公开(公告)号：KR1019970052018A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950067546

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍동표 ,  윤태진 ,  김상학 ,  변대일

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 스퍼터링 장비에서의 브룩스 밸브와 제조 공정의 챔버 사이에 에어 밸브를 구비하여, 상기 스퍼터링 장비의 백업 시간을 단축시킬 뿐만 아니라 불필요한 지연 시간을 스퍼터링 장비의 백업 시간을 단축시킬 뿐만 아니라 불필요한 지연 시간을 줄일 수 있는 스퍼터링 장비의 밸브 장치에 관한 것이다. 스퍼터링 장비에 제2에어 밸브를 구비하므로써, 상기의 예방 정비 단계가 끝나더라도 제1에어 밸브의 전단까지의 가스를 펌핑할 필요가 없고, 상기 제2에어 밸브의 전단까지만 가스를 펌핑하므로써, 그 만큼의 시간이 줄어들게 된다. 뿐만 아니라, 상기의 민감한 브룩스 밸브에도 전혀 영향을 미치지 않게 된다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 스퍼터링 장비의 백업 시간을 단축시킬 수 있게 되어 반도체 장치의 스퍼터링 공정을 진행하는 시간을 줄일 수 있기 때문에 상기 스퍼터링 공정의 코스트를 낮출뿐만 아니라 반도체 장비의 가동률을 높힐 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020010010010A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990028682

申请日：1999-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  변대일

IPC: C23C14/26

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/34

Abstract: PURPOSE: A vacuum chamber for metal deposition is provided to prevent reduction of a life cycle of an ion gauge and deterioration of accuracy of vacuum indication, and decrease defects in the metal deposition process, thereby increasing a process reliability by simultaneously opening or closing a valve for an ion gauge together with a high vacuum valve between a body and a pump. CONSTITUTION: A vacuum chamber for metal deposition comprises a body (10) for securing a sealed inner space for metal deposition; a pump (20) which is continuously connected with an inner space of the body (10) through a high vacuum valve (30), thereby pumping to make the inner space of the body (10) be in a vacuum state; an ion gauge (40) for checking the vacuum state of the inner space of the body (10); and a valve (50) for the ion gauge which is installed between other partial area of side surface of the body (10) and the ion gauge (40), thereby protecting the ion gauge (40). The valve (50) for the ion gauge is interlocked to the high vacuum valve (30) so as to be driven along with it. A controlling signal of the high vacuum valve (30) is commonly impressed so that the valve (50) for the ion gauge is opened or closed along with the high vacuum valve (30).

Abstract translation: 目的：提供一种用于金属沉积的真空室，以防止离子计的寿命周期缩短和真空指示精度降低，并减少金属沉积过程中的缺陷，从而通过同时打开或关闭阀门来提高工艺可靠性 用于离子计与主体和泵之间的高真空阀。 构成：用于金属沉积的真空室包括用于固定用于金属沉积的密封内部空间的本体（10）; 泵（20），其通过高真空阀（30）与主体（10）的内部空间连续地连接，从而泵送以使得主体（10）的内部空间处于真空状态; 用于检查所述主体（10）的内部空间的真空状态的离子计（40）; 以及安装在本体（10）的侧面的其他部分区域与离子计（40）之间的用于离子计的阀（50），从而保护离子计（40）。 用于离子计的阀（50）与高真空阀（30）互锁以便与其一起驱动。 通常施加高真空阀（30）的控制信号，使得用于离子计的阀（50）与高真空阀（30）一起打开或关闭。

公开(公告)号：KR1020020006277A

公开(公告)日：2002-01-19

申请号：KR1020000039849

申请日：2000-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변대일

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for handling a wafer is provided to minimize damage to a wrinkle pipe and to prevent air from being induced from the exterior to the inside of a process chamber, by installing the wrinkle pipe on the outside of the process chamber wherein the wrinkle pipe vertically transfers a lift hoop to which the wafer is loaded. CONSTITUTION: The handling apparatus transfers and aligns the wafer in a vacuum state. The wrinkle hoop(106) which vertically transfers the lift hoop(102) is installed outside the process chamber(100). An O-ring(104) for sealing the process chamber is installed between the process chamber and the wrinkle pipe. A cover part for protecting the wrinkle pipe from the exterior surroundings is formed outside the wrinkle pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理晶片的装置，以使皱纹管的损伤最小化，并且通过将皱纹管安装在处理室的外部，以防止空气从处理室的外部引入到内部，其中皱纹 管道垂直地传送装载晶片的提升环。 构成：处理装置在真空状态下传送和对准晶片。 垂直传送提升环（102）的褶皱环（106）安装在处理室（100）的外部。 用于密封处理室的O形环（104）安装在处理室和皱纹管之间。 在皱纹管的外部形成有用于将皱纹管从外部周围保护的盖部。

公开(公告)号：KR1020010046787A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990050691

