픽셀이개시된다. 상기깊이픽셀은, 입사광을집광하는포토레지스트(photoresist)를포함하는마이크로렌즈, 상기마이크로렌즈에의해집광된입사광의파장들중에서적외선영역의파장들을통과시키는적외선필터, 상기적외선필터에의해통과된적외선영역의파장들에응답하여광전하를생성하는광전변환소자및 상기적외선필터와상기광전변환소자사이에형성되는배선층을포함하고, 상기포토레지스트의점도는 150cp ~ 250cp이다..
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公开(公告)号：KR101503682B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020080036375
申请日：2008-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 공유 픽셀형 이미지 센서가 제공된다. 공유 픽셀형 이미지 센서는 반도체 기판 내에 형성된 플로팅 확산 영역, 상기 반도체 기판 내에 일 방향으로 인접하여 형성된 제1 및 제2 광전 변환 영역, 상기 제1 및 제2 광전 변환 영역에 축전된 전하를 상기 플로팅 확산 영역으로 각각 전송하는 두개의 전송 소자, 상기 플로팅 확산 영역의 전하를 출력하는 드라이브 소자, 상기 플로팅 확산 영역 상에 형성된 제1 콘택, 상기 드라이브 소자 상에 형성된 제2 콘택 및 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택을 연결하여 상기 플로팅 확산 영역과 상기 드라이브 소자를 전기적으로 연결하되, 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택의 상면보다 낮은 높이에 형성된 국부 배선을 포함한다.
공유 픽셀 이미지 센서, 국부 배선
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