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公开(公告)号：KR1020120081315A
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：KR1020110002592
申请日：2011-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A light emitting device module using a plurality of phosphor plates and a display device using the same are provided to obtain white light with a high output by combining a plurality of chips to emit the white light. CONSTITUTION: A plurality of light emitting device chips(110) discharge excitation light source. A plurality of phosphor plates(120) are combined by using different phosphors. A current path(130) applies a current to the plurality of light emitting device chips. The plurality of phosphor plates are formed on the light emitting chip. The plurality of the light emitting device chips are individually or simultaneously driven by the current unit.
Abstract translation: 目的：提供使用多个荧光体板的发光装置模块和使用该荧光体板的显示装置，通过组合多个芯片以发出白光，获得具有高输出的白光。 构成：多个发光器件芯片（110）放电激发光源。 通过使用不同的荧光体来组合多个荧光体板（120）。 电流路径（130）向多个发光器件芯片施加电流。 多个荧光体板形成在发光芯片上。 多个发光器件芯片由当前单元单独或同时驱动。
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公开(公告)号：KR1020110094704A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100014261
申请日：2010-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/50 , F21K9/60 , F21V9/40 , F21V15/01 , F21V23/003
Abstract: PURPOSE: A light emitting device package and a lighting device with the same are provided to emit light of various colors by replacing a light conversion plate in the light emitting device package, thereby emitting various light emitting colors by a single light emitting device package. CONSTITUTION: A main body(10) includes a cavity(11) and a receiving groove(13). A light emitting device(20) is arranged in the cavity. A light converting unit(30) is arranged on a light route. The light converting unit includes at least one light converting plate(31,32,33). A driving unit rotates the light converting unit so that the light converting unit is included in the receiving groove.
Abstract translation: 目的：通过更换发光器件封装中的光转换板，提供发光器件封装和具有该发光器件封装的发光器件以发射各种颜色的光，从而通过单个发光器件封装发射各种发光颜色。 构成：主体（10）包括空腔（11）和容纳凹槽（13）。 发光器件（20）布置在空腔中。 光转换单元（30）布置在光路上。 光转换单元包括至少一个光转换板（31,32,33）。 驱动单元使光转换单元旋转，使得光转换单元包括在接收槽中。
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公开(公告)号：KR1020100020444A
公开(公告)日：2010-02-22
申请号：KR1020090074275
申请日：2009-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/7729 , C09K11/7734 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a β-sialon phosphor is provided to prepare high brightness β-sialon phosphor using some or whole silicon and to control the grain property of a phosphor. CONSTITUTION: A method for preparing a β-sialon phosphor represented by chemical formula: Si_(6-x)Al_xO_yN_(6-y):Ln_z comprises the steps of: mixing a parent raw material with an activator raw material activating the parent to prepare a raw material mixture, wherein the parent raw material contains a silicon raw material including a metallic silicon and an aluminum raw material consisting of any one of metal aluminum and aluminum compound; and heating the raw material mixture in a nitrogen-containing atmosphere.
Abstract translation: 目的：提供一种制备β-赛隆荧光体的方法，以制备使用一些或全部硅的高亮度β-赛隆荧光体并控制荧光体的晶粒性质。 构成：由化学式Si_（6-x）Al_xO_yN_（6-y）：Ln_z表示的β-赛隆荧光体的制备方法包括以下步骤：将母料与活化母体的活化剂原料混合以制备 原料混合物，其中母体原料含有包含金属硅的硅原料和由金属铝和铝化合物中的任一种组成的铝原料; 并在含氮气氛中加热原料混合物。
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公开(公告)号：KR100630672B1
公开(公告)日：2006-10-02
申请号：KR1020000084159
申请日：2000-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 류정호
IPC: H01L29/78
Abstract: CMOS 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는, 반도체 기판의 제1 영역과 제2 영역상에 게이트 절연막을 개재시켜 단면이 T자형인 폴리실리콘 게이트 패턴을 각각 형성한다. 게이트 패턴이 형성된 제1 영역상에만 제1 도전형 불순물을 경사 이온 주입(tilted ion implantation)하여 게이트 패턴 양측의 제1 영역 표면에 제1 농도의 제1 도전형 제1 불순물 영역을 형성한다. 이어서, 제1 영역상에만 제1 도전형 불순물을 수직 이온 주입하여 제1 불순물 영역의 일부에 제1 농도보다 높은 제2 농도의 제1 도전형 제2 불순물 영역을 형성한다. 제2 불순물 영역이 형성된 반도체 기판을 1차 열처리하여 제1 소스/드레인 영역과 제1 게이트 전극을 형성한다. 다음에, 게이트 패턴이 형성된 제2 영역상에만 제2 도전형 불순물을 경사 이온 주입하여 게이트 패턴 양측의 제2 영역 표면에 제3 농도의 제2 도전형 제3 불순물 영역을 형성한다. 이어서, 제2 영역상에만 제2 도전형 불순물을 수직 이온 주입하여 제3 불순물 영역의 일부에 제3 농도보다 높은 제4 농도의 제2 도전형 제4 불순물 영역을 형성한다. 제4 불순물 영역이 형성된 반도체 기판을 2차 열처리하여 제2 소스/드레인 영역과 제2 게이트 전극을 형성한다.
