반도체 제조 장치
    1.
    发明公开
    반도체 제조 장치 无效
    用于制造半导体器件的装置

    公开(公告)号:KR1020080040863A

    公开(公告)日:2008-05-09

    申请号:KR1020060108779

    申请日:2006-11-06

    CPC classification number: H01L21/67242 H01L21/67098 H01L21/68714

    Abstract: An apparatus for fabricating semiconductor is provided to uniformly improve the warpage degree of a substrate by measuring the warpage phenomenon and a warpage degree of the substrate. An inspection unit(10) includes a support part for supporting a substrate, a first sensing part disposed in the support part, and at least one second sensing part disposed at one side of the support part. The first sensing part determines the warpage phenomenon of the substrate according as the first sensing part comes in contact with the lower surface of the substrate. The second sensing part irradiates light and compares the quantity of the irradiated light with the quantity of received light to detect the warpage degree of the substrate. A hot plate includes a plurality of sections capable of transferring toward the lower surface of the substrate so that portions of the lower surface of the substrate are uniformly heated according to the warpage degree of the detected substrate. A height control part controls the height of the sections in a manner that the sections come in contact with the portions of the lower surface of the substrate according to the warpage degree of the substrate. In the hot plate, the sections can be disposed in a radius direction and in a circumferential direction with respect to a center axis.

    Abstract translation: 提供半导体制造装置,通过测量基板的翘曲现象和翘曲程度,均匀地提高基板的翘曲度。 检查单元(10)包括用于支撑基板的支撑部分,设置在支撑部分中的第一感测部分和设置在支撑部分的一侧的至少一个第二感测部分。 第一检测部件根据第一感测部件与基板的下表面接触来确定基板的翘曲现象。 第二感测部照射光并将照射光量与接收光量进行比较,以检测基板的翘曲度。 热板包括能够朝向基板的下表面传递的多个部分,使得基板的下表面的一部分根据检测到的基板的翘曲程度被均匀地加热。 高度控制部件按照基板的翘曲度与基板的下表面的部分接触的方式控制部分的高度。 在热板中,这些部分可以相对于中心轴线在半径方向和圆周方向上设置。

    기판 세정 장치
    2.
    发明公开
    기판 세정 장치 无效
    清洁基材的装置

    公开(公告)号:KR1020070106835A

    公开(公告)日:2007-11-06

    申请号:KR1020060039168

    申请日:2006-05-01

    Abstract: A substrate cleaning apparatus is provided to clean effectively a photoresist layer existing on the edge and bevel of a substrate by including a nozzle having a slit-type entrance for sufficiently making a cleaning solution come in contact with the edge and bevel of the substrate. A substrate(10) having a photoresist layer(12) is supported by a chuck(102). The chuck is rotated by a driving part. A first supply part(104) supplies a cleaning solution through a nozzle(106) having a slit-type entrance for removing the photoresist existing on the edge and bevel of the upper surface of the substrate, installed over the chuck. A second supply part(108) supplies a cleaning solution for removing the photoresist on the edge and bevel of the lower surface of the substrate, installed under the substrate. A driving part straightly drives the first supply part and the second supply part to supply the cleaning solution to the edge and bevel of the substrate.

    Abstract translation: 提供了一种基板清洁装置,通过包括具有狭缝型入口的喷嘴来有效地清洁存在于基板的边缘和斜面上的光致抗蚀剂层,以使清洁溶液与基板的边缘和斜面接触。 具有光致抗蚀剂层(12)的基板(10)由卡盘(102)支撑。 卡盘由驱动部分旋转。 第一供应部分(104)通过具有狭缝型入口的喷嘴(106)提供清洁溶液,所述喷嘴(106)用于去除存在于安装在卡盘上的基板的边缘和斜面上的光致抗蚀剂。 第二供应部件(108)提供清洁溶液,用于去除安装在基板下方的基板的下表面的边缘和斜面上的光致抗蚀剂。 驱动部分直接驱动第一供应部分和第二供应部分,以将清洁溶液供应到基板的边缘和斜面。

    스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치
    3.
    发明公开
    스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치 无效
    清洗相同的阶段和方法以及具有该装置的曝光装置

