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公开(公告)号：KR102236740B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020140101984A
申请日：2014-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 식품의 보존성능을 향상시킬 수 있도록 개선된 구조를 가지는 냉장고를 개시한다. 냉장고는 전면(前面)이 개방되도록 마련되는 저장실, 출납 가능하도록 상기 저장실의 내부에 마련되는 수납부재, 상기 수납부재의 수납공간을 선택적으로 개폐할 수 있도록 상기 수납부재에 결합되는 수납부재커버 및 상기 수납부재커버의 움직임을 가이드하고, 상기 수납부재커버의 움직임에 따라 상기 수납부재의 수납공간의 밀폐여부를 조절할 수 있도록 단차를 가지는 레일을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160135010A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020150067546
申请日：2015-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/7849
Abstract: 반도체소자는, 기판상에제공되고일 방향으로연장되는핀 구조체, 상기핀 구조체를가로지르는게이트전극, 상기게이트전극양 측의상기핀 구조체상에제공되는소스/드레인영역들, 및상기소스/드레인영역들의각각과상기핀 구조체사이의배리어층을포함한다. 상기핀 구조체는상기기판과다른격자상수를갖는물질을포함한다. 상기핀 구조체, 상기소스/드레인영역들, 및상기배리어층은게르마늄을포함한다. 상기배리어층내 게르마늄농도는상기핀 구조체내 게르마늄농도보다크고, 상기소스/드레인영역들각각내 게르마늄의최대농도보다작다.
Abstract translation: 半导体器件包括在衬底上并沿第一方向延伸的翅片结构，在翅片结构上交叉的栅电极，在栅电极的相对侧的翅片结构上的源/漏区和鳍结构之间的阻挡层 和源极/漏极区域中的每一个。 翅片结构包括具有与衬底的晶格常数不同的晶格常数的材料，鳍结构，源/漏区和阻挡层包括锗，并且阻挡层中的锗浓度大于翅片结构中的锗浓度 并且在每个源极/漏极区域中小于最大锗浓度。
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公开(公告)号：KR1020160125208A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150056097
申请日：2015-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/41791
Abstract: 기판상에서로평행하게연장하는핀 액티브영역들, 상기핀 액티브영역들을정의하는아이솔레이션영역, 상기핀 액티브영역들과수직으로교차하고서로평행하게연장하는게이트패턴들, 상기게이트패턴들사이의상기핀 액티브영역들상의소스/드레인영역들및 상기핀 액티브영역들의측면들과접하고, 상기핀 액티브영역들사이의상기아이솔레이션영역의표면을덮는핀 액티브스페이서들을포함하고, 상기핀 액티브스페이서들의최상부레벨들은상기핀 액티브영역들과상기소스/드레인영역들간의경계면들보다높고, 및상기아이솔레이션영역의표면은상기소스/드레인영역들의하면들보다낮은반도체소자가설명된다.
Abstract translation: 半导体器件可以包括在衬底上彼此平行延伸的翅片有源区域，翅片有源区域之间的隔离区域，与翅片有源区域相交并且彼此平行延伸的栅极图案，翅片有源区域之间的源极/漏极区域在 所述栅极图案和鳍状有源区间隔物接触所述翅片有源区域的侧表面并形成在所述鳍片活动区域之间的所述隔离区域的表面上。 翅片有源区间隔物的最上层可以高于翅片有源区和源极/漏极区之间的界面。 隔离区域的上表面可以低于源/漏区域的底表面。
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公开(公告)号：KR200464312Y1
公开(公告)日：2012-12-24
申请号：KR2020070018838
申请日：2007-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 냉장고가 개시된다. 본 고안의 냉장고는, 도어에 의하여 개폐되는 저장실과, 저장실 내부의 저장실을 이루는 벽면 중 어느 일벽면에 마련되되 폭에 비하여 높이가 긴 직육면체형상으로 형성되어 인출입되는 수납부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 고안에 의하면, 저장실 내부에 마련되는 세로로 긴 수납부를 포함하여 음료용기와 같은 저장물의 보관 및 인출입을 용이하게 할 수 있음은 물론 수납부를 저온으로 유지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102236740B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020140101984
申请日：2014-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 식품의보존성능을향상시킬수 있도록개선된구조를가지는냉장고를개시한다. 냉장고는전면(前面)이개방되도록마련되는저장실, 출납가능하도록상기저장실의내부에마련되는수납부재, 상기수납부재의수납공간을선택적으로개폐할수 있도록상기수납부재에결합되는수납부재커버및 상기수납부재커버의움직임을가이드하고, 상기수납부재커버의움직임에따라상기수납부재의수납공간의밀폐여부를조절할수 있도록단차를가지는레일을포함할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170122930A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160051912
申请日：2016-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L29/0649 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 반도체장치는기판상에형성된액티브핀, 상기액티브핀 상에형성된게이트구조물, 상기게이트구조물의측벽에직접접촉하며, 순차적으로적층된실리콘산탄질화(SiOCN) 패턴및 실리콘산화(SiO) 패턴을포함하는게이트스페이서구조물, 및상기게이트스페이서구조물에인접한상기액티브핀 상에형성된소스/드레인층을포함할수 있다.
