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公开(公告)号：KR101159075B1
公开(公告)日：2012-06-25
申请号：KR1020060058098
申请日：2006-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
Abstract: 본 발명은 n+ 계면층을 구비한 가변저항 랜덤액세스 메모리소자에 관한 것이다. 개시된 메모리 소자는, 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 n+ 계면층; 상기 n+ 계면층 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되며 가변 저항 특성을 지닌 산화물층; 및 상기 산화물층 상에 형성된 상부 전극;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020070107861A
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：KR1020060040389
申请日：2006-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: A variable resistance memory device having a buffer layer which is formed on a bottom electrode is provided to be used as a cross type memory device having stable switching property as a simple structure, and to be able to provide a non volatile memory device by forming a buffer layer between a top electrode and a memory mode. A non volatile memory device including a variable resistance material includes a bottom electrode(20), a buffer layer(22), an oxide layer(24) and an top electrode(26). The buffer layer is formed with an oxidized substance on the bottom electrode. The oxide layer having a variable resistance property is formed on the buffer layer. The top electrode is formed on the oxide layer.
Abstract translation: 具有形成在底部电极上的缓冲层的可变电阻存储器件被设置为作为简单结构具有稳定的开关特性的交叉型存储器件，并且能够通过形成非易失性存储器件来提供非易失性存储器件 在顶部电极和存储器模式之间的缓冲层。 包括可变电阻材料的非易失性存储器件包括底部电极（20），缓冲层（22），氧化物层（24）和顶部电极（26）。 缓冲层在底部电极上形成氧化物质。 在缓冲层上形成具有可变电阻特性的氧化物层。 顶部电极形成在氧化物层上。
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公开(公告)号：KR1020070066117A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050126912
申请日：2005-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: A surface electron emission device and a display device having the same are provided to improve electron emission efficiency by forming a fullerene layer having high tension on an upper electrode. A surface electron emission device includes a lower electrode(312), an insulating layer(314), an upper electrode(319), and a nano-structure layer(320). The lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are laminated sequentially. The nano-structure layer is formed on electrode layer. The nano-structure layer is formed with a carbon nano-structure layer. The carbon nano-structure layer is formed with a fullerene layer. The nano-structure layer has a thickness of 0.2 to 20nm.
Abstract translation: 提供一种表面电子发射器件及其显示器件，以通过在上部电极上形成具有高张力的富勒烯层来提高电子发射效率。 表面电子发射器件包括下电极（312），绝缘层（314），上电极（319）和纳米结构层（320）。 依次层叠下电极，绝缘层和上电极。 纳米结构层形成在电极层上。 纳米结构层由碳纳米结构层形成。 碳纳米结构层由富勒烯层形成。 纳米结构层的厚度为0.2〜20nm。
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公开(公告)号：KR101275800B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020060038844
申请日：2006-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 본 발명은 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 제 1산화층; 상기 제 1 산화층 상에 형성되며 가변 저항 특성을 지닌 제 2산화층; 상기 제 2산화층 상에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100803207B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020050126912
申请日：2005-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 표면전자 방출소자 및 그를 구비한 디스플레이 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 표면전자 방출소자는 순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극와, 상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100738089B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020050135840
申请日：2005-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L29/786 , B82Y35/00
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G02F2001/136254 , H01L27/1214
Abstract: 본 발명은 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치에 관한 것이다. 게이트 라인, 소스 라인, 상기 게이트 라인과 상기 소스 라인에 연결된 다수의 박막 트랜지스터, 상기 다수의 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 TFT 어레이의 검사 장치에 있어서, 상기 TFT 어레이와 대향되게 형성되며, 제 1방향으로 형성된 제 1전극; 상기 제 1전극과 상기 화소 전극이 형성된 영역과 대응되는 영역에서 교차하여 제 2방향으로 형성된 제 2전극; 및 상기 제 1전극 및 제 2전극의 교차하는 영역의 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이에 상기 화소 전극에 대응하도록 형성된 절연층;을 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020070071964A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050135840
申请日：2005-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L29/786 , B82Y35/00
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G02F2001/136254 , H01L27/1214
Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) inspecting apparatus is provided to cut an inspecting time by using a surface electron emission device array corresponding to an inspection object TFT array. A TFT inspecting apparatus includes a first electrode, a second electrode, and an insulating layer. The first electrode(101) is formed opposite to a TFT array in a first direction. The second electrode(105) is formed in a second direction. The insulating layer is interposed between the first and the second electrodes. The insulating layer is composed of a first insulating layer(102), a metal film(103) and a second insulating layer(104).
Abstract translation: 提供了一种TFT（薄膜晶体管）检查装置，通过使用与检查对象TFT阵列相对应的表面电子发射器件阵列来切断检查时间。 TFT检查装置包括第一电极，第二电极和绝缘层。 第一电极（101）在第一方向上与TFT阵列相对地形成。 第二电极（105）沿第二方向形成。 绝缘层介于第一和第二电极之间。 绝缘层由第一绝缘层（102），金属膜（103）和第二绝缘层（104）构成。
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公开(公告)号：KR101239962B1
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020060040389
申请日：2006-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 본 발명은 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 산화물로 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되며 가변 저항 특성을 지닌 산화층; 및 상기 산화층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 가변 저항 메모리 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020080000358A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060058098
申请日：2006-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90 , G11C13/0004
Abstract: A variable resistance random access memory is provided to use a low-cost metal as a lower electrode by forming an n+ interface layer between the lower electrode and an n buffer layer and to decrease a manufacturing cost. A variable resistance random access memory includes a lower electrode(20), an n+ interface layer(22), a buffer layer(24), an oxide layer(26), and an upper electrode(28). The n+ interface layer is formed on the lower electrode. The buffer layer is formed on the n+ interface layer. The oxide layer is formed on the buffer layer and has a variable resistance. The upper electrode is formed on the oxide film. The oxide film is made of a p-type transition metal oxide.
Abstract translation: 提供了一种可变电阻随机存取存储器，通过在下电极和n缓冲层之间形成n +界面层来降低制造成本，从而将低成本金属用作下电极。 可变电阻随机存取存储器包括下电极（20），n +界面层（22），缓冲层（24），氧化物层（26）和上电极（28）。 n +界面层形成在下电极上。 缓冲层形成在n +界面层上。 氧化物层形成在缓冲层上并具有可变电阻。 上电极形成在氧化膜上。 氧化膜由p型过渡金属氧化物制成。
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公开(公告)号：KR1020070106224A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020060038844
申请日：2006-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: An NVM(non-volatile memory) device is provided to supply the NVM device with a stabilized operation characteristic by forming a buffer layer between an upper electrode and a memory node. A first oxide layer(22) is formed on a lower electrode(20). A second oxide layer(24) is formed on the first oxide layer, having a variable resistance characteristic. A buffer layer(26) is formed on the second oxide layer. An upper electrode(28) is formed on the buffer layer. The second oxide layer is formed of a p-type transition metal oxide. The buffer layer is formed of a p-type oxide.
Abstract translation: 提供NVM（非易失性存储器）装置，通过在上电极和存储器节点之间形成缓冲层来向NVM装置提供稳定的操作特性。 第一氧化物层（22）形成在下电极（20）上。 在第一氧化物层上形成具有可变电阻特性的第二氧化物层（24）。 在第二氧化物层上形成缓冲层（26）。 在缓冲层上形成上电极（28）。 第二氧化物层由p型过渡金属氧化物形成。 缓冲层由p型氧化物形成。
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