公开(公告)号：KR100558562B1

公开(公告)日：2006-03-13

申请号：KR1020050009008

申请日：2005-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정훈 ,  박진준 ,  배도인

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체 설비용 부산물 포집장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 프로세스 챔버측 배기 라인으로 원통형의 트랩 하우징 부재(10)와 이 트랩 하우징 부재(10)의 상부와 하부를 커버하는 어퍼 커버 부재(20)와 로워 커버 부재(40), 상기 어퍼 커버 부재(20)의 저부로 구비되는 히팅 부재(30), 상기 트랩 하우징 부재(10)의 내부에 적층되는 쿨링 플레이트 부재(50)와 상기 쿨링 플레이트 부재(50)를 일정한 높이로 이격되게 하면서 부산물의 유동 통로를 제공하는 포스트 부재(60), 냉매 공급용 딜리버리 파이프(71)와 냉매 배출용 딜리버리 파이프(72)와 상기 쿨링 플레이트 부재(50)의 내부에 배설되는 제1 쿨링 파이프(73)와 상기 트랩 하우징 부재(10)의 외주면에 나선형상으로 구비되는 제2 쿨링 파이프(74)로서 구비되는 쿨링 부재(70) 및 상기 히팅 부재(30)와 상기 쿨링 부재(70)를 제어하는 콘트롤러(80)로서 이루어지는 구성에 의해 설비의 클리닝 주기 연장과 공정 수행 효율 및 생산성 향상과 함께 설비 부품의 사용 수명을 연장시킬 수 있도록 하는 효과를 제공한다.
프로세스 챔버, 배기 라인, 부산물 포집, 트랩, 냉각

Abstract translation: 上盖部件本发明涉及一种副产物用于半导体设备收集装置，本发明是要覆盖圆柱形捕集器壳体构件10的顶部和底部与捕鼠器壳体构件10向排气线的处理腔室侧（ 20）并降低了盖部件40，加热部件30，冷却板部件50和冷却板被在其上在上盖构件20的底部设置在捕集器壳体构件10的内部层叠 柱构件60中，制冷剂供给输送管71和用于制冷剂排出管72输送和冷却板构件（50）间隔开，而构件50在恒定的高度的提供副产物的流路 冷却其作为第一冷却管道73和以螺旋形状形成10捕集器壳体构件，其被布置在所述内部和所述的外周面设置有第二冷却管74提供部件70和加热部件30 以上 它提供了通过包括用于控制与所述清洁循环的冷却部件70和延伸处理的控制器80的结构使得能够进行了工厂的效率和生产率可以延长设备部件的使用寿命的效果。

公开(公告)号：KR100542740B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020020069776

申请日：2002-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 뉴파워 프라즈마

Inventor： 민영민 ,  최대규 ,  배도인 ,  양윤식 ,  황완구 ,  김진만

IPC: H05H1/30

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 리모트 방식의 플라즈마를 생성하는 방법 및 장치 그리고, 상기 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 공정의 수행 방법 및 장치가 개시되어 있다. 축 방향을 갖는 주-자기장과, 상기 축 방향과 평행한 방향을 갖는 보조-자기장을 형성하다. 상기 주-자기장의 자기력선과 동일한 변위를 갖는 경로로 가스를 플로우시키고, 고주파 교류 전류를 인가하여, 가스 플라즈마를 생성한다. 상기 가스 플라즈마를 공정 챔버로 공급하여 상기 가스 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 공정을 수행한다. 높은 효율로 플라즈마 가스를 생성할 수 있고, 저렴한 플라즈마 생성용 가스를 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050118519A

公开(公告)日：2005-12-19

申请号：KR1020040043652

申请日：2004-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재영 ,  배도인 ,  김귀상 ,  이경희 ,  이종만

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 설비에 이용되는 탄성중합체 본딩 구조를 갖는 전극의 재생 방법에 관한 것으로, 탄성중합체에 의해 전극부와 서포트부가 결합된 전극 어셈블리를 제공하는 단계와; 상기 탄성중합체가 제거되어 상기 전극부와 상기 서포트부가 분리되도록 상기 전극 어셈블리를 소정의 케미컬을 이용하여 화학처리하는 단계와; 상기 분리된 서포트부를 화학처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 서포트부를 소모성 부품인 전극부로부터 손상없이 분리해 낼 수 있고 또한 탄성중합체를 완벽히 제거할 수 있어서 서포트부의 재사용이 가능하게 된다. 따라서, 전극 교체에 따른 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100534209B1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1020030052178

