公开(公告)号：KR1019990034760A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056456

申请日：1997-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정

IPC: H01L21/02

Abstract: 반도체용 가스의 불순물을 제거하기 위한 반도체용 가스 여과장치에 대해 개시된다. 이 여과장치는 공정용 가스를 여과하기 위한 정제필터인 레진과, 이 레진을 충진하기 위한 스크러버 케니스터를 구비하여 구성된 반도체용 가스 여과장치에 있어서, 상기 스크러버 케니스터의 외부에 설치되어 상기 레진을 가열하는 가열재킷을 추가로 구비한 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 스크러버 케니스터의 온도가 낮아 레진이 충분한 여과효과를 나타내지 못하고 수명이 단축되는 문제가 해소되고, 레진의 상층부에 공정용 가스의 잔유물이 퇴적되어 여과기능이 저하되는 문제점도 해소할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020000050503A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000427

申请日：1999-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정 ,  손권

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A chamber of a device for producing a semiconductor is to save costs and hours by separating a dividing member placed on an opening from a body to replace only an etched divided member. CONSTITUTION: A chamber comprises: a body having an inside space and an opening on its one side; a liner having an opening corresponding to the opening of the body; and a divided member arranged on the opening and engaged with the body. When the chamber is required, only the divided member is replaced. A device for producing the semiconductor comprises: a process chamber(20) having an inner space, an opening(28) on its one surface and an anode oxidization film applied on its wall surface; a buffer chamber having an opening corresponding to the opening of the process chamber and moving a wafer to the process chamber; a liner(22) for protecting the anode oxidization film of the process chamber; and a slit valve(24) having one end supported at inside of the process chamber and another end projected out of the process chamber to be connected to the buffer chamber to accomplish an insertion and withdrawal of the wafer.

Abstract translation: 目的：用于制造半导体的装置的腔室是通过将放置在开口上的分隔构件与主体分开来仅替换蚀刻的分割构件来节省成本和小时。 构成：一个室包括：一体，其一侧具有内部空间和一开口; 具有对应于所述主体的开口的开口的衬垫; 以及分隔构件，其布置在所述开口上并与所述主体接合。 当需要腔室时，只有分隔件才被更换。 一种用于制造半导体的器件包括：具有内部空间的处理室（20），其一个表面上的开口（28）和施加在其表面上的阳极氧化膜; 缓冲室，其具有对应于处理室的开口的开口并将晶片移动到处理室; 用于保护处理室的阳极氧化膜的衬垫（22）; 以及狭缝阀（24），其一端支撑在处理室的内部，另一端伸出处理室以连接到缓冲室，以完成晶片的插入和取出。

公开(公告)号：KR1020040095088A

公开(公告)日：2004-11-12

申请号：KR1020030028691

申请日：2003-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재영 ,  김태룡 ,  배도인 ,  배경정

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An electrode for semiconductor fabrication process is provided to reduce the cost of consumable parts and troubles due to components, prevent reduction of efficiency of fabrication equipment, and enhance the productivity by improving a structure of the electrode. CONSTITUTION: An electrode for semiconductor fabrication process is formed with SiC. The electrode for semiconductor fabrication process further includes a plurality of gas distribution holes(12). The electrode is formed with a clamp type SiC electrode(10a). The gas distribution holes are formed on a planarized SiC plate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体制造工艺的电极，以降低消耗部件的成本和由于部件引起的故障，防止制造设备的效率降低，并且通过改善电极的结构来提高生产率。 构成：用SiC制成半导体制造工艺的电极。 用于半导体制造工艺的电极还包括多个气体分配孔（12）。 电极由钳形SiC电极（10a）形成。 气体分配孔形成在平坦化的SiC板上。