    公开(公告)号:KR1020070036237A

    公开(公告)日:2007-04-03

    申请号:KR1020050091002

    申请日:2005-09-29

    Abstract: 스테이지 상에 잔류하는 오염물을 스테이지 손상 없이 제거하는 스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치에 있어서, 스테이지는 플레이트와, 상기 플레이트와 연결되어 상기 플레이트 상부면에 잔류하는 오염물을 나노 파티클로 분해시키기 위하여 열을 제공하는 가열부를 포함한다. 상기 플레이트 상부면 상에 오염물 유무를 체크한 후, 오염물이 잔류하는 경우 가열부를 이용하여 상기 오염물을 노광 공정에 영향을 미치지 않는 나노 크기의 파티클로 분해시켜 상기 오염물을 플레이트로부터 제거한다. 이로써, 상기 오염물을 제거하는 시간을 단축할 수 있으며, 오염물이 제거되는 동안 스테이지의 이동이 없어 이동에 의한 손상을 미연에 방지할 수 있다.

    반도체 웨이퍼 코팅 장치
    4.
    发明公开
    반도체 웨이퍼 코팅 장치 无效
    用于涂覆半导体基板的装置

    公开(公告)号:KR1020080026280A

    公开(公告)日:2008-03-25

    申请号:KR1020060091048

    申请日:2006-09-20

    CPC classification number: G03F7/162 G03F7/70716 G03F7/70808 H01L21/6715

    Abstract: An apparatus for coating a semiconductor substrate is provided to discharge gas by employing a heating unit on a mass flow controller so as to prevent impurities from the discharged gas from being extracted on the mass flow controller. An apparatus for coating a semiconductor substrate(100) comprises a chuck(110), a coating material feeder(130), a chamber(102), a discharge line(140a,b,c), a mass flow controller(150), and a heating unit(152). The chuck supports and rotates a semiconductor wafer(10). The coating material feeder supplies a coating material which contains a photoresist solution onto the wafer supported by the chuck. The chamber accommodates the chuck and the coating material feeder. The discharge line is connected to the chamber. The mass flow controller is installed on the discharge line to control the flow of discharged gas that moves along the discharge line. The heating unit including an electrically resistive heating wire(154), is connected to the mass flow controller to heat an internal passage of the mass flow controller, so that impurities are prevented from being extracted from the discharged gas passing through the mass flow controller.

    Abstract translation: 提供一种用于涂覆半导体衬底的装置,通过在质量流量控制器上采用加热单元来排出气体,以便防止来自排气的杂质在质量流量控制器上被抽出。 一种用于涂覆半导体衬底(100)的设备包括卡盘(110),涂料供料器(130),腔室(102),排出管线(140a,b,c),质量流量控制器(150) 和加热单元(152)。 卡盘支撑并旋转半导体晶片(10)。 涂料供料器将包含光致抗蚀剂溶液的涂料供给到由卡盘支撑的晶片上。 该室容纳卡盘和涂料供料器。 排放管线连接到室。 质量流量控制器安装在排放管线上,以控制沿着排放管路移动的排放气体的流量。 包括电阻加热线(154)的加热单元连接到质量流量控制器以加热质量流量控制器的内部通道,从而防止从通过质量流量控制器的排放气体中提取杂质。

    웨이퍼 에지 노광장치
    7.
    发明公开
    웨이퍼 에지 노광장치 失效
    晶圆边缘曝光装置

    公开(公告)号:KR1020060036155A

    公开(公告)日:2006-04-28

    申请号:KR1020040085184

    申请日:2004-10-25

    CPC classification number: G03F9/7007 G03F7/2022 G03F7/70991 H01L21/67259

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼 에지 노광장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 웨이퍼 에지부의 감광막을 제거하는 웨이퍼 에지 노광장치에 있어서, 척을 중심으로 양측에 각각 구비되는 버퍼(10)는 별도의 구동 수단(20)에 의해서 동시에 반대 방향으로 미세한 길이를 수평이동하면서 상기 버퍼(10)의 안치면(11)에 얹혀지는 웨이퍼의 위치를 조정하도록 하는 구성이 특징인 바 양측에 구비되는 버퍼(10)의 업다운 작용과 함께 로딩되어 안치면(11)에 안치되는 웨이퍼(W)를 서로 반대 방향으로 동시에 버퍼(10)가 수평이동토록 하면서 웨이퍼(W)의 정확한 포지션 조정이 자동으로 이루어지도록 하여 웨이퍼(W)의 포지션 에러로 인한 공정 중단과 추가적인 인력 투입을 방지하여 생산성이 대폭적으로 향상될 수 있도록 한다.
    웨이퍼 에지 노광, 버퍼, 웨이퍼 포지션 조정, 웨이퍼 센터링