申请日：2003-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍형식 ,  금경수 ,  김용갑 ,  박충훈 ,  배도인 ,  채승기 ,  조정훈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586

Abstract: 본 발명은 절연막이나 금속막을 증착하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 하부 중심 부위에 배기라인을 연결한 챔버와; 상기 챔버 내부로 투입된 기판의 저면을 받쳐 지지하는 판 형상으로 내부에 히팅 플레이트를 구비한 히터블록; 및 상기 챔버 바닥을 관통하여 상기 히터블록의 하부를 받쳐 지지하는 관 형상으로 상기 히팅 플레이트의 전선이 상기 챔버 하측으로 연장 돌출되게 안내하는 지지축을 포함한 구성으로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020050029014A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：KR1020030065024

申请日：2003-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최봉 ,  배도인

IPC: H01L21/68

Abstract: An apparatus for minimizing residual charges from an electrostatic chuck is provided to minimize or remove the charges remaining on an electrostatic chuck by supplying negative power to the electrostatic chuck in dechucking the electrostatic chuck in addition to the power supplied to the electrostatic chuck. A power supply part supplies DC(direct current) power to an electrostatic chuck. A condenser discharges by an off output signal of the power supply part. A sine wave generating part(256) generates sine waves when an off signal is inputted to the power supply part. A collector common amplification part(254) receives the sine waves as an input signal and generates an output signal, having a high current gain and a voltage gain of 1 without inverting a polarity.

Abstract translation: 提供一种用于使来自静电卡盘的剩余电荷最小化的装置，除了提供给静电卡盘的电力之外，还通过向除静电卡盘之外的静电卡盘供给负电力来最小化或去除静电卡盘上剩余的电荷。 电源部件向静电卡盘供给DC（直流）电力。 电容器通过电源部分的断开输出信号进行放电。 正弦波产生部分（256）当关断信号被输入到电源部分时产生正弦波。 集电极公共放大部分（254）接收正弦波作为输入信号，并产生具有高电流增益和电压增益为1而不反转极性的输出信号。

公开(公告)号：KR1020040103648A

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：KR1020030034702

申请日：2003-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  배도인 ,  이태원 ,  하용준 ,  노동현

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A chuck for supporting a substrate by using a vacuum absorbing method and a thin film deposition apparatus including the same are provided to arrange accurately the semiconductor substrate in the plate by forming a sliding blocking member on an upper surface of the plate. CONSTITUTION: A plate(110) includes a gas channel corresponding to an edge shape of a semiconductor substrate and is used for supporting the semiconductor substrate. A sliding blocking member(130) is used for preventing the sliding of the semiconductor substrate. An edge ring is disposed at a peripheral region of the semiconductor substrate in order not to deposit a predetermined layer on the peripheral region. A stopper(140) is used for maintaining constantly a gap between the edge ring and the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用真空吸附法支撑基板的卡盘和包括该卡盘的薄膜沉积设备，以通过在该板的上表面上形成滑动阻挡件将半导体基板精确地布置在该板中。 构成：板（110）包括与半导体衬底的边缘形状对应的气体通道，并用于支撑半导体衬底。 滑动阻挡构件（130）用于防止半导体衬底的滑动。 边缘环设置在半导体衬底的周边区域，以便不在周边区域上沉积预定层。 使用止动件（140）来保持边缘环和半导体衬底之间的间隙。

公开(公告)号：KR1020040102308A

公开(公告)日：2004-12-04

申请号：KR1020030033857

申请日：2003-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  배도인 ,  유승진 ,  강연철

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent the damage of a heater and to restrain the arcing of a connection member due to contact failure by connecting the connection member with the heater using screws. CONSTITUTION: A deposition apparatus includes a chamber, a susceptor for loading a wafer, a heater, an insulating ring, and a connection member. The heater(204b) are installed under the susceptor to heat the wafer. The insulating ring is fixed in the chamber to support the heater. A cavity is formed in the insulating ring. The connection member is prolonged from the outside of the chamber into the cavity of the insulating ring. The connection member is used for connecting a power source to the heater. The connection member includes a first connecting part, a second connecting part, and a third connection part. The first connecting part(224) includes a first plate and a second plate. The first plate is connected with the heater by using a first screw(230a). The second plate is connected with the second connecting part(226) by using a second screw(230b). The second connecting part is connected parallel with the third connecting part(228).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的沉积设备，以防止加热器的损坏，并且通过使用螺钉将连接构件与加热器连接来防止由于接触故障导致的连接构件的电弧。 构成：沉积设备包括室，用于装载晶片的基座，加热器，绝缘环和连接构件。 加热器（204b）安装在基座下方以加热晶片。 绝缘环固定在腔室中以支撑加热器。 在绝缘环中形成空腔。 连接构件从室的外部延伸到绝缘环的空腔中。 连接构件用于将电源连接到加热器。 连接构件包括第一连接部分，第二连接部分和第三连接部分。 第一连接部分（224）包括第一板和第二板。 第一板通过使用第一螺钉（230a）与加热器连接。 第二板通过使用第二螺钉（230b）与第二连接部件（226）连接。 第二连接部与第三连接部（228）平行地连接。

