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公开(公告)号：KR100791331B1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060006449
申请日：2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7885
Abstract: 비휘발성 메모리 장치가 제공된다. 비휘발성 메모리 장치는 반도체 기판 내에 형성된 소스 영역과, 소스 영역과 일부 오버랩되도록 형성된 게이트 절연막과, 소스 영역과 오버랩되는 영역에서 전계가 일정하게 형성되도록 하는 구조를 가지며. 게이트 절연막 상부에 형성된 플로팅 게이트와, 플로팅 게이트 상부로부터 플로팅 게이트의 일측벽을 따라 절연되어 형성된 컨트롤 게이트와, 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이에 개재된 게이트간 절연막 및 컨트롤 게이트의 타측과 인접하여 형성된 드레인 영역을 포함한다.
비휘발성 메모리 소자, 플로팅 게이트-
公开(公告)号：KR100607942B1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1019990050464
申请日：1999-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 적어도 하나 이상의 광을 동시에 출사할 수 있도록 된 광원과, 광원과 광디스크 사이의 광경로 상에 배치되어 입사광의 진행경로를 변환하는 광경로변환수단과, 광디스크의 회전에 의해 발생하는 공기동압에 의해 부상된 채로 광디스크 상에서 움직이는 슬라이더에 설치되어 광원에서 출사되고 광경로변환수단을 경유하여 입사되는 광을 집속시켜 광디스크에 맺히도록 하는 대물렌즈와, 광경로변환수단 일측에 배치되어 광디스크에서 반사되고 대물렌즈 및 광경로변환수단을 경유하여 입사되는 광을 수광하는 광검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기록재생용 광헤드 및 이를 채용한 광기록재생장치가 개시되어 있다.
이러한 광헤드 및 광기록재생장치는, 적어도 하나 이상의 트랙을 동시에 기록 및/또는 재생하므로 고속의 기록 및/또는 재생속도를 실현할 수 있다.Abstract translation: 至少在同一时间被设置在一个或多个光的光源和在所述光源和所述光盘的出射部通过的光路的旋转改变装置和光盘产生的空气动力压力，用于将所述入射的光的行进路径之间的光路 物镜，设置在滑块上并在会聚时在光盘上移动，并且从光源发射并通过光路改变装置会聚在光盘上以便会聚在光盘上; 以及用于接收经由光路改变装置入射的光的光学检测器，以及采用该光学头的光学记录和再现设备。
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公开(公告)号：KR100561457B1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1019990022918
申请日：1999-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 문정호
IPC: G11B7/09
Abstract: 다층 광디스크 드라이버의 제어 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 다층 디스크에 정보를 기록하거나 기록된 정보를 재생할 때 필요한 각 정보 저장층간의 포커스 점프 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 다층 디스크 드라이버의 포커스 점프 방법은 포커스 점프 명령이 내려지면 포커스 제어 루프를 연 다음 대물 렌즈를 목표 레이어 방향으로 가속시키는 가속 과정; 포커스 오차 신호의 값이 소정의 제1기준값(PC_END)이 되도록 상기 대물 렌즈를 이동시키는 위치 제어 과정; 및 포커스 오차 신호의 값이 소정의 제1기준값(PC_END)이 되면 대물 렌즈를 감속시키고, 포커스 오차 신호의 값이 소정의 제2기준값(JUMP_END)이 되면 포커스 제어 루프를 닫아 포커스 점프를 종료하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 포커스 점프 방법은 피드백 제어의 개념을 적용함으로써 디스크의 회전에 의해 발생하는 디스크의 면진동이 존재하더라도 레이어간의 대물 렌즈 이동을 안정하게 할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR100532352B1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020030057771
申请日：2003-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11539
Abstract: 메모리 소자와 로직 회로가 머지된 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 개시되어 있다. 상기 반도체 장치는 메모리 셀 영역과 로직 영역으로 구분된 기판에서, 상기 메모리 셀 영역 상에 형성된 스프릿 게이트 전극 구조물과, 상기 스프릿 게이트 전극 구조물 및 기판 표면에 형성된 실리콘 산화막과, 상기 실리콘 산화막이 형성되어 있는 스프릿 게이트 전극 구조물의 양측면에 구비되고, 하부 측면이 상부 측면에 비해 측방으로 돌출된 형상을 갖는 워드 라인 및 상기 로직 영역에 형성되고, 상기 워드 라인의 채널 길이에 비해 얇은 두께를 갖는 로직 게이트 패턴을 포함한다. 상기 워드 라인의 하부 측면이 돌출되어 채널 길이를 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010035781A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990042507
申请日：1999-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/09
Abstract: PURPOSE: A method and an optical pick-up device for recording servo signal in an optical recorder are provided to write servo signal wobbling types between adjacent tracks to be similar to each other so as for a beam spot formed on a track of an optical recorder not to affect adjacent tracks during recording in a narrow track. CONSTITUTION: A servo signal recording source records a servo signal in a plurality of tracks constituting an optical recorder. A servo signal optical source emits a light by itself. A servo signal beam spot is emitted from the servo signal recording source and is formed on a track of Tn+1. A tracking beam spot is formed on a track of Tn on which the servo signal is already recorded. An optical track shifting unit shifts a track of an incident light. An object lens focuses the incident light, whereby lights emitted from the servo signal recording source and the tracking light emitting unit are formed on Tn+1 and the track Tn. An optical detector detects the servo signal and a tracking error signal by receiving the light reflected from the optical recorder.