公开(公告)号：KR1020170066080A

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020150172658

申请日：2015-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  김기철 ,  김언기 ,  문평 ,  이재현 ,  이한기

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68757

Abstract: 본발명은배플플레이트, 플라스마챔버, 및기판처리방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는기판이안착될수 있는서셉터(susceptor); 및상기서셉터를둘러싸고반응공간을정의하는챔버하우징을포함하는플라스마챔버를제공한다. 상기플라스마챔버는상기서셉터의주위를환상(環狀)으로둘러싸는배플플레이트를포함할수 있다. 상기배플플레이트는도전성물질의제 1 층및 비도전성물질의제 2 층을포함하고, 상기제 2 층이상기제 1 층보다상기반응공간에더 가까이위치할수 있다. 본발명의배플플레이트를이용하면아크발생이방지되거나현저하게감소하여파티클오염이줄어들고, 또한더 높은파워를인가할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 挡板，等离子体室和基板处理方法技术领域本发明涉及挡板，等离子体室和基板处理方法，并且更具体地涉及挡板，等离子体室和基板处理方法。 还有一个包围感受器并限定反应空间的腔室。 等离子体室可以包括环形地围绕感受器的挡板。 挡板可以包括第一层导电材料和第二层非导电材料，并且可以比覆盖基层的第二层更靠近反应空间。 当使用本发明的挡板时，防止或显着减少电弧产生，从而减少颗粒污染并且可以施加更高的功率。

公开(公告)号：KR1020170066081A

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020150172659

申请日：2015-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  김기철 ,  김언기 ,  문평 ,  이선영 ,  이용훈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01J37/32871 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은수소플라스마어닐링처리준비방법, 수소플라스마어닐링처리방법, 및수소플라스마어닐링장치에관한것으로서, 수소플라스마처리의전단계로서반응챔버내부의절연성부품들의표면을패시베이션시키는단계를포함하는방법을제공한다. 이때, 상기패시베이션시키는단계는, 상기반응챔버내부로질소계처리가스를도입하는단계; 및플라스마발생장치를이용하여상기반응챔버내부의상기질소계처리가스를여기시키는단계를포함한다. 본발명은절연성부품들을보호하고기판의파티클오염을현저히줄일수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种方法，包括钝化的为氢等离子体处理的前级涉及氢等离子体退火工艺制备方法，氢等离子体退火处理和氢等离子体退火装置的反应室中的绝缘部分的表面的步骤 。 钝化可以包括将含氮工艺气体引入到反应室中， 以及使用等离子体发生器激发反应室内的气相处理气体的步骤。 本发明具有保护绝缘部件并显着降低基板的颗粒污染的效果。