申请日：1999-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상초 ,  변대일 ,  박영권 ,  윤용조

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/58

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a shield and a chamber for metal deposition is provided to improve productivity by simplifying the cleaning process and reducing the preparation time so as to solve the problems that an existing cleaning method is complicated and requires lots of time. CONSTITUTION: The method comprises the steps of mounting a dummy wafer on a wafer stage (S102) after completing the metal deposition process (S100); excitating an RF power of 100 to 400 MHz to a shield installed inside the chamber with spaced apart from the chamber in a certain distance (S104); infusing chlorine (Cl2) gas into the chamber (S106); and infusing an argon (Ar) gas into the chamber (S108), wherein the infusion of the chlorine gas is performed for 1 to 8 hours, the infusion of the argon gas is performed for 30 minutes to 3 hours, a temperature inside the chamber during the infusion of the gases is in the range of an ordinary temperature to 500 deg.C, and wherein the metal is aluminum or titanium.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁金属沉积的屏蔽和室的方法，通过简化清洗过程和缩短制备时间来提高生产率，以解决现有清洗方法复杂且需要大量时间的问题。 方法：该方法包括以下步骤：在完成金属沉积工艺之后，在晶圆台上安装虚设晶片（S102）（S100）; 激发100〜400MHz的RF功率到安装在室内的屏蔽件，其间隔开一定距离（S104）; 将氯（Cl 2）气体注入到室中（S106）; 并将氩（Ar）气体注入到室中（S108），其中氯气的输入进行1至8小时，氩气的输入进行30分钟至3小时，腔室内的温度 在气体输入期间在常温至500摄氏度的范围内，并且其中金属是铝或钛。

公开(公告)号：KR1020010096337A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：KR1020000020427

申请日：2000-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변대일

IPC: H01L21/203

Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to prevent generation of particles and to improve a yield by uniformly cooling entire surface of a target using an edge cooling circuit. CONSTITUTION: Target parts of the sputtering apparatus comprises a target(5), a cover(8) and a magnet(4). An O-ring(7) is formed between the target(5) and the cover(8). At this time, two cooling circuits are formed at the cover(8). A first cooling circuit is cooled in the interior part of the target(5), and a second cooling circuit(6) is cooled in the edge section of the target(5). That is, the sputtering apparatus having a cooling system further includes an edge cooling circuit.

Abstract translation: 目的：提供溅射装置以防止颗粒的产生，并且通过使用边缘冷却回路均匀地冷却靶的整个表面来提高产量。 构成：溅射装置的目标部分包括靶（5），盖（8）和磁体（4）。 在目标（5）和盖（8）之间形成O形环（7）。 此时，在盖（8）上形成两个冷却回路。 第一冷却回路在目标（5）的内部被冷却，第二冷却回路（6）在目标（5）的边缘部分被冷却。 也就是说，具有冷却系统的溅射装置还包括边缘冷却回路。

公开(公告)号：KR1020000030987A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980046763

申请日：1998-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈 ,  변대일 ,  최성철 ,  최영권

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A lift finger for nitric titanium is provided to be used for a chamber for nitric titanium or an aluminum process by changing inclination of end portion of the lift finger. CONSTITUTION: The lift finger(10) compensates location of a clamp(104) which prevents wafers from running away. Inclination of a lift finger(10) is same as that of a lift finger for aluminum. Outter shape and length of the lift finger(10) are different from those of the lift finger for aluminum. A slot(106) for the lift finger(10) in the clamp(104) is occluded to not only end-edge but declined portion of the lift finger(10), so that the clamp(104) does not move. Thereby, the lift finger(10) can be used for a chamber for nitric titanium or an aluminum process.

Abstract translation: 目的：提供硝酸钛的提升手指，用于通过改变升降手指的端部的倾斜度来用于硝酸钛或铝工艺的室。 构成：升降手指（10）补偿夹具（104）的位置，防止晶片脱落。 升降手指（10）的倾斜与用于铝的提升手指的倾斜相同。 升降手指（10）的外形和长度与用于铝的提升手指的外形和长度不同。 用于夹具（104）中的提升指（10）的槽（106）不仅被提升手指（10）的端边缘但是下降的部分封闭，使得夹具（104）不移动。 因此，提升指（10）可以用于硝酸钛或铝工艺的室。

公开(公告)号：KR100224569B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960012153

申请日：1996-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이필욱 ,  장대근 ,  홍동표 ,  변대일

