公开(公告)号：KR100682538B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020060011856

申请日：2006-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤민상 ,  손권 ,  정재형 ,  정희찬 ,  최기룡 ,  박병주 ,  김강영

IPC: H01L21/304

Abstract: Semiconductor wafer cleaning equipment and method are provided to improve the yield by removing effectively particles from an upper surface of a semiconductor wafer without the damage of a predetermined pattern and the re-adsorption of the particles using an improved cleaning structure composed of first and second cleaning units. Semiconductor wafer cleaning equipment comprises a wafer stage(132) for supporting a semiconductor wafer(W), a first cleaning unit and a second cleaning unit. The first cleaning unit is used for removing particles from the wafer by spraying a first cleaning solution capable of restraining the wafer from being electrified. The second cleaning unit is used for removing the particles from the wafer spraying a second cleaning solution and vibrating the second cleaning solution. The second cleaning solution is capable of transforming a wafer state into a hydrophilic state.

Abstract translation: 提供半导体晶片清洁设备和方法以通过从半导体晶片的上表面有效去除颗粒而不损坏预定图案并且利用由第一和第二清洁构成的改进的清洁结构再次吸附颗粒来提高产量 单位。 半导体晶片清洁设备包括用于支撑半导体晶片（W）的晶片台（132），第一清洁单元和第二清洁单元。 第一清洁单元用于通过喷洒能够抑制晶片通电的第一清洁溶液来从晶片去除颗粒。 第二清洁单元用于从晶片上除去颗粒，喷洒第二清洁溶液并振动第二清洁溶液。 第二清洁溶液能够将晶片状态转变为亲水状态。

公开(公告)号：KR1020050011403A

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020030050495

申请日：2003-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종명 ,  손권

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A semiconductor etching apparatus and an etching method using the same are provided to check an alignment state of a wafer before etching by using a wafer detecting sensor installed in a shadow ring. CONSTITUTION: A semiconductor etching apparatus includes an electrostatic chuck, a shadow ring, a wafer detecting sensor. The electrostatic chuck(113) is used for fixing a wafer(111). The shadow ring(115) is spaced apart from an edge portion of the wafer. The wafer detecting sensor(123) is installed in the shadow ring to check the existence of the wafer. The wafer detecting sensor is an optical sensor.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体蚀刻装置和使用其的蚀刻方法，通过使用安装在阴影环中的晶片检测传感器来检查蚀刻之前的晶片的取向状态。 构成：半导体蚀刻装置包括静电卡盘，阴影环，晶片检测传感器。 静电卡盘（113）用于固定晶片（111）。 阴影环（115）与晶片的边缘部分间隔开。 晶片检测传感器（123）安装在阴影环中以检查晶片的存在。 晶片检测传感器是光学传感器。

公开(公告)号：KR100271770B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980036275

申请日：1998-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태훈 ,  손권

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조를 위한 플라즈마 공정챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조를 위한 플라즈마 공정챔버는, 플라즈마 상태의 반응가스를 이용한 반도체장치 제조공정이 진행되는 공정챔버와 상기 공정챔버 내부에 설치된 다수의 전극과 상기 다수의 전극에 선택적으로 고주파전력을 인가할 수 있는 고주파전원을 구비하는 반도체장치 제조를 위한 플라즈마 공정챔버에 있어서, 상기 다수의 전극중에서 하나 이상의 전극의 표면에 다수의 엠보싱이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정챔버 내부에 설치된 다수의 전극의 특정부위 단위면적을 증가시킴으로서 공정챔버 내부에 형성된 플라즈마 가스의 이온밀도의 균일도를 향상시켜 식각막의 균일도, 증착막의 균일도 등을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020030063056A

