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公开(公告)号：KR1020080015169A
公开(公告)日：2008-02-19
申请号：KR1020060076526
申请日：2006-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32192
Abstract: A method and apparatus for ashing an object is provided to maintain the electrical reliability of a semiconductor device by removing a hardened photoresist pattern while not removing a polysilicon layer almost. A first reaction gas is converted into plasma(S230), and then the plasma is reacted with a second reaction gas to generate radicals(S250). An object is ashed using the radicals and the plasma(S260). The first reaction gas is converted into the plasma using a microwave, and the step of converting the first reaction gas into the plasma includes converting a nitrogen gas into nitrogen plasma. The second reaction gas includes at least one of a trifluoromethane gas, a chlorine gas, a nitrogen trifluoride gas and a hydrogen bromide gas.
Abstract translation: 提供了用于灰化物体的方法和装置，以通过去除硬化的光致抗蚀剂图案而保持半导体器件的电可靠性，同时几乎不去除多晶硅层。 将第一反应气体转化为等离子体（S230），然后使等离子体与第二反应气体反应以产生自由基（S250）。 使用自由基和等离子体对物体进行灰化（S260）。 使用微波将第一反应气体转化为等离子体，将第一反应气体转换成等离子体的步骤包括将氮气转化为氮气等离子体。 第二反应气体包括三氟甲烷气体，氯气，三氟化氮气体和溴化氢气体中的至少一种。
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公开(公告)号：KR1020040005498A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020020040074
申请日：2002-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to completely eliminate a photoresist mask and residue like polymer from a substrate without an additional photoresist strip process by using a dry ashing process only. CONSTITUTION: A photoresist mask pattern is formed on the substrate. A circuit pattern is formed on the substrate by using a photoresist pattern as a mask. After a chemical ashing process using plasma and a physical ashing process using active ions are simultaneously performed, a chemical ashing process using plasma is performed to remove the photoresist pattern from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以便仅通过使用干灰化工艺从基板上完全消除光致抗蚀剂掩模和残余物如聚合物，而无需另外的光致抗蚀剂剥离工艺。 构成：在基板上形成光刻胶掩模图形。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模在基板上形成电路图案。 在使用等离子体进行化学灰化处理和使用活性离子的物理灰化过程之后，执行使用等离子体的化学灰化处理以从衬底去除光致抗蚀剂图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080075734A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070015032
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/32715 , H01L21/68721
Abstract: A process chamber is provided to compensate for a distortion of a sheath boundary by horizontally forming the sheath boundary on a surface of a substrate. A process chamber includes a plate(100) and an upper ring(104). The plate is placed on a substrate. The upper ring is installed around the plate and has a main surface. A relative height between the main surface of the upper ring and a main surface of the plate is changed. The plate is fixed, while a height of the upper ring is adjustable. A ring lift pin(106) is connected to a lower portion of the upper ring to support the upper ring. The ring lift pin elevates the upper ring in upward and downward directions. At least two lift pins are connected to the upper ring. The lift pins are connected to the upper ring with a constant distance from each other.
Abstract translation: 提供处理室以通过在基板的表面上水平地形成护套边界来补偿护套边界的变形。 处理室包括板（100）和上环（104）。 将板放置在基板上。 上环安装在板上并具有主表面。 改变上环的主表面和板的主表面之间的相对高度。 板固定，上环的高度可调。 环提升销（106）连接到上环的下部以支撑上环。 环形提升销沿上下方向提升上环。 至少两个提升销连接到上环。 升降销以相互间隔一定的距离连接到上环。
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公开(公告)号：KR1020040074267A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：KR1020030009790
申请日：2003-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus having a rotating chuck is provided to improve uniformity of a wafer process by rotating a chuck for fixing a wafer. CONSTITUTION: A rotating chuck(10) is installed in an inside of a process chamber in order to fix and rotate a wafer(20). A rotation unit is installed in the inside of the process chamber in order to rotate the rotating chuck. The rotation unit includes a rotary shaft(30) and a rotary power device(40). The rotary shaft is connected to the rotating chuck. The rotary power device is connected to the rotary shaft in order to provide the rotary power. The rotation unit further includes a roller connected to the rotating chuck.
