公开(公告)号：KR1020150124064A

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：KR1020140050270

申请日：2014-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동율 ,  한상헌 ,  김승현 ,  김장미 ,  솔라리윌리암 ,  심현욱 ,  윤석호

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 본발명의일 측면은, 공정챔버에알루미늄(Al) 소스를공급하여그 소스의흐름과접촉하는표면에알루미늄화합물막을형성하는단계와, 상기공정챔버내에구비된서셉터에웨이퍼를배치하는단계와, 상기웨이퍼상에반도체소자를위한박막을형성하는단계를포함하는반도체소자제조방법을제공할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：通过将铝（Al）源供应到工艺中，在铝源的表面接触流上形成铝化合物膜 室; 将晶片布置在安装在处理室中的基座中; 以及在晶片上形成用于半导体器件的薄膜。

公开(公告)号：KR1020150124025A

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：KR1020140049984

申请日：2014-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 솔라리윌리암 ,  김민호 ,  이헌호

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본발명의일 측면은, 실리콘기판상에버퍼층을형성하는단계와, 상기버퍼층상에Ⅲ족질화물결정을성장하는단계;를포함하는Ⅲ족질화물결정성장방법을포함한다. 상기Ⅲ족질화물결정성장방법은Ⅲ족금속소스와질소소스가스를공급하는 MOCVD 공정으로실행되며, 여기서, 상기질소소스가스는암모니아(NH) 및질소(N) 및수소(H)를포함한다. 상기Ⅲ족질화물결정을성장하는단계중 적어도일부구간은상기질소소스가스중 수소의부피분율이 20% ∼ 40%이며, 상기실리콘기판의온도가 950℃∼ 1040℃인조건에서실행된다.

Abstract translation: 用于生长III族氮化物晶体的方法包括在硅衬底上形成缓冲层并在缓冲层上生长III族氮化物晶体。 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）进行III族氮化物晶体生长的方法，其中提供III族金属源和氮源气体。 氮源气体包括：氨（NH 3），氮（N 2）和氢（H 2）。 在氮源气体中的氢的体积分数为20〜40％，硅衬底的温度为950〜1040℃的条件下，至少进行III族氮化物晶体生长的部分阶段。

公开(公告)号：KR102145205B1

公开(公告)日：2020-08-19

申请号：KR1020140050270

申请日：2014-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동율 ,  한상헌 ,  김승현 ,  김장미 ,  솔라리윌리암 ,  심현욱 ,  윤석호

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683