公开(公告)号：KR1020040017872A

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：KR1020020049793

申请日：2002-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 방민규 ,  배경정

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An apparatus for etching a semiconductor substrate is provided to reduce etching cost by replacing abrasion portion alone when a quartz ring is worn. CONSTITUTION: An apparatus for etching a semiconductor substrate is provided with a process chamber(10), a chuck(20) located at the lower portion of the process chamber for loading a substrate, and a cathode(30) installed at the upper portion of the process chamber. At this time, the cathode includes a plurality of jet holes. The apparatus further includes a quartz ring(40) for collecting the gas jetted from the jet holes. Preferably, the ring part includes an inner ring(42) and an outer ring(44) installed along the outer portion of the inner ring. Preferably, the inner and outer ring are attached and detached with each other.

Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体衬底的设备，以在磨损石英环时单独替换磨损部分来降低蚀刻成本。 构成：用于蚀刻半导体衬底的设备设置有处理室（10），位于处理室的下部的用于加载衬底的卡盘（20）和安装在衬底的上部的阴极（30） 处理室。 此时，阴极包括多个喷射孔。 该装置还包括用于收集从喷射孔喷出的气体的石英环（40）。 优选地，环部包括沿着内圈的外部部分安装的内圈（42）和外圈（44）。 优选地，内环和外环彼此附接和分离。

公开(公告)号：KR1020010017700A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990033358

申请日：1999-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오돈기 ,  배경정

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A fluid supply apparatus for supplying a nitrogen gas into a cassette chamber containing wafers is provided to reduce particles accumulated on the wafers from the nitrogen gas. CONSTITUTION: The fluid supply apparatus(200) includes a guide pipe(210) for supplying the nitrogen gas into the cassette chamber(230) from a nitrogen supply source(260) so as to make an atmospheric pressure in the chamber(230). The chamber(230) accommodates a cassette(240) holding the wafers(220) therein. The guide pipe(210) is extended to the inside of the chamber(230) through a hole(232) and equipped with a diffusion outlet(245) in the chamber(230). The diffusion outlet(245) has a greater diameter than the guide pipe(210), so that the nitrogen gas flowing in the guide pipe(210) may slow down in the diffusion outlet(245). Therefore, the nitrogen gas can hardly run direct to the wafers(220). In addition, a mesh plate(250) is equipped on the front of the diffusion outlet(245) to scatter the nitrogen gas and to filter out the particles from the nitrogen gas.

Abstract translation: 目的：提供一种用于将氮气供应到含有晶片的盒室中的流体供应装置，以便从氮气中减少积聚在晶片上的颗粒。 构成：流体供给装置（200）包括用于从氮供给源（260）将氮气供给到盒室（230）的导管（210），从而在室（230）内形成大气压。 腔室（230）容纳将晶片（220）保持在其中的盒（240）。 引导管（210）通过孔（232）延伸到腔室（230）的内​​部，并且在腔室（230）中配备有扩散出口（245）。 扩散出口（245）的直径大于导管（210）的直径，使得在导管（210）中流动的氮气可能在扩散出口（245）中减慢。 因此，氮气几乎不能直接流到晶片（220）。 此外，在扩散出口（245）的前部配备有网板（250），以分散氮气并从氮气中过滤掉颗粒。

公开(公告)号：KR200164997Y1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR2019990000577

申请日：1999-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정 ,  손권

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR1019990074924A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008820

申请日：1998-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정

IPC: H01L21/3065

Abstract: 웨이퍼가 놓여지는 전극을 갖춘 건식 식각 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 건식 식각 장치는 전극에 설치되어 전극의 온도를 감지하는 온도 센서를 포함한다. 상기 온도 센서는 열교환기 내의 콘트롤 PCB 또는 모니터용 계측기에 연결될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970053240A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950054712

