-
公开(公告)号:KR1020170018256A
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:KR1020150111840
申请日:2015-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자는반도체층 상에배치된패드, 상기반도체층과상기패드사이에배치된절연막, 상기반도체층과상기절연막을관통하여상기패드와연결된비아, 및상기반도체층을관통하며, 평면적관점에서상기패드를둘러싸는분리막을포함할수 있다.
Abstract translation: 半导体器件包括设置在半导体层上的焊盘,设置在半导体层和焊盘之间的绝缘层,穿透半导体层和绝缘层的贯通孔,以连接到焊盘,并且隔离层穿透 半导体层并且从俯视图观察时围绕该衬垫。