公开(公告)号：KR1020060039115A

公开(公告)日：2006-05-08

申请号：KR1020040088172

申请日：2004-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명의 반도체 알에프(RF) 식각챔버는, 알에프 파워를 이용하여 반도체웨이퍼상의 타겟 막질을 식각하기 위한 것이다. 이와 같은 알에프 식각챔버 내에서 반도체웨이퍼를 지지하기 위한 반도체웨이퍼 지지부는, 하부의 쿼츠 피데스탈과 쿼츠 피데스탈 위의 금속 피데스탈과, 그리고 금속 피데스탈 위에 배치되는 보호용 피데스탈을 포함한다. 이에 따르면, 아르곤과 같은 반응가스에 의해 쿼츠 피데스탈 및 금속 피데스탈의 원하지 않는 식각이 발생하는 것을 억제할 수 있으며, 그에 따른 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020069695A

公开(公告)日：2002-09-05

申请号：KR1020010010018

申请日：2001-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장대근 ,  박병석 ,  이광제 ,  권기훈 ,  고영학

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method for preventing flakes of a dome shield is provided to prevent a wafer from being contaminated by particles like etch byproducts, by coating an aluminum layer on the dome shield. CONSTITUTION: The surface of the dome shield(12) is coated with an aluminum layer to prevent the etch byproducts(14) fixed to the surface of the dome shield from being desorbed from the surface of the dome shield. A dummy wafer coated with aluminum is introduced to the inside of a plasma etch chamber and is dry-etched by using radio frequency so that the surface of the dome shield is coated with the aluminum separated from the surface of the dummy wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种防止圆顶罩的薄片的方法，以防止晶片被诸如蚀刻副产物的颗粒污染，通过在圆顶罩上涂覆铝层。 构成：圆顶罩（12）的表面涂覆有铝层，以防止固定在圆顶罩表面上的蚀刻副产物（14）从圆顶罩的表面脱离。 将涂覆有铝的虚拟晶片引入等离子体蚀刻室的内部，并通过使用射频进行干蚀刻，使得圆顶罩的表面涂覆有与虚设晶片表面分离的铝。

公开(公告)号：KR1020020035973A

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：KR1020000065815

申请日：2000-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A lid apparatus of a chemical vapor deposition(CVD) chamber is provided to prevent coolant from being contaminated by a defective O-ring when a cleaning process is performed in a shield change after a CVD process is carried out. CONSTITUTION: A gas manifold(50) and a gas box(60) are built in one body in the lid apparatus of the CVD chamber. The coolant filled in the gas box in a cleaning process is prevented from being induced to a gas flow port to prevent contamination in a bake apparatus for fabricating a semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供化学气相沉积（CVD）室的盖装置，以在执行CVD处理之后在屏蔽变化中执行清洁处理时防止冷却剂被有缺陷的O形环污染。 构成：在CVD室的盖装置中将一个气体歧管（50）和一个气体箱（60）内置在一个体内。 在清洁过程中填充在气体箱中的冷却剂被阻止被引导到气体流动端口，以防止用于制造半导体的烘烤装置中的污染。

公开(公告)号：KR1019970072124A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960009691

申请日：1996-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전일환 ,  권기훈 ,  박병석 ,  김상학

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 세정에 사용하는 청정용 소재에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 청정용 소재는 천이나 종이와 같은 고형 청정용 소재와 유기용액을 포함하고 있는 반도체장치의 청정용 소재에 있어서, 상기 고형 청정용 소재와 유기용액은 결합된 상태인 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 의한 청정용 소재는 사용상에 있어서의 번거로움이 없다. 또한 유기용액을 다른 소재와 결합시켜 보관하므로 휘발에 의한 소모가 작아서 원가절감의 효과가 있다. 한마디로, 본 발명에 의한 청정용소재는 취급에 있어서 위험성이 없고 사용이 쉬우며 간편하다.

公开(公告)号：KR1020000019585A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980037761

申请日：1998-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈 ,  홍동표 ,  윤태진 ,  고영학

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A clamp prevents a supporting part of the clamp from contacting with a side of a wafer. CONSTITUTION: A clamp(110) prevents to contact with a wafer(112) after sputtering process by changing the structure of the clamp fixing the wafer placed on a heating plate(114). The wafer is heated after fixed by the clamp, and placed on the heating plate in a reactor for performing the sputtering process. The clamp comprises a cylindrical supporting part(116) projected vertically on one side of a ring-shaped circular plate. The inside diameter of the supporting part is larger than the diameter of the wafer by more than 1 mm.

Abstract translation: 目的：夹具防止夹具的支撑部分与晶片的一侧接触。 构成：夹具（110）通过改变固定放置在加热板（114）上的晶片的夹具的结构，防止在溅射工艺之后与晶片（112）接触。 通过夹具固定晶片，并在用于进行溅射处理的反应器中放置在加热板上。 夹具包括在环形圆板的一侧垂直投影的圆柱形支撑部分（116）。 支撑部分的内径大于晶片的直径大于1mm。

公开(公告)号：KR1019990032095A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970053028

申请日：1997-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 물리 기상 증착을 위한 반응실(Chamber)의 차폐물(Shield) 조립부에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 물리 기상 증착 반응실에서 웨이퍼에 금속 박막을 형성하기 위해서 스퍼터링을 할 때, 반응실 내벽을 보호하는 차폐물을 반응실에 장착하기 위한 어댑터에 그을음이 생기지 않도록 보호하는 어댑터 보호용 차폐물을 갖는 차폐물 조립부에 관한 것이다. 진공 하에서 플라즈마를 이용하는 스퍼터링에서는 웨이퍼뿐만 아니라 반응실 내벽에도 박막이 증착되므로 스퍼터링 설비에서는 반응실 내벽을 보호하는 차폐물을 장착한다. 그러나 상기 차폐물을 반응실에 장착하기 위한 어댑터는 상기 차폐물에 의해 보호받지 못한다. 본 발명의 어댑터 보호용 차폐물은 어댑터에 그을음이 생기는 것을 방지하여 어댑터를 세척하는 불편함을 제거하고, 세척 과정에서 발생할 수 있는 흠집을 사전에 예방하기 위한 것이다.