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于去除晶片边缘部分上的光致抗蚀剂膜的晶片边缘曝光装置,该晶片边缘曝光装置包括设置在卡盘两侧的单独驱动装置(20) 通过设置在两侧的缓冲器10的升降操作,同时调节放置在缓冲器10的内表面11上的晶片的位置,同时水平地沿相反方向移动精细长度, 自动调整晶片W的位置,从而同时装载晶片W,同时使放置在面11上的晶片W沿相反方向移动,并使缓冲器10水平移动, 它可以防止由于错误和额外的人力输入造成的过程中断,从而大大提高生产力。

    포토레지스트의 코팅 상태를 모니터링할 수 있는 에지노광 장치 및 이를 이용한 사진 공정의 운용 방법
    8.
    发明公开
    포토레지스트의 코팅 상태를 모니터링할 수 있는 에지노광 장치 및 이를 이용한 사진 공정의 운용 방법 无效
    使用传感器进行边缘曝光,用于监测光刻胶的涂覆状态和使用其的光刻工艺的操作方法

    公开(公告)号:KR1020050035448A

    公开(公告)日:2005-04-18

    申请号:KR1020030071119

    申请日:2003-10-13

    Inventor: 성재현

    Abstract: 포토레지스트의 코팅 상태를 모니터링할 수 있는 에지 노광 장치 및 이를 이용한 사진 공정의 운용 방법을 제공한다. 이 장치는 웨이퍼가 로딩되는 척, 척의 상부에 배치되는 에지 노광 광원 및 코팅 상태 측정 센서를 구비한다. 코팅 상태 측정 센서는 단차 측정 센서를 포함하는 광학 장치이고, 이 코팅 상태 측정 센서의 광축은 에지 노광 광원의 광축과 웨이퍼의 중심 축 사이를 지난다. 에지 노광 광원의 광축은 상기 웨이퍼의 가장자리를 지난다.

    반도체 리소그래피 공정의 모니터링 시스템 및 방법
    9.
    发明公开
    반도체 리소그래피 공정의 모니터링 시스템 및 방법 无效
    用于监测半导体光刻过程的系统和方法

    公开(公告)号:KR1020040075558A

    公开(公告)日:2004-08-30

    申请号:KR1020030011103

    申请日:2003-02-21

    Inventor: 성재현

    Abstract: PURPOSE: A system and method for monitoring semiconductor lithography process are provided to detect and grasp correctly causes of defects by monitoring a variation of a wafer leveling values in a lithography process. CONSTITUTION: A lithography apparatus(10) perform a semiconductor lithography process. A lithography apparatus monitoring unit(22) monitors the lithography apparatus. A wafer leveling monitoring unit(20) monitors a wafer leveling value in the lithography apparatus. A monitoring control unit(24) controls the lithography apparatus monitoring unit and the wafer leveling monitoring unit. A database(26) is used for storing the monitoring data.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于监测半导体光刻工艺的系统和方法,通过监测光刻工艺中的晶片调平值的变化来正确地检测并掌握缺陷原因。 构成:光刻设备(10)执行半导体光刻工艺。 光刻设备监控单元(22)监视光刻设备。 晶片调平监视单元(20)监视光刻设备中的晶片调平值。 监视控制单元(24)控制光刻设备监视单元和晶片调平监视单元。 数据库(26)用于存储监视数据。

    웨이퍼 라벨 제조 방법
    10.
    发明公开
    웨이퍼 라벨 제조 방법 无效
    晶圆标签制造方法

    公开(公告)号:KR1019990086263A

    公开(公告)日:1999-12-15

    申请号:KR1019980019166

    申请日:1998-05-27

    Inventor: 성재현 백경윤

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 라벨을 정확히 확인할 수 있는 웨이퍼 라벨 제조 방법에 관한 것으로, 레이저 마커를 사용하여 웨이퍼의 플랫 존(flat zone) 상에 상기 라벨을 마킹하되, 웨이퍼의 플랫 존이 하부로 되어 있을 때 상기 라벨이 180°회전되어 보이도록 마킹한다. 이와 같은 웨이퍼 라벨 제조 방법에 의해서, 웨이퍼의 플랫 존에 마킹되는 문자나 숫자를 180°회전된 모양으로 마킹함으로써 웨이퍼를 180°회전했을 때 웨이퍼 라벨을 정확히 확인할 수 있다.

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