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公开(公告)号：KR100594262B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040014955
申请日：2004-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/372 , H01L29/78 , G11C11/4074
CPC classification number: H01L27/14806
Abstract: 본 발명은 안정된 특성을 보이는 바이어스 전압을 출력할 수 있는 바이어스 회로, 이를 구비한 고체 촬상 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 바이어스 회로는, 제1 전위와 제2 전위의 사이에 직렬 접속된 적어도 하나의 트랜지스터와 비휘발성 메모리 소자를 포함하고, 상기 트랜지스터와 비휘발성 메모리 소자의 접점으로부터 바이어스 전압을 얻게 한 것이다. 비휘발성 메모리 소자는 외부 바이어스에 의해 채널 퍼텐셜을 조절하여 고정할 수 있다. 특히, 멀티플 게이트 트랜지스터 타입의 비휘발성 메모리 소자는 플로팅 게이트에 전하를 주입하여 프로그래밍하고 다시 플로팅 게이트의 전하를 터널링 현상을 이용하여 삭제하는 원리에 의한다. 본 발명은 이러한 비휘발성 메모리 소자를 이용하여 문턱 전압을 조절, 고정하고 이를 바이어스를 가하는 회로에 삽입하여 사용한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050061311A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020040103635
申请日：2004-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/341 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14614 , H01L27/14643
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a signal charge converter for a charge transfer element. SOLUTION: The signal converter includes a first driver FET of a first stage that receives a signal charge and converts the signal charge to a voltage. Subsequent driver FETs are connected to an output of the first driver FET, and gate insulating films of subsequent drivers include reduced thicknesses. The subsequent driver FETs constitute a second stage or a third stage. The reduced thicknesses of the gate insulating films of the subsequent driver FETs increase a voltage gain AV total without decreasing charge transfer efficiency, and raises the entire sensitivity of the signal converter. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
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公开(公告)号：KR101760788B1
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020100092633
申请日：2010-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H05B33/14 , H01L2924/00014
Abstract: 열적, 화학적안정성이우수하고, 높은발광효율을나타내는적색형광체로서, A(Sr, M)(Si, Al)ON:R(0
Abstract translation: （Si，Al）ON：R（0
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公开(公告)号：KR101717668B1
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020100027313
申请日：2010-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502
Abstract: 본발명의일 관점은, 적어도 M 원소와 Al 원소및 규소, 산소및 질소를함유한무기조성물이며, 상기무기조성물은적어도 2종의결정상을갖는입자를가지며, 상기적어도 2종의결정상은 MSiO결정과동일한제1 결정상과, β-사이알론(Sialon)결정인제2 결정상을포함하는복합결정형광체를제공한다. 여기서, M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로구성된그룹으로부터선택된적어도 1종의원소일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120104704A
公开(公告)日：2012-09-24
申请号：KR1020110022267
申请日：2011-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: Y02B20/181 , C09K11/643 , C09K11/0838 , H01L33/502 , H05B33/14
Abstract: PURPOSE: A green phosphor with superior color purity, a light emitting device with excellent color reproducibility and color rendering, a display device, and an illumination device are provided to enhance color purity and to obtain high brightness. CONSTITUTION: A green phosphor includes M element, Al element, silicon, oxygen and nitrogen as parent components and one or more rare earth materials as dopant. Here, M indicates one or more elements selected from a group consisting of Mg, Ca, Sr and Ba, and the rare earth element is selected from a group consisting of Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb. If the maximum intensity diffraction peak at the X-ray diffraction pattern is 100%, the relative intensity of 2Θ has the diffraction peak of greater than 20% in a range of 29.0-30.5 degrees and 31.0-31.5 degrees. [Reference numerals] (AA) Strength; (BB) Wave(nm)
Abstract translation: 目的：提供具有优异色纯度的绿色荧光体，具有优异的色彩再现性和显色性的发光装置，显示装置和照明装置，以提高色纯度和获得高亮度。 构成：绿色荧光体包括M元素，Al元素，硅，氧和氮作为母体成分和一种或多种稀土材料作为掺杂剂。 这里，M表示从由Mg，Ca，Sr和Ba组成的组中选择的一种或多种元素，稀土元素选自Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy， Ho，Er，Tm和Yb。 如果X射线衍射图中的最大强度衍射峰为100％，则在29.0-30.5度和31.0-31.5度的范围内，2θ的相对强度具有大于20％的衍射峰。 （附图标记）（AA）强度; （BB）波（nm）
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公开(公告)号：KR100678466B1
公开(公告)日：2007-02-02
申请号：KR1020050001338
申请日：2005-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14689
Abstract: 3D 전송트랜지스터를 구비하는 이미지 센서가 제공된다. 상기 이미지 센서는 반도체기판 내에 배치되어 제 1 활성영역 및 상기 제 1 활성영역으로부터 연장된 제 2 활성영역을 한정하는 소자분리막을 구비한다. 상기 제 1 활성영역 내의 일부영역에 포토다이오드(photodiode; PD)가 배치된다. 상기 포토다이오드(PD)와 이격되는 위치의 상기 제 2 활성영역 내에 플로팅확산영역(floating diffusion; FD)이 제공된다. 상기 포토다이오드(PD) 및 상기 플로팅확산영역(FD) 사이의 상기 제 2 활성영역 상에 전송게이트전극이 제공된다. 상기 전송게이트전극은 상기 제 2 활성영역의 양 측벽들 및 상부를 덮도록 배치된다. 또한, 상기 전송게이트전극은 상기 제 1 활성영역 상에 연장되어 상기 포토다이오드(PD)와 중첩되는 영역을 갖는다. 상기 포토다이오드(PD)는 상기 전송게이트전극과 마주치는 부분에서 상기 제 2 활성영역으로 침투하는 돌출부를 구비한다. 상기 돌출부에는 상기 포토다이오드(PD)의 깊은 n불순물영역이 연장된다. 상기 이미지 센서의 제조방법 또한 제공된다.
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