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公开(公告)号：KR1020140143867A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130065351
申请日：2013-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 물체의 움직임을 검출할 수 있는 씨모스 이미지 센서가 제공된다. 씨모스 이미지 센서는 복수의 픽셀 영역들을 포함하는 제 1 도전형의 반도체 기판으로서, 상기 픽셀 영역들 각각은 수광 영역 및 상기 수광 영역을 둘러싸는 로직 영역을 포함하는 것, 상기 수광 영역의 상기 반도체 기판 내에 제 2 도전형의 불순물을 도핑하여 형성된 광전 변환층, 상기 반도체 기판 내에 형성되어 상기 픽셀 영역들 각각의 상기 수광 영역을 정의하며, 상기 광전 변환층의 측벽을 둘러싸는 제 1 소자 분리막, 및 상기 반도체 기판 내에 형성되어 상기 로직 영역을 정의하며, 상기 제 1 소자 분리막의 수직적 깊이보다 작은 수직적 깊이를 갖는 제 2 소자 분리막을 포함하되, 상기 광전 변환층의 바닥면은, 수직적 관점에서, 상기 제 1 소자 분리막의 바닥면과 상기 제 2 소자 분리막의 바닥면 사이에 위치한다.
Abstract translation: 提供了一种CMOS图像传感器，其检测物体的移动。 CMOS图像传感器是包括多个像素区域的第一导电型半导体衬底。 每个像素区域具有光接收区域和围绕光接收区域的逻辑区域。 在受光区域的半导体衬底中形成通过掺杂第二导电型杂质形成的光电转换层。 第一器件隔离层形成在半导体衬底中，限定像素区域的每个光接收区域并且包围光电转换层的侧壁。 在半导体衬底中形成第二器件隔离层，限定逻辑区域，并且与第一器件隔离层的垂直深度相比具有较小的垂直深度。 在垂直方向上，光电转换层的底表面位于第一器件隔离层的底表面和第二器件隔离层的底表面之间。
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公开(公告)号：KR1020020080924A
公开(公告)日：2002-10-26
申请号：KR1020010020790
申请日：2001-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A carrier for transferring a semiconductor wