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公开(公告)号：KR102223037B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140132546A
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2933/0008 , H01L2933/0025
Abstract: 본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층을 교대로 형성함으로써 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 복수의 양자장벽층은, 상기 제1 도전형 반도체층에 인접한 적어도 하나의 제1 양자장벽층과, 상기 제2 도전형 반도체층에 인접한 적어도 하나의 제2 양자장벽층을 포함하며, 상기 활성층을 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 제1 양자장벽층을 제1 온도로 성장하는 단계와, 상기 적어도 하나의 제2 양자장벽층을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 성장하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2013015472A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2011/005570
申请日：2011-07-28
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/24
Abstract: 본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 상면에 적어도 하나의 피트를 갖는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 피트를 따라 굴곡진 상면을 갖는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 활성층의 굴곡을 따라 굴곡진 상면을 갖는 p형 반도체층;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够提高发光效率的半导体发光装置及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：在其顶表面上具有至少一个凹坑的n型半导体层; 形成在所述n型半导体层上的有源层，并且在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹陷的顶面; 以及p型半导体层，其形成在有源层上，并且在其对应于凹坑的区域中具有沿有源层的凹陷凹陷的顶表面。
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公开(公告)号：WO2013022127A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/005772
申请日：2011-08-09
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B25/14
Abstract: MOCVD 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 MOCVD 장치는 일정 크기의 내부공간을 형성하는 챔버 본체와, 상기 챔버 본체를 밀봉하여 기밀을 유지하도록 하는 챔버 덮개를 구비하는 반응 챔버; 상기 챔버 본체 내에 회전가능하도록 구비되며, 웨이퍼를 수용하는 포켓을 적어도 하나 이상 상면에 구비하는 서셉터; 상기 챔버 덮개의 내측면에 탈착가능하도록 구비되어 상기 서셉터와의 사이에 반응공간을 형성하며, 복수개의 분할부재가 서로 결합되어 이루어지는 커버부재; 및 상기 서셉터와 상기 커버부재 사이에서 반응가스가 흐르도록 상기 반응공간으로 상기 반응가스를 공급하는 가스공급부;를 포함한다.
Abstract translation: 提供了一种金属有机化学气相沉积（MOCVD）装置。 根据本发明的MOCVD装置包括：反应室，其具有限定具有一定体积的内部空间的室主体和密封室主体以保持其气密性的室盖; 基座，其可旋转地布置在所述腔室主体内，并且具有用于在其上表面中接收晶片的至少一个凹槽; 盖构件，其可拆卸地布置在所述室盖的内表面上，以限定所述基座和所述盖构件之间的反作用空间，所述盖构件由彼此联接的多个分隔构件制成; 以及气体供给部，其将反应气体供给到反应空间，使得反应气体在基座和盖部件之间流动。
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公开(公告)号：WO2013018937A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005586
申请日：2011-07-29
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 전자의 오버플로우를 방지하는 동시에 활성층 내로 진입하는 정공의 농도를 증가시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자에 관한 것으로, n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 적어도 하나의 양자우물층과 적어도 하나의 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 에너지 밴드갭이 서로 다른 3개의 층이 적층된 적어도 하나의 다층구조를 갖되, 상기 3개의 층 중 상기 활성층에 인접한 층이 경사진 에너지 밴드 구조를 가지는 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 형성된 p형 반도체층;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种防止电子溢出并同时增加进入有源层内部的空穴的浓度从而提高发光效率的半导体发光器件。 本发明包括：n型半导体层; 形成在所述n型半导体层上的有源层，其中至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层交替堆叠; 形成在所述有源层上的电子阻挡层，并且具有至少一层多层结构，其中层叠具有不同能带隙的三层，其中在所述三层中，与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构 ; 以及形成在所述电子阻挡层上的p型半导体层。
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公开(公告)号：KR1020140102880A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020130016314
申请日：2013-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4583 , C23C16/54 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67326 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/32
Abstract: Provided is a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which includes a step of forming a light emitting laminate by successively growing a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer on a substrate. The step of forming a light emitting laminate includes a first growth process which uses a first susceptor having the mounting surface of a first curvature, a second growth process which uses a second susceptor having the mounting surface of a second curvature which is different from the first curvature, and a transfer process which transfers the substrate from the first susceptor to the second susceptor between the first and the second growth process.
