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    코일을 포함한 스퍼터링 증착 장치
    5.
    发明公开
    코일을 포함한 스퍼터링 증착 장치 无效
    带线圈的溅射沉积装置

    公开(公告)号：KR1020020041223A

    公开(公告)日：2002-06-01

    申请号：KR1020000071032

    申请日：2000-11-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권기훈 ,  박병석 ,  윤태진 ,  장대근

    IPC: C23C14/34

    CPC classification number: H01J37/3411 ,  H01J37/32036

    Abstract: PURPOSE: A sputtering deposition apparatus is provided to reduce contact resistance, thereby reduces loss of current through the straight type contact surface by increasing a contact surface between a feedthrough bar and a connection part of a coil. CONSTITUTION: The sputtering deposition apparatus with coil comprises a reaction chamber; a wafer put inside the reaction chamber; a source molecular target arranged inside the reaction chamber; a feedthrough bar which is arranged between the wafer and the source molecular target inside the reaction chamber, and one end of which chambered; and a coil which has a contacted connection part correspondingly to one end of the feedthrough bar, and which is formed between the wafer and the source molecular target so that the coil forms a plane parallel to a plane of the wafer, wherein a DC current is supplied into the coil through the feedthrough bar, the coil is formed in a circular shape, and the feedthrough bar is connected to the connection part of the coil by a screw.

    Abstract translation: 目的：提供溅射沉积设备以减少接触电阻，从而通过增加馈通杆和线圈的连接部分之间的接触表面来减少通过直型接触表面的电流损失。 构成：具有线圈的溅射沉积设备包括反应室; 将晶片放置在反应室内; 设置在反应室内的源分子靶; 馈通杆，其布置在反应室内的晶片和源分子靶之间，并且其一端腔室; 以及线圈，其具有对应于所述馈通杆的一端的接触连接部，并且形成在所述晶片和所述源分子靶之间，使得所述线圈形成平行于所述晶片的平面的平面，其中DC电流为 通过馈通杆供给到线圈中，线圈形成为圆形，并且馈通杆通过螺钉连接到线圈的连接部分。

    가열램프의 용량을 개선한 ＲＴＰ장비
    6.
    发明公开
    가열램프의 용량을 개선한 ＲＴＰ장비 无效
    RTP设备具有改进的加热灯容量

    公开(公告)号：KR1019990031284A

    公开(公告)日：1999-05-06

    申请号：KR1019970051938

    申请日：1997-10-10

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장대근 ,  이용위 ,  조풍연 ,  문수민

    IPC: H01L21/324

    Abstract: 본 발명은 가열램프의 용량을 개선한 RTP (Rapid Thermal Process)장비에 관한 것으로서, 웨이퍼를 어닐링(annealing)하는 RTP장비의 가열램프들에 있어서, 가열램프부의 가장자리에 구성되는 가열램프들은 가장자리에 존재하기 때문에, 열손실이 생기고, 그를 보충하기 위한 높은 전원 공급에 의해 가열램프들의 손상이 일어나게 된다. 그러므로 가열램프부의 가장자리에 구성되는 가열램프들의 용량을 기존에 사용된 가열램프들보다 큰 것으로 사용해줌으로써, 가열램프의 수명을 길게 할 수 있으며, 그 만큼 작업효율이 증가하는 이점이 있다.

    이온 게이지
    7.
    发明公开
    이온 게이지 无效
    离子测量仪

    公开(公告)号：KR1019970053252A

    公开(公告)日：1997-07-31

    申请号：KR1019950059269

    申请日：1995-12-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장대근 ,  전일환 ,  윤태진 ,  김종삼

    IPC: H01L21/66

    Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조장치에서 고진공을 사용하는 프로세스챔버의 고진공정도를 측정하는 이온 게이지에 관한 것으로서, 전자를 방출하는 필라멘트(16)의 정위치이탈을 검출하는 핀 커버(14)와, 상기 방출되는 전자를 가속시키는 그리드(18)와, 상기 가속된 전자를 집속시켜서 전기적신호로 변화시키는 콜렉터(20)를 튜브(10)내에 구비하고, 그리고 상기 필라멘트(16)가 상기 핀커버(14)의 상부에 전기적으로 절연되면서 지지되게 하는 적어도 3지점에 설치된 지지용 세라믹(22a, 22b, 22c)를 갖는 절연지지대에 의해 고정된다. 상술한 이온 게이지에 의하면, 조그마한 충격에 의해서 필라멘트가 끊어지기 전에는 그 필라멘트가 핀커버의 정위치에서 이탈되지 않으므로 전원공급단자에 어떠한 손상도 끼치지 않게 된다.

    돔 쉴드의 플레이크 방지 방법
    10.
    发明公开
    돔 쉴드의 플레이크 방지 방법 无效
    防止镜面破裂的方法

    公开(公告)号：KR1020020069695A

    公开(公告)日：2002-09-05

    申请号：KR1020010010018

    申请日：2001-02-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장대근 ,  박병석 ,  이광제 ,  권기훈 ,  고영학

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: PURPOSE: A method for preventing flakes of a dome shield is provided to prevent a wafer from being contaminated by particles like etch byproducts, by coating an aluminum layer on the dome shield. CONSTITUTION: The surface of the dome shield(12) is coated with an aluminum layer to prevent the etch byproducts(14) fixed to the surface of the dome shield from being desorbed from the surface of the dome shield. A dummy wafer coated with aluminum is introduced to the inside of a plasma etch chamber and is dry-etched by using radio frequency so that the surface of the dome shield is coated with the aluminum separated from the surface of the dummy wafer.

    Abstract translation: 目的：提供一种防止圆顶罩的薄片的方法，以防止晶片被诸如蚀刻副产物的颗粒污染，通过在圆顶罩上涂覆铝层。 构成：圆顶罩（12）的表面涂覆有铝层，以防止固定在圆顶罩表面上的蚀刻副产物（14）从圆顶罩的表面脱离。 将涂覆有铝的虚拟晶片引入等离子体蚀刻室的内部，并通过使用射频进行干蚀刻，使得圆顶罩的表面涂覆有与虚设晶片表面分离的铝。

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