公开(公告)号：KR1020010053749A

公开(公告)日：2001-07-02

申请号：KR1019990054244

申请日：1999-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈 ,  윤태진 ,  장대근 ,  김진복

IPC: H01L21/18

Abstract: PURPOSE: An ionic metal plasma deposition apparatus is provided to improve adhesion of particles, which are liberated from a target and then deposited on a ring-type coil, and thereby to prevent a surface of a wafer from being polluted by the particles separated from the ring-type coil due to poor adhesion. CONSTITUTION: In the apparatus, the target is placed under a cathode electrode located in an upper part of a vacuum chamber, and the wafer is disposed on an anode electrode spaced apart from the confronting cathode electrode. The ring-type coil is interposed between the cathode electrode and the anode electrode. Particularly, the ring-type coil has a rough surface treated with bead or knurl. Therefore, owing to increased surface roughness, the particles deposited on the surface of the ring-type coil are completely adhered thereto without polluting the surface of the wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种离子金属等离子体沉积装置，以改善从靶材释放出来然后沉积在环型线圈上的颗粒的粘附性，从而防止晶片的表面被从 环型线圈由于附着力差。 构成：在该装置中，将靶放置在位于真空室的上部的阴极电极的下方，将晶片配置在与相对的阴极电极间隔开的阳极电极上。 环状线圈插入在阴极电极和阳极电极之间。 特别地，环型线圈具有用珠或滚花处理的粗糙表面。 因此，由于表面粗糙度增加，沉积在环型线圈表面上的颗粒完全粘附在其上而不会污染晶片的表面。

公开(公告)号：KR2019970046838U

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR2019950042964

申请日：1995-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변대일 ,  이필욱 ,  홍동표 ,  권기훈

IPC: H01L21/68

Abstract: 본고안은커버가장착된베로우즈에관한것으로서, 본고안은외부로부터의이 물질침투를방지할수 있는커버가장착된벨로우즈를제공하는데그 목적을두고있다. 상기의목적을달성하기위한본 고안에의한커버가장착된벨로우즈는진공챔버의일정한지점에일정형상으로형성되어고정되어있는고정부재와, 상기고정부재와대향되어상하왕복운동하는운동부재와, 상기운동부재와고정부재에그 상하단부가각각밀착결합되어공기의흡입또는배출에의해서팽창또는압축되는신축부재와, 상기신축부재의상하왕복운동시 신축부재에이 물질이침투하지못하도록고정부재와운동부재에각각장착되어있는커버로구성됨을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020070034314A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：KR1020050088860

申请日：2005-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68707

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 이송 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 이송용 블레이드에 관한 것이다. 종래 웨이퍼 이송용 블레이드 구조를 개선하여 상기 블레이드에 웨이퍼가 안착되는 안착홈의 외주면으로 일정한 기울기를 가지는 경사부 및 웨이퍼 이탈을 방지하는 수직부를 형성한다. 그 결과, 상기 블레이드에 웨이퍼가 비정상적으로 안착된 경우에도 웨이퍼가 경사부의 미끄럼 및 수직부에 의하여 재 이탈이 방지되어 정상적으로 웨이퍼가 안착될 수 있도록 유도된다. 이러한 이유로, 비정상적으로 안착된 웨이퍼가 상기 블레이드에서 이탈 및 파손 방지가 가능하므로 공정상의 수율을 향상시킬 수 있다.
웨이퍼 이송 장치, 로봇암, 블레이드

公开(公告)号：KR1020000030987A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980046763

申请日：1998-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈 ,  변대일 ,  최성철 ,  최영권

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A lift finger for nitric titanium is provided to be used for a chamber for nitric titanium or an aluminum process by changing inclination of end portion of the lift finger. CONSTITUTION: The lift finger(10) compensates location of a clamp(104) which prevents wafers from running away. Inclination of a lift finger(10) is same as that of a lift finger for aluminum. Outter shape and length of the lift finger(10) are different from those of the lift finger for aluminum. A slot(106) for the lift finger(10) in the clamp(104) is occluded to not only end-edge but declined portion of the lift finger(10), so that the clamp(104) does not move. Thereby, the lift finger(10) can be used for a chamber for nitric titanium or an aluminum process.

Abstract translation: 目的：提供硝酸钛的提升手指，用于通过改变升降手指的端部的倾斜度来用于硝酸钛或铝工艺的室。 构成：升降手指（10）补偿夹具（104）的位置，防止晶片脱落。 升降手指（10）的倾斜与用于铝的提升手指的倾斜相同。 升降手指（10）的外形和长度与用于铝的提升手指的外形和长度不同。 用于夹具（104）中的提升指（10）的槽（106）不仅被提升手指（10）的端边缘但是下降的部分封闭，使得夹具（104）不移动。 因此，提升指（10）可以用于硝酸钛或铝工艺的室。