Abstract:
An apparatus for fabricating semiconductor is provided to uniformly improve the warpage degree of a substrate by measuring the warpage phenomenon and a warpage degree of the substrate. An inspection unit(10) includes a support part for supporting a substrate, a first sensing part disposed in the support part, and at least one second sensing part disposed at one side of the support part. The first sensing part determines the warpage phenomenon of the substrate according as the first sensing part comes in contact with the lower surface of the substrate. The second sensing part irradiates light and compares the quantity of the irradiated light with the quantity of received light to detect the warpage degree of the substrate. A hot plate includes a plurality of sections capable of transferring toward the lower surface of the substrate so that portions of the lower surface of the substrate are uniformly heated according to the warpage degree of the detected substrate. A height control part controls the height of the sections in a manner that the sections come in contact with the portions of the lower surface of the substrate according to the warpage degree of the substrate. In the hot plate, the sections can be disposed in a radius direction and in a circumferential direction with respect to a center axis.
Abstract:
A substrate cleaning apparatus is provided to clean effectively a photoresist layer existing on the edge and bevel of a substrate by including a nozzle having a slit-type entrance for sufficiently making a cleaning solution come in contact with the edge and bevel of the substrate. A substrate(10) having a photoresist layer(12) is supported by a chuck(102). The chuck is rotated by a driving part. A first supply part(104) supplies a cleaning solution through a nozzle(106) having a slit-type entrance for removing the photoresist existing on the edge and bevel of the upper surface of the substrate, installed over the chuck. A second supply part(108) supplies a cleaning solution for removing the photoresist on the edge and bevel of the lower surface of the substrate, installed under the substrate. A driving part straightly drives the first supply part and the second supply part to supply the cleaning solution to the edge and bevel of the substrate.
Abstract:
스테이지 상에 잔류하는 오염물을 스테이지 손상 없이 제거하는 스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치에 있어서, 스테이지는 플레이트와, 상기 플레이트와 연결되어 상기 플레이트 상부면에 잔류하는 오염물을 나노 파티클로 분해시키기 위하여 열을 제공하는 가열부를 포함한다. 상기 플레이트 상부면 상에 오염물 유무를 체크한 후, 오염물이 잔류하는 경우 가열부를 이용하여 상기 오염물을 노광 공정에 영향을 미치지 않는 나노 크기의 파티클로 분해시켜 상기 오염물을 플레이트로부터 제거한다. 이로써, 상기 오염물을 제거하는 시간을 단축할 수 있으며, 오염물이 제거되는 동안 스테이지의 이동이 없어 이동에 의한 손상을 미연에 방지할 수 있다.
Abstract:
An apparatus for coating a semiconductor substrate is provided to discharge gas by employing a heating unit on a mass flow controller so as to prevent impurities from the discharged gas from being extracted on the mass flow controller. An apparatus for coating a semiconductor substrate(100) comprises a chuck(110), a coating material feeder(130), a chamber(102), a discharge line(140a,b,c), a mass flow controller(150), and a heating unit(152). The chuck supports and rotates a semiconductor wafer(10). The coating material feeder supplies a coating material which contains a photoresist solution onto the wafer supported by the chuck. The chamber accommodates the chuck and the coating material feeder. The discharge line is connected to the chamber. The mass flow controller is installed on the discharge line to control the flow of discharged gas that moves along the discharge line. The heating unit including an electrically resistive heating wire(154), is connected to the mass flow controller to heat an internal passage of the mass flow controller, so that impurities are prevented from being extracted from the discharged gas passing through the mass flow controller.
Abstract:
본 발명은 웨이퍼 에지 노광장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 웨이퍼 에지부의 감광막을 제거하는 웨이퍼 에지 노광장치에 있어서, 척을 중심으로 양측에 각각 구비되는 버퍼(10)는 별도의 구동 수단(20)에 의해서 동시에 반대 방향으로 미세한 길이를 수평이동하면서 상기 버퍼(10)의 안치면(11)에 얹혀지는 웨이퍼의 위치를 조정하도록 하는 구성이 특징인 바 양측에 구비되는 버퍼(10)의 업다운 작용과 함께 로딩되어 안치면(11)에 안치되는 웨이퍼(W)를 서로 반대 방향으로 동시에 버퍼(10)가 수평이동토록 하면서 웨이퍼(W)의 정확한 포지션 조정이 자동으로 이루어지도록 하여 웨이퍼(W)의 포지션 에러로 인한 공정 중단과 추가적인 인력 투입을 방지하여 생산성이 대폭적으로 향상될 수 있도록 한다. 웨이퍼 에지 노광, 버퍼, 웨이퍼 포지션 조정, 웨이퍼 센터링
Abstract:
포토레지스트의 코팅 상태를 모니터링할 수 있는 에지 노광 장치 및 이를 이용한 사진 공정의 운용 방법을 제공한다. 이 장치는 웨이퍼가 로딩되는 척, 척의 상부에 배치되는 에지 노광 광원 및 코팅 상태 측정 센서를 구비한다. 코팅 상태 측정 센서는 단차 측정 센서를 포함하는 광학 장치이고, 이 코팅 상태 측정 센서의 광축은 에지 노광 광원의 광축과 웨이퍼의 중심 축 사이를 지난다. 에지 노광 광원의 광축은 상기 웨이퍼의 가장자리를 지난다.
Abstract:
PURPOSE: A system and method for monitoring semiconductor lithography process are provided to detect and grasp correctly causes of defects by monitoring a variation of a wafer leveling values in a lithography process. CONSTITUTION: A lithography apparatus(10) perform a semiconductor lithography process. A lithography apparatus monitoring unit(22) monitors the lithography apparatus. A wafer leveling monitoring unit(20) monitors a wafer leveling value in the lithography apparatus. A monitoring control unit(24) controls the lithography apparatus monitoring unit and the wafer leveling monitoring unit. A database(26) is used for storing the monitoring data.
Abstract:
본 발명은 웨이퍼의 라벨을 정확히 확인할 수 있는 웨이퍼 라벨 제조 방법에 관한 것으로, 레이저 마커를 사용하여 웨이퍼의 플랫 존(flat zone) 상에 상기 라벨을 마킹하되, 웨이퍼의 플랫 존이 하부로 되어 있을 때 상기 라벨이 180°회전되어 보이도록 마킹한다. 이와 같은 웨이퍼 라벨 제조 방법에 의해서, 웨이퍼의 플랫 존에 마킹되는 문자나 숫자를 180°회전된 모양으로 마킹함으로써 웨이퍼를 180°회전했을 때 웨이퍼 라벨을 정확히 확인할 수 있다.