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公开(公告)号：KR1020150083741A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140003629
申请日：2014-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F13/14
CPC classification number: G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2206/1014
Abstract: 임베디드멀티미디어카드(eMMC), 및이의동작방법이개시된다. 본발명의 eMMC는플래시메모리, 및상기플래시메모리를제어하는디바이스컨트롤러를포함하며, 상기디바이스컨트롤러는호스트로부터데이터버스의상태와상관없이상기호스트로부터전송되는명령을수신하여태스크아이디별로태스크정보를저장하는명령저장부, 및상기태스크아이디별로태스크의상태에기초한상태정보를저장하는상태저장부를포함한다.
Abstract translation: 公开了嵌入式多媒体卡（eMMC）及其操作方法。 根据本发明的eMMC包括闪存和控制闪存的设备控制器。 设备控制器包括命令存储单元，其根据每个任务ID通过从主机接收来自主机的数据总线的状态来接收从主机发送的命令，以及状态存储单元，其基于状态信息存储状态信息 根据每个任务ID的任务。
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公开(公告)号：KR1020140094186A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：KR1020130006608
申请日：2013-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A request processing method of a host according to an embodiment of the present invention, to transfer requests to a storage device having a multiple way structure in which a plurality of ways include a plurality of planes respectively, comprises the steps of: fetching initial requests generated from applications in a pending queue; splitting the initial requests for generating sub-requests; reassembling the sub requests for generating at least one complex request; and transferring at least one complex request to the storage device, wherein the sub-request is defined to write data at one plane among the planes or read data from one plane and the complex request is defined to write data to the ways and read data from the ways.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的主机的请求处理方法，用于将请求分别传送到具有包括多个平面的多个方式的多路结构的存储装置，包括以下步骤：获取产生的初始请求 来自待处理队列中的应用程序; 分离生成子请求的初始请求; 重新组合用于生成至少一个复杂请求的子请求; 以及将至少一个复杂请求传送到所述存储设备，其中所述子请求被定义为在所述平面中的一个平面上写入数据或从一个平面读取数据，并且所述复合请求被定义为将数据写入到所述存储设备的方式和读取数据 的方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170134927A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020160065881
申请日：2016-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 본발명에따른정보저장소자는, 기판상의제1 층간절연막, 상기제1 층간절연막상에서로이격되어제공되는복수의정보저장구조체들, 상기복수의정보저장구조체들사이의상기제1 층간절연막의상면상에제공되는도전층, 상기복수의정보저장구조체들사이의상기제1 층간절연막의상기상면상에제공되고상기도전층을덮는캐핑절연막, 및상기제1 층간절연막상에제공되어상기복수의정보저장구조체들의측벽들, 상기도전층, 및상기캐핑절연막을덮는제2 층간절연막을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的信息存储装置包括在基板上的第一层间绝缘膜，设置在第一层间绝缘膜上的多个信息存储结构，设置在第一层间绝缘膜上的多个信息存储结构， 设置在第一层间绝缘膜的气相上以及多个信息存储结构之间并覆盖导电层的覆盖绝缘膜，以及设置在第一层间绝缘膜上的第二绝缘膜， 上导电层和覆盖覆盖绝缘膜的第二层间绝缘膜。
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公开(公告)号：KR1020170028495A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150124939
申请日：2015-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68764 , H01J37/20 , H01J37/3056 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/31 , H01L21/2633 , H01L21/68792
Abstract: 본발명은척 어셈블리및 이를구비하는반도체제조장치에관한것으로, 수직방향으로제공되는이온빔에노출되는기판을척킹하는척, 상기척에결합되어상기척을지지하는필라, 그리고상기척을상기필라에회전가능하게연결하는연결부를포함한다. 상기연결부의회전은상기필라의중심을상기수직방향을따라관통하는상기필라의축에대하여상기척을경사지게하고, 상기척은상기필라를중심으로세차운동한다.
Abstract translation: 卡盘组件包括夹持基板的卡盘，以及连接到卡盘以支撑卡盘的支柱，支柱的轴线沿着柱的纵向方向穿过柱的中心，其中卡盘具有顶表面 ，其相对于柱的轴线倾斜，卡盘的顶表面可以围绕柱的轴线进行旋转。
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5.发明公开
公开(公告)号：KR1020160091504A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：KR1020150011319
申请日：2015-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12 , H01L21/32131 , H01L27/1087 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L21/0275 , H01L21/0332
Abstract: 패턴형성방법을제공한다. 패턴형성방법은, 기판상에식각대상막을형성하는것, 상기식각대상막상에마스크패턴들을형성하는것, 및상기마스크패턴들을식각마스크로상기식각대상막을식각하여서로이격된패턴들을형성하는것을포함한다. 상기식각대상막은, 상기식각공정동안상기식각대상막의표면으로조사되는이온빔에의해식각된다. 상기이온빔의입사에너지는 600eV보다크고 10keV보다작다.
Abstract translation: 提供了图案形成方法。 图案形成方法包括以下步骤：在衬底上形成蚀刻靶膜; 在蚀刻靶膜上形成掩模图案; 并且通过掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻目标膜，以形成彼此间隔开的图案。 蚀刻目标膜通过在蚀刻工艺期间被照射到蚀刻靶膜的表面上的离子束进行蚀刻。 离子束的入射能量大于600eV且小于10keV。 因此，可以制造具有优异可靠性的半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020170136671A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020160068222
申请日：2016-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체메모리장치는반도체기판상에배치된선택트랜지스터, 상기선택트랜지스터상의자기터널접합패턴, 상기선택트랜지스터와상기자기터널접합패턴을연결하는하부콘택플러그, 상기하부콘택플러그의측벽상의배리어패턴및 상기배리어패턴과상기자기터널접합패턴사이에서상기하부콘택플러그의측벽상에제공되는절연패턴을포함하되, 상기절연패턴의하부의폭은상부의폭보다크다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体存储器件包括设置在半导体衬底上的选择晶体管，选择晶体管上的磁性隧道结图案，连接选择晶体管和磁性隧道结图案的下部接触插塞， 在侧壁上的阻挡图案以及在阻挡图案和磁隧道结图案之间的下接触插塞的侧壁上提供的绝缘图案，其中绝缘图案的下部的宽度大于上部的宽度。
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