公开(公告)号：KR100438639B1

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：KR1020020026461

申请日：2002-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태원 ,  배도인 ,  채희선

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A thermocouple is provided to be capable of measuring real-time the temperature of a semiconductor substrate, and a temperature control apparatus is provided to be capable of uniformly controlling the temperature of the semiconductor substrate. CONSTITUTION: In a thermocouple(320) for measuring the temperature of a semiconductor substrate, a coating layer(324) contacted with the semiconductor substrate is formed on a thermometric contact portion(322). The coating layer(324) has thermal conductivity of 400£W/(m.k)| over. Also, the coating layer(324) is composed of DLC(Diamond Like Carbon).

Abstract translation: 目的：提供热电偶以能够实时测量半导体衬底的温度，并且提供温度控制装置以能够均匀地控制半导体衬底的温度。 构成：在用于测量半导体衬底的温度的热电偶（320）中，在测温接触部分（322）上形成与半导体衬底接触的涂层（324）。 涂层（324）具有400英寸的导热率; W /（m.k）| 过度。 而且，涂层（324）由DLC（类金刚石碳）构成。

公开(公告)号：KR1020030088641A

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：KR1020020026461

申请日：2002-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태원 ,  배도인 ,  채희선

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A thermocouple is provided to be capable of measuring real-time the temperature of a semiconductor substrate, and a temperature control apparatus is provided to be capable of uniformly controlling the temperature of the semiconductor substrate. CONSTITUTION: In a thermocouple(320) for measuring the temperature of a semiconductor substrate, a coating layer(324) contacted with the semiconductor substrate is formed on a thermometric contact portion(322). The coating layer(324) has thermal conductivity of 400£W/(m.k)| over. Also, the coating layer(324) is composed of DLC(Diamond Like Carbon).

Abstract translation: 目的：提供能够实时测量半导体基板的温度的热电偶，并且提供能够均匀地控制半导体基板的温度的温度控制装置。 构成：在用于测量半导体衬底的温度的热电偶（320）中，在温度接触部分（322）上形成与半导体衬底接触的涂层（324）。 涂层（324）的热导率为400W /（m.k）| 过度。 此外，涂层（324）由DLC（类金刚石碳）构成。

公开(公告)号：KR1020030045418A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：KR1020010076136

申请日：2001-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성순환 ,  배도인 ,  윤명식 ,  김국광

IPC: H01L21/30

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a processed article is provided to be capable of cleaning the local portion alone and the inner surface as well as the outer surface of the processed article. CONSTITUTION: An Nd-YAG(Yttrium Aluminum Granet) laser is prepared(S10). A laser beam is irradiated from the Nd-YAG layer toward a predetermined portion of a processed article(S12). The laser beam irradiated from the Nd-YAG laser is condensed by using a lens before the laser beam arrives at the predetermined portion of the processed article(S14). Then, the predetermined portion of the processed article is cleaned by removing contaminated material generated on the predetermined portion of the processed article using the condensed laser beam(S16). At the time, the laser beam having a wavelength of 532nm and an energy of 250mJ, is irradiated from the Nd-YAG laser at the oscillating frequency of 10 Hz.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁加工物品的方法，以能够单独清洁局部部分以及处理物品的内表面和外表面。 构成：制备Nd-YAG（钇铝Granet）激光器（S10）。 激光束从Nd-YAG层朝向加工制品的预定部分照射（S12）。 在激光束到达处理物品的预定部分之前，通过使用透镜从Nd-YAG激光器照射的激光束被冷凝（S14）。 然后，通过使用冷凝的激光束去除在加工品的预定部分上产生的污染物质来清洁处理物品的预定部分（S16）。 此时，Nd-YAG激光器以10Hz的振荡频率照射波长为532nm，能量为250mJ的激光束。