IPC: H02M5/00

Abstract: 본 발명은 전력 공급 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 다수의 전력 공급기로 부터 서로 다른 소정 파워를 다수의 각 모듈로 공급하기 위한 전력 공급 장치는, 전원을 입력하기 위한 전원 입력부와; 상기 전원 입력부로 부터의 전원을 입력받아 사용자의 선택에 따라 상기 다수의 모듈중 하나를 선택하고, 다수의 전력 공급기로 부터의 파워를 상기 선택된 모듈로 공급하는 전력 공곱부로 구성된다 또한, 상기 전력 공급부는, 다수의 전력 공급기로 부터 서로 다른 소정 파워를 다수의 각 모듈로 동시에 공급하기 바이패스 수단과; 상기 바이패스 수단을 선택하였을때, 상기 다수의 각 모듈로 부터 역류되는 파워를 차단하기 위한 역류 차단 수단을 더 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 전력 공급 장치로 부터 떨어진 서비스 에리어내에서도 상기 전력 공급 장치가 정상적으로 동작하는가의 여부를 알 수 있도룩 상기 전력 공급 장치의 동작 상태를 나타내는 리모트 표시부가 상기 전력 공급부의 각 수단과 연결되어 구성된다. 이러한 발명에 의해서, 다수의 모듈에 파워를 전달하는 각 전력선에 추가로 아크 억제기를 설치하지 않고, 전력 공급 장치와 아크 억제기를 포함하는 시스템 제어 랙을 설치하여 하나의 아크 억제기만을 사용하여 각 모뉼로 파워를 공급할 수 있다

公开(公告)号：KR2019970046753U

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR2019950038102

申请日：1995-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈 ,  이태상 ,  변대일 ,  윤태진

IPC: H01L21/3205

Abstract: 본고안은반도체웨이퍼의금속막증착(DEPOSITION) 가공설비인진공챔버(VACUUM CHAMBER)의히터테이블핀에관한것으로써, 보다상세하게는진공챔버내에설치되어웨이퍼가안착되도록히터테이블의업/다운을위한핀 어셈블리와핀을상호분리시킨진공챔버히터테이블의핀(PIN) 연결구조에관한것으로히터테이블, 상기히터테이블의삽입구에형성된핀홀에핀이삽지되어업/다운되도록핀 어셈블리가장착된웨이퍼증착용진공챔버에있어서, 상기핀 어셈블리와핀을분리시킴으로수리와교체가간편하게됨을특징으로하는진공챔버히터테이블의핀(PIN) 연결구조.

公开(公告)号：KR1020030087334A

公开(公告)日：2003-11-14

申请号：KR1020020025351

申请日：2002-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변대일

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer clamping apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to be capable of carrying out a semiconductor manufacturing process at the edge portion of a wafer by carrying out a depositing process and a dry etching process after spacing a clamp apart from the wafer. CONSTITUTION: A semiconductor wafer clamping apparatus is used for clamping a wafer(4) located on a wafer stage(20) by using a clamp(22). At this time, the clamp is capable of being minutely controlled by using a stepping motor according to step value. Preferably, a semiconductor manufacturing process is carried out after spacing the clamp apart from the wafer as much as 2-4 mm. Preferably, the semiconductor manufacturing process is one selected from a group consisting of a depositing process and a dry etching process.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体晶片夹紧装置及其制造方法，该半导体晶片夹持装置和半导体装置的制造方法能够通过在间隔之后执行沉积处理和干蚀刻处理，在晶片的边缘部分进行半导体制造工艺 与晶片分开的夹具。 构成：半导体晶片夹持装置用于通过使用夹具（22）夹紧位于晶片台（20）上的晶片（4）。 此时，可以通过使用步进电机根据步进值精细地控制夹具。 优选地，在将夹具与晶片隔开多达2-4mm之后进行半导体制造工艺。 优选地，半导体制造工艺是从由沉积工艺和干蚀刻工艺组成的组中选择的工艺。

公开(公告)号：KR1020010036741A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990043867

申请日：1999-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변대일

IPC: G01L19/00

Abstract: PURPOSE: A gauge of a regulator is provided to provide a convenience to an operator by allowing the operator to easily recognize an upper limit and a lower limit from a standard value of desired liquid. CONSTITUTION: A gauge of the regulator includes a gauge body(14), a scale board(16) formed in a fixed interval from a side of the gauge body and having a plurality of scales for indicating a prescribed value, a pointer(18) located on the scale board and moved by the movement of an instrumentation part on the scale board, and a spectrum plate(40) located on an upper surface of the scale board for indicating a range of upper limit and lower limit from the standard value of the pointer. The spectrum board is divided into three sections. In the spectrum board, a standard range(42) including the standard value is indicated in green color and both danger range(46) besides the standard range are indicated in red color.

Abstract translation: 目的：提供调节器的量规，通过允许操作者从所需液体的标准值容易地识别上限和下限来为操作者提供方便。 构成：调压器的量规包括测量体（14），刻度板（16），其从测量体的一侧以固定的间隔形成并具有用于指示规定值的多个刻度，指针（18） 位于秤板上并通过仪表板的移动而移动到秤板上，以及位于刻度板的上表面上的光谱板（40），用于从标尺板的标准值表示上限和下限的范围 指针。 光谱板分为三个部分。 在光谱板中，包括标准值的标准范围（42）以绿色表示，除标准范围之外的危险范围（46）均以红色表示。