Abstract translation: 目的：提供具有旋转卡盘的半导体制造装置，以通过旋转用于固定晶片的卡盘来提高晶片工艺的均匀性。 构成：旋转卡盘（10）安装在处理室的内部，以固定和旋转晶片（20）。 旋转单元安装在处理室的内部以便旋转旋转卡盘。 旋转单元包括旋转轴（30）和旋转动力装置（40）。 旋转轴连接到旋转卡盘。 旋转动力装置连接到旋转轴以提供旋转动力。 旋转单元还包括连接到旋转卡盘的滚子。
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公开(公告)号：KR100814409B1
公开(公告)日：2008-03-18
申请号：KR1020060076526
申请日：2006-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32192
Abstract: 애싱 방법에 있어서, 제 1 반응 가스를 플라즈마로 변환한다. 상기 플라즈마를 제 2 반응 가스와 반응시켜서, 라디칼들을 발생시킨다. 그런 다음, 상기 라디칼들과 상기 플라즈마를 이용해서 대상체를 애싱한다. 따라서, 산소 가스만이 플라즈마로 변환되고 플루오린 가스는 플라즈마로 변환되지 않은 상태로 경화된 포토레지스트 패턴으로 적용된다. 따라서, 플루오린 가스는 폴리실리콘막에 대한 낮은 식각율을 갖고 있으므로, 경화된 포토레지스트 패턴만이 주로 제거되고, 폴리실리콘막은 거의 제거되지 않게 된다.
Abstract translation: 示例性实施例涉及一种灰化对象的方法和装置。 该方法可以包括将第一反应流体转化成等离子体，使等离子体与第二反应流体反应以产生自由基，以及使用自由基和等离子体使物体灰化。
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公开(公告)号：KR100606191B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020040092042
申请日：2004-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 기판 가공 장치를 검사하기 위한 장치에서, 피처리 기판이 로딩되는 방식과 동일한 방식으로 기판을 가공하기 위한 장치의 내부로 로딩되도록 피처리 기판과 동일한 형상을 가지며, 기판을 지지하기 위한 스테이지 상에 배치되는 베이스 플레이트(base plate)가 마련된다. 베이스 플레이트 상에는 장치 내부에 대한 정지 화상 또는 동영상의 이미지 정보를 획득하기 위한 이미지 센서 및 렌즈를 포함하는 이미지 획득 유닛이 구비된다. 상기 이미지 획득 유닛에는 기판 가공 장치 내부를 다양한 각도로 촬영하기 위하여, 상기 렌즈의 조향 방향을 조절할 수 있도록 구비되는 조향부가 연결된다. 이와 같이, 기판 형상을 갖는 베이스 플레이트 및 조향 방향이 조절 가능한 이미지 획득 유닛을 결합하여, 모든 종류의 기판 가공 장치 내부를 육안으로 검사할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060044201A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020040092042
申请日：2004-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67011
Abstract: 기판 가공 장치를 검사하기 위한 장치에서, 기판을 가공하기 위한 장치 내부로 로딩되어 상기 기판을 지지하기 위한 스테이지 상에 배치되는 베이스 플레이트를 구비한다. 상기 베이스 플레이트 상에는 이미지 획득 유닛 설치된다. 상기 이미지 획득 유닛은 상기 베이스 플레이트가 상기 스테이지 상에 배치되어 있는 동안 상기 장치 내부에 대한 정지 화상 또는 동영상의 이미지 정보를 획득한다. 상기 기판 가공 장치의 외부에 배치된 중앙 처리 유닛 및 디스플레이 유닛은 상기 이미지 획득 유닛과 무선 또는 유선으로 연결되어 상기 이미지 정보를 전송받는다. 따라서 작업자는 기판을 가공하기 위한 장치의 외부에서 상기 이미지 획득 유닛을 제어하면서 상기 기판 가공 장치의 내부를 용이하게 검사할 수 있다.
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