申请日：1995-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정 ,  손권

IPC: H01L21/66

Abstract: 웨이퍼 삽입상태의 감지장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 웨이퍼 카세트의 내부로 슬롯(slot)과 평행하게 빛을 조사하는 발광부 및 상기 발광부와 대향되도록 위치하여 상기 조사된 빛을 감지하는 수광센서부를 포함하는 웨이퍼 삽입상태의 감지장치에 있어서, 상기 수광센서부의 전면(前面)에는 발광부에서 조사되는 빛의 파장 대역만을 통과시키는 광 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 삽입상태의 감지장치를 제공한다. 본 발명에 의하면 수광센서부에서의 착오 감지를 야기하는 외부의 간섭광이 광 필터에 의해 반사되거나, 흡수되어 상기 수광센서부에 영향을 주지 못한다. 따라서, 상기 수광센서부의 착오감지에 의한 오동작이 방지되어 설비가동률이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020050048121A

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：KR1020030081970

申请日：2003-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정

IPC: H01L21/3065

Abstract: 수율 및 생산성을 높일 수 있는 식각장치의 모니터링 시스템 및 그의 모니터링 방법을 개시한다. 그의 시스템은 반도체 제조설비의 이상 유무를 모니터링 하는 식각장치의 모니터링 시스템에 있어서, 웨이퍼의 식각공정을 진행하는 챔버와, 상기 챔버 내의 상단에 형성된 상부전극과, 상기 상부전극에 대향하여 상기 챔버 내의 하단에서 상기 웨이퍼를 지지하는 하부전극과, 상기 상부전극 및 하부전극사이에서 상기 상부전극과 하부전극의 둘레를 감싸도록 형성된 적어도 하나 이상의 컨파인먼트 링과, 상기 챔버 측벽에서 상기 컨파인먼트 링 및 웨이퍼를 관찰할 수 있도록 상기 챔버의 내부를 개방하는 윈도우와, 상기 윈도우를 통해 상기 컨파인먼트 링에 식각공정 중 발생되는 폴리머의 두께를 감지하는 영상센서와, 상기 영상센서의 감지 신호를 이용하여 식각장치의 이상 유무를 판단하는 제어부를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020030020548A

公开(公告)日：2003-03-10

申请号：KR1020010053688

申请日：2001-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method for etching back a polysilicon layer of a semiconductor device is provided to improve an etch back speed and reduce generation of particles by using CF4 gas, Cl2 gas, and O2 gas. CONSTITUTION: CF4 gas, Cl2 gas, and O2 gas are injected from each reaction sources(34A,34B,34C) of a gas transferring system(22) to a plasma processing region(16) of a chamber(13). The CF4 gas, the Cl2 gas, and the O2 gas are converted to the states of plasma by power of a source plasma system(80A). Plasma radicals are shifted to a surface of a substrate by the power of the source plasma system(80A). A polysilicon layer is etched back by the plasma radicals. The injected amount of the CF4 gas, the Cl2 gas, and the O2 gas are 70 to 90 sccm, 8 to 10 sccm, and 8 to 10 sccm, respectively. The power of 1000 to 1200W is applied to an upper portion of the chamber(13) by the source plasma system(80A). The power of 100 to 300W is applied to a substrate receiving portion(19) by the source plasma system(80A).

Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体器件的多晶硅层的方法，以通过使用CF 4气体，Cl 2气体和O 2气体来提高回蚀速度并减少颗粒的产生。 构成：将CF 4气体，Cl 2气体和O 2气体从气体输送系统（22）的每个反应源（34A，34B，34C）注入到室（13）的等离子体处理区域（16）。 通过源等离子体系统（80A）的功率将CF 4气体，Cl 2气体和O 2气体转换成等离子体的状态。 等离子体基团通过源等离子体系统（80A）的功率移动到衬底的表面。 多晶硅层被等离子体基团回蚀。 CF 4气体，Cl 2气体和O 2气体的喷射量分别为70〜90sccm，8〜10sccm，8〜10sccm。 通过源等离子体系统（80A）将1000至1200W的功率施加到腔室（13）的上部。 通过源等离子体系统（80A）将100〜300W的功率施加到基板接收部（19）。