이미지 센서 및 이의 제조 방법
    1.
    发明公开
    이미지 센서 및 이의 제조 방법 审中-实审
    图像传感器及其制作方法

    公开(公告)号:KR1020160000046A

    公开(公告)日:2016-01-04

    申请号:KR1020140076512

    申请日:2014-06-23

    Abstract: 본발명은이미지센서및 이의제조방법을제공한다. 이이미지센서에서는깊은소자분리부가전면으로부터기판속으로연장되는제 1 깊은소자분리막과후면으로부터기판속으로연장되는제 2 깊은소자분리막을포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种能够防止串扰的图像传感器及其制造方法。 图像传感器包括:从深元件分离单元的前部延伸到衬底内部的第一深度元件分离层; 以及从后表面延伸到衬底内部的第二深元件分离层。

    반도체 소자
    2.
    发明公开
    반도체 소자 审中-实审
    半导体器件

    公开(公告)号:KR1020170018256A

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:KR1020150111840

    申请日:2015-08-07

    Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자는반도체층 상에배치된패드, 상기반도체층과상기패드사이에배치된절연막, 상기반도체층과상기절연막을관통하여상기패드와연결된비아, 및상기반도체층을관통하며, 평면적관점에서상기패드를둘러싸는분리막을포함할수 있다.

    Abstract translation: 半导体器件包括设置在半导体层上的焊盘,设置在半导体层和焊盘之间的绝缘层,穿透半导体层和绝缘层的贯通孔,以连接到焊盘,并且隔离层穿透 半导体层并且从俯视图观察时围绕该衬垫。

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