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在光学记录器中记录伺服信号的方法和光学拾取装置，以在相邻轨道之间写入彼此相似的伺服信号摆动类型，以便形成在光学记录器的轨道上的光束点 不要影响在窄轨道录制过程中的相邻轨道。 构成：伺服信号记录源将伺服信号记录在构成光记录器的多个轨道中。 伺服信号光源自身发光。 从伺服信号记录源发出伺服信号光点，形成在Tn + 1的轨道上。 跟踪光点形成在已经记录有伺服信号的Tn的轨道上。 光轨移动单元移动入射光的轨迹。 物镜对入射光进行聚焦，由此在Tn + 1和轨道Tn上形成从伺服信号记录源和跟踪发光单元发出的光。 光学检测器通过接收从光学记录器反射的光来检测伺服信号和跟踪误差信号。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100812237B1
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020060081082
申请日：2006-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11539 , H01L21/28273 , H01L21/31144
Abstract: A method for manufacturing an embedded flash memory device is provided to enhance the reliability of the embedded flash memory device by preventing deterioration of logic conformity in a logic region. A first region and a second region are defined on a semiconductor substrate(110). A floating gate structure is formed to interpose a first gate insulating layer pattern(114a) into the first region. A second gate insulating layer(125) is formed on the semiconductor substrate of the first region and the second region including the floating gate structure. A well is formed within the semiconductor substrate of the second region including the second gate insulating layer. The first and the second region correspond to a flash memory cell region and a logic region. The logic region includes a low voltage region and a high voltage region. The second gate insulating layer of the high voltage region is thicker than a first gate insulating layer pattern.
Abstract translation: 提供一种用于制造嵌入式闪速存储器件的方法，以通过防止逻辑区域中逻辑一致性的恶化来增强嵌入式闪存器件的可靠性。 第一区域和第二区域被限定在半导体衬底（110）上。 形成浮置栅极结构以将第一栅极绝缘层图案（114a）插入到第一区域中。 第二栅极绝缘层（125）形成在第一区域的半导体衬底上，而第二区域包括浮动栅极结构。 在包括第二栅极绝缘层的第二区域的半导体衬底内形成阱。 第一和第二区域对应于闪存单元区域和逻辑区域。 逻辑区域包括低电压区域和高电压区域。 高电压区域的第二栅极绝缘层比第一栅极绝缘层图案厚。
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公开(公告)号：KR1020070076934A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：KR1020060006449
申请日：2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7885 , H01L27/11519
Abstract: A nonvolatile memory device and its manufacturing method are provided to reduce damage of the nonvolatile memory device due to ion implantation for forming a source region by minutely patterning a floating gate in a small size. A source region(260) is formed in a semiconductor substrate(100). A part of a gate dielectric is overlapped with the source region. A floating gate(220) is formed on an upper portion of the gate dielectric. Electric field of the floating gate is constantly formed on the region overlapped with the source region. A control gate(250) is formed to be insulated from an upper portion of the floating gate along a sidewall of the floating gate. An intergate dielectric is disposed between the floating gate and the control gate. A drain region(270) is formed in the proximity of the other side of the control gate. A side of the floating gate adjacent to the source region has a curvature smaller than the other side of the floating gate.
Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件及其制造方法，用于通过用于通过以小尺寸精细构图浮栅来形成源极区域而减少由于离子注入引起的非易失性存储器件的损坏。 源区域（260）形成在半导体衬底（100）中。 栅极电介质的一部分与源极区域重叠。 在栅极电介质的上部形成浮栅（220）。 在与源极区域重叠的区域上，恒定地形成浮栅的电场。 控制栅极（250）形成为沿着浮动栅极的侧壁与浮动栅极的上部绝缘。 隔栅电介质设置在浮置栅极和控制栅极之间。 在控制栅极的另一侧附近形成漏区（270）。 与源极区域相邻的浮动栅极的一侧具有小于浮动栅极的另一侧的曲率。
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公开(公告)号：KR1020050100058A
公开(公告)日：2005-10-18
申请号：KR1020040025225
申请日：2004-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/823437 , H01L29/788
Abstract: 부유게이트의 모양을 변경하는 스플리트 게이트(split-gate)형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판에 드레인영역 및 소스영역이 형성되어 있다. 그리고, 상기 반도체 기판 상면에 형성되어 있고, 적어도 일 측면에 등방성 프로파일을 갖는 부유게이트 전극과 상기 부유게이트 전극의 등방성 프로파일을 따라 일 측에 형성된 스페이서 모양의 인터폴리 절연막이 형성되어 있다. 그리고, 상기 인터폴리 절연막 및 상기 인터폴리 절연막에 인접한 반도체 기판 상면을 덮도록 형성되어 있는 제어게이트 전극을 포함하는 스플리트 게이트형 비휘발성 메모리 소자와 그 형성방법에 관한 것이다. 이로써, 부유게이트에 유기 되는 전압을 상승시켜 반도체 칩 내에서 고용량의 전압 펌프 회로를 형성하는데 필요한 점유면적을 줄이게 되어 고집적화, 고속화 및 저소비전력화를 이루는데 유익하다.
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公开(公告)号：KR1020050020104A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030057771
申请日：2003-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11539
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to minimize defects due to reduction of a channel length of a word line by controlling the channel length of the word line independent of a thickness of a logic gate electrode. CONSTITUTION: A split gate electrode structure is formed on a memory cell region of a substrate(100) including the memory cell region and a logic region. A silicon oxide layer(132) is formed on the split gate electrode structure and a surface of the substrate(100). A word line(150) is formed on both sides of the split gate electrode structure on which the silicon oxide layer is formed. A bottom side of the word line(150) is projected relatively to the lateral direction in comparison with a top aide of the word line(150). A logic gate pattern is formed on the logic region of the substrate(100). The logic gate pattern has a thickness thinner than a length of a channel of the word line(150).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过独立于逻辑栅电极的厚度来控制字线的沟道长度来最小化由于字线的沟道长度的减小引起的缺陷。 构成：在包括存储单元区域和逻辑区域的衬底（100）的存储单元区域上形成分离栅电极结构。 在分割栅电极结构和基板（100）的表面上形成氧化硅层（132）。 在形成有氧化硅层的分割栅电极结构的两面上形成字线（150）。 与字线（150）的顶侧相比，字线（150）的底侧相对于横向方向投影。 在基板（100）的逻辑区域上形成逻辑门图案。 逻辑门图案具有比字线（150）的通道的长度更薄的厚度。
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