Abstract translation: 提供一种制造半导体发光器件的方法，其包括通过在衬底上连续生长第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层来形成发光层叠体的步骤。 形成发光层叠体的步骤包括使用具有第一曲率的安装表面的第一基座的第一生长工艺，使用第二基座的第二生长工艺，所述第二基座具有与第一曲率不同的第二曲率的安装表面 曲率以及在第一和第二生长过程之间将衬底从第一感受器传送到第二感受器的转移过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101360966B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020070112841
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 질화물 단결정 성장용 기판과, 상기 기판 상에 성장된 하부 질화물 단결정층과, 상기 하부 질화물 단결정층 상면에 형성되며, 곡면인 표면을 가지며 금속물질로 이루어진 다수의 미세 금속구조; 및 상기 하부 질화물 단결정 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 갖는 발광 적층체를 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 단결정(nitride single crystal), 반사층(reflective layer), 발광소자(LED), 알루미늄(Al)-
公开(公告)号：KR1020110070522A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090127379
申请日：2009-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A method for forming a nitride semiconductor and a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device are provided to minimize the warpage of a substrate and a nitride semiconductor layer by discharging air at a gap generated by the warpage of the substrate to the outside. CONSTITUTION: A substrate(101) includes a first surface and a second surface to face a substrate holder(103). The substrate is used for growing a nitride semiconductor single crystal. A nitride semiconductor layer(102) is formed on the first surface of the substrate. The second surface of the substrate faces the substrate holder. A cavity for receiving the substrate is formed in the substrate holder.
Abstract translation: 目的：提供一种形成氮化物半导体的方法和一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法，用于通过将基板翘曲产生的间隙向外部排出空气来最小化衬底和氮化物半导体层的翘曲 。 构成：衬底（101）包括第一表面和面对衬底保持器（103）的第二表面。 该衬底用于生长氮化物半导体单晶。 在衬底的第一表面上形成氮化物半导体层（102）。 衬底的第二表面面向衬底保持器。 用于接收衬底的腔形成在衬底保持器中。
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公开(公告)号：KR101813717B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020120000870
申请日：2012-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, p형및 n형질화물반도체층과, 상기 p형및 n형질화물반도체층사이에형성되며, 복수의양자장벽층과복수의양자우물층이교대로적층된활성층과, 상기 n형질화물반도체층과상기활성층사이에형성되며, 복수의제1 질화물박막과복수의제2 질화물박막이교대로적층된전류확산층;을포함하며, 상기제1 질화물박막은각각상기제2 질화물박막의밴드갭보다큰 밴드갭을가지며, 상기복수의제1 질화물박막중 양측가장자리에각각위치한제1 질화물박막은그 사이에위치한다른제1 질화물박막의두께보다큰 두께를갖는질화물반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明中，p型和n型氮化物半导体层和所述p型和n型半导体层之间形成的氮化物，叠在多个量子势垒层和多个量子阱层的交替的有源层和n性状 以及电流扩散层，形成在所述半导体层和所述有源层之间，并且具有交替堆叠在所述半导体衬底上的多个第一氮化物薄膜和多个第二氮化物薄膜， 并且位于多个第一氮化物薄膜的两个侧边缘上的第一氮化物薄膜的厚度大于位于其间的其它第一氮化物薄膜的厚度。
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公开(公告)号：KR101747349B1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020110130255
申请日：2011-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 본발명은반도체발광소자에관한것으로서, 본발명의일 실시형태는 n형및 p형반도체층및 상기 n형및 p형반도체층사이에배치되며, 복수의양자우물층과복수의양자장벽층이교대로배치된구조를갖는활성층을포함하며, 상기복수의양자우물층은 AlInGaN (0 ≤ x
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光装置，一个实施例中为n型和p型半导体层和所述n型和p型布置在半导体层之间，多个量子阱层和多个本发明的量子势垒层是 其中，多个量子阱层包含AlInGaN（0≤X<1,0
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公开(公告)号：KR1020150124064A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020140050270
申请日：2014-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C16/34 , C23C16/4404 , H01L21/02107 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 본발명의일 측면은, 공정챔버에알루미늄(Al) 소스를공급하여그 소스의흐름과접촉하는표면에알루미늄화합물막을형성하는단계와, 상기공정챔버내에구비된서셉터에웨이퍼를배치하는단계와, 상기웨이퍼상에반도체소자를위한박막을형성하는단계를포함하는반도체소자제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：通过将铝（Al）源供应到工艺中，在铝源的表面接触流上形成铝化合物膜 室; 将晶片布置在安装在处理室中的基座中; 以及在晶片上形成用于半导体器件的薄膜。
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