公开(公告)日：2003-07-28

申请号：KR1020020003616

申请日：2002-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정민제 ,  손권

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method of forming a contact hole in a semiconductor device is provided to achieve a contact hole having a tilt and a bend at sidewalls of the contact hole. CONSTITUTION: The first insulation layer having its thickness and a sacrificial thickness(h2) is formed on a semiconductor substrate(26). A photoresist pattern is formed on a portion of the first insulation layer. The second insulation layer(24a) is formed by anisotropic etching to form a groove on the first insulation layer. The photoresist pattern remaining on the second insulation layer is removed. By etch back of the second insulation layer as thick(h1) as the sacrificial thickness, A contact hole is exposed on the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种在半导体器件中形成接触孔的方法，以实现在接触孔的侧壁处具有倾斜和弯曲的接触孔。 构成：在半导体衬底（26）上形成其厚度和牺牲厚度（h2）的第一绝缘层。 在第一绝缘层的一部分上形成光致抗蚀剂图案。 第二绝缘层（24a）通过各向异性蚀刻形成在第一绝缘层上形成凹槽。 去除残留在第二绝缘层上的光致抗蚀剂图案。 通过第二绝缘层的回蚀刻作为牺牲厚度的厚（h1），在半导体衬底上露出接触孔。

公开(公告)号：KR1020000018612A

公开(公告)日：2000-04-06

申请号：KR1019980036275

申请日：1998-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태훈 ,  손권

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

Abstract: PURPOSE: A plasma processing chamber for fabricating semiconductor devices is provided to improve a uniformity of deposited or etched films by increasing an area of a plurality of electrodes. CONSTITUTION: A plasma chamber comprises a processing chamber(50) using a reactive gas of plasma state, a plurality of electrodes(60,64) formed in the processing chamber(50), and an RF(radio frequency) power source(68) for selectively applying an RF power to the electrodes(60,64), wherein at least one embossing(61,65) are formed on the surface of the electrodes. Since the surface area of the electrodes(60,64) is increased, the uniformity of plasma gas density is improved.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的等离子体处理室，以通过增加多个电极的面积来改善沉积或蚀刻膜的均匀性。 构成：等离子体室包括使用等离子体状态的反应性气体的处理室（50），形成在处理室（50）中的多个电极（60,64）和RF（射频）电源（68） 用于向所述电极（60,64）选择性地施加RF功率，其中在所述电极的表面上形成至少一个压花（61,65）。 由于电极（60,64）的表面积增加，所以等离子体气体密度的均匀性提高。

公开(公告)号：KR100227821B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960020818

申请日：1996-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동윤 ,  양백화 ,  손권

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 종류, 공급전압의 변동에 따라 전압을 보상하는 웨이퍼 고정용 정전척의 전원공급장치에 관한 것으로서, 파워서플라이로부터 공급되는 양전압과 음전압을 필터에서 필터링하여 각각 해당 전극으로 인가하는 웨이퍼 고정용 정전척의 전원공급장치에 있어서, 상기 양전압과 음전압을 필터로 인가하는 라인간의 전압차를 감지하는 감지수단, 상기 감지수단에서 전압차가 감지되면 상기 양전압과 상기 음전압의 절대치의 레벨이 동일하도록 각 전극으로 공급되는 접압을 가변시켜 보상하는 보상수단을 구비하여 이루어지며, 웨이퍼를 정상적으로 척킹할 수 있는 힘이 항상 유지되어서, 웨이퍼 후면 냉각을 위하여 헬륨가스가 분사되더라도 웨이퍼의 무빙이 발생되지 않고 공정을 원활히 수행할 수 있으며, 웨이퍼의 타입에 상관없이 � �킹이 가능한 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980021239A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960040026

申请日：1996-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원종성 ,  손권 ,  정의훈 ,  김태훈

IPC: H01L21/306

Abstract: 챔버의 일부를 착탈식으로 개선하여 챔버 내부의 세정 방법 및 설비 가동률을 향상할 수 있는 반도체 식각 장치의 챔버에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 최상부에 위치하면서 가스를 분산 처리시키는 평판(GDP: Gas Distribution Plate, 이하 GDP라 칭함)과, 상기 GDP의 하부에 위치한 챔버 몸체와, 식각공정 진행시에 발생하는 폴리머를 흡착하는 캐소오드와, 상기 챔버 몸체와 캐소오드를 연결시키는 오링(O-ring)과, 상기 캐소오드의 하부에서 폴리머를 분쇄하는 슬릿 밸브(Slit valve)를 포함하는 반도체 식각 장치의 챔버에 있어서, 상기 챔버 몸체와, 캐소오드와, 슬릿 밸브는 그 내부에 덧입힘 쇠(liner)를 구비하고 착탈식으로 된 것을 특징으로 하는 반도체 식각 장치의 챔버를 제공한다. 따라서 본 발명에 따르면 세정 효과와 설비 가동률을 향상시킨 반도체 식각 장치의 챔버를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000050503A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000427