Abstract translation: 包括有源销以及在所述栅极结构的有源销，以及与所述栅极结构的侧壁的直接接触半导体器件中，形成在基板上形成的硅粒料氮化物（SiOCN）图案和硅氧化物（SiO）依次层叠图案 栅极间隔件结构以及形成在与栅极间隔件结构相邻的有源针脚上的源极/漏极层。
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公开(公告)号：KR1020170091434A
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020160012452
申请日：2016-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76895 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L23/5329 , H01L23/535 , H01L29/7855 , H01L29/7856
Abstract: 집적회로소자는게이트라인과, 게이트라인의양 측에서활성영역에형성된한 쌍의소스/드레인영역과, 상기한 쌍의소스/드레인영역중 적어도하나의소스/드레인영역위에형성된콘택플러그와, 게이트라인과콘택플러그와의사이에개재되는다중층구조의절연스페이서를포함한다. 다중층구조의절연스페이서는산화막과, 산화막중 게이트라인에대면하는표면을덮는제1 탄소함유절연막과, 산화막중 콘택플러그에대면하는표면을덮는제2 탄소함유절연막을포함한다.
Abstract translation: 集成电路器件包括栅极线，在栅极线两侧的有源区中形成的一对源极/漏极区，在该对源极/漏极区的至少一个源极/漏极区上形成的接触插塞， 并且具有介于线路和接触插塞之间的多层结构的绝缘隔离物。 具有多层结构的绝缘衬垫包括氧化膜，覆盖与氧化膜的栅极线相对的表面的第一含碳绝缘膜以及覆盖氧化膜的面对接触插塞的表面的第二含碳绝缘膜。
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公开(公告)号：KR101697113B1
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020100087207
申请日：2010-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D11/006 , F25D25/02
Abstract: 축냉장치를구비하는냉장고를개시한다. 냉장고는캐비닛;과상기캐비닛의내부에마련되는저장실;과상기저장실에배치되는축냉장치;를포함하고, 상기축냉장치는적어도하나의열전달판을포함하는케이스와, 상기케이스의내부에수용되고상기적어도하나의열전달판과접촉하도록배치되는축냉팩을포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 具有冰蓄热装置的冰箱。 冰箱包括柜体，定义在机柜中的储藏室和放置在储藏室中的冰蓄热装置。 冰蓄热装置包括壳体，其包括至少一个传热板和容纳在壳体中并布置成与至少一个传热板接触的冰蓄热组件。
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公开(公告)号：KR2020090005085U
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR2020070018838
申请日：2007-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D25/024 , F25D25/027 , F25D2325/021
Abstract: 냉장고가 개시된다. 본 고안의 냉장고는, 도어에 의하여 개폐되는 저장실과, 저장실 내부의 저장실을 이루는 벽면 중 어느 일벽면에 마련되되 폭에 비하여 높이가 긴 직육면체형상으로 형성되어 인출입되는 수납부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 고안에 의하면, 저장실 내부에 마련되는 세로로 긴 수납부를 포함하여 음료용기와 같은 저장물의 보관 및 인출입을 용이하게 할 수 있음은 물론 수납부를 저온으로 유지할 수 있다.
Abstract translation: 冰箱启动。 本主题创新的冰箱是由门来打开和关闭在储藏室所提供的doedoe和壁中的任一个壁表面形成形成为长矩形形状的高度大于宽度的特征在于包括一外壳，存储腔室内部的存储室，其被拉出口 。 根据本发明，可以通过包括一个长垂直设置在储藏室内口，以促进水的储存贮存和起飞，如饮料容器当然可以保持在存储单元中的温度来调节。
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公开(公告)号：KR1020170090092A
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020160010528
申请日：2016-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/423 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L23/5283 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/66439 , H01L29/7831
Abstract: 반도체장치및 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판상에, 상기기판과이격되는제1 와이어패턴, 상기제1 와이어패턴을감싸고, 상기제1 와이어패턴과교차하는게이트전극, 상기제1 와이어패턴의양 측에배치되는반도체패턴, 상기게이트전극과상기제1 와이어패턴사이에, 상기제1 와이어패턴을감싸는게이트절연막및 상기제1 와이어패턴및 상기기판사이와, 상기게이트절연막과상기반도체패턴사이에배치되는제1 스페이서를포함하고, 상기반도체패턴의일부는상기제1 와이어패턴과수직적으로중첩된다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。 半导体器件包括：与衬底间隔开的第一布线图案;栅电极，围绕第一布线图案并与第一布线图案相交;半导体图案，布置在第一布线图案的两侧; 围绕第一布线图案的栅极绝缘膜以及设置在第一布线图案和衬底之间以及栅极绝缘膜和栅极电极和第一布线图案之间的半导体图案之间的第一间隔物 并且一部分半导体图案与第一线图案垂直重叠。
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