申请日：1999-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정 ,  손권

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A chamber of a device for producing a semiconductor is to save costs and hours by separating a dividing member placed on an opening from a body to replace only an etched divided member. CONSTITUTION: A chamber comprises: a body having an inside space and an opening on its one side; a liner having an opening corresponding to the opening of the body; and a divided member arranged on the opening and engaged with the body. When the chamber is required, only the divided member is replaced. A device for producing the semiconductor comprises: a process chamber(20) having an inner space, an opening(28) on its one surface and an anode oxidization film applied on its wall surface; a buffer chamber having an opening corresponding to the opening of the process chamber and moving a wafer to the process chamber; a liner(22) for protecting the anode oxidization film of the process chamber; and a slit valve(24) having one end supported at inside of the process chamber and another end projected out of the process chamber to be connected to the buffer chamber to accomplish an insertion and withdrawal of the wafer.

Abstract translation: 目的：用于制造半导体的装置的腔室是通过将放置在开口上的分隔构件与主体分开来仅替换蚀刻的分割构件来节省成本和小时。 构成：一个室包括：一体，其一侧具有内部空间和一开口; 具有对应于所述主体的开口的开口的衬垫; 以及分隔构件，其布置在所述开口上并与所述主体接合。 当需要腔室时，只有分隔件才被更换。 一种用于制造半导体的器件包括：具有内部空间的处理室（20），其一个表面上的开口（28）和施加在其表面上的阳极氧化膜; 缓冲室，其具有对应于处理室的开口的开口并将晶片移动到处理室; 用于保护处理室的阳极氧化膜的衬垫（22）; 以及狭缝阀（24），其一端支撑在处理室的内部，另一端伸出处理室以连接到缓冲室，以完成晶片的插入和取出。

公开(公告)号：KR1020000007264A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980026484

申请日：1998-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재봉 ,  박재현 ,  손권

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A metal layer forming method of semiconductor device is provided to improve degree of confidence by preventing depression of aluminium layer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a insulation layer on a semiconductor substrate, removing the insulating layer so as to form a contact hole, forming tungsten layer on the insulation layer having the contact hole, removing the tungsten layer so as to form tungsten layer only within the contact hole, forming aluminium layer on the insulating layer formed the tungsten layer, reflowing the semiconductor substrate formed the aluminium layer by predetermined temperature.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的金属层形成方法，通过防止铝层的凹陷来提高置信度。 构成：该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，去除绝缘层以形成接触孔，在具有接触孔的绝缘层上形成钨层，去除钨层从而形成 钨层仅在接触孔内，在绝缘层上形成铝层形成钨层，回流半导体衬底，形成铝层预定温度。

公开(公告)号：KR1020000001506A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980021805

申请日：1998-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이연휘 ,  손권

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor device using plasma is provided to control efficiently a wafer process by using a multitude of anode electrodes and cathode electrodes within a process chamber. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing a semiconductor device using plasma comprises: a multitude of anode electrodes(50,52,66,68); a multitude of cathode electrodes(42,44,58,60); a first high frequency power(46,62); and a second high frequency power(54,70). The anode electrodes and the cathode electrodes are apart from each other as much as a predetermined distance in order to face to each other. The first high frequency power is connected to the cathode electrode in order to form an electromagnetic field between the anode electrodes and the cathode electrodes. The second high frequency power is connected to the anode electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种使用等离子体制造半导体器件的装置，通过在处理室内使用多个阳极电极和阴极电极来有效地控制晶片工艺。 构造：使用等离子体制造半导体器件的装置包括：多个阳极电极（50,52,66,68）; 多个阴极电极（42,44,58,60）; 第一高频功率（46,62）; 和第二高频功率（54,70）。 为了彼此面对，阳极电极和阴极彼此分开多达预定距离。 为了在阳极电极和阴极电极之间形成电磁场，第一高频电源连接到阴极电极。 第二高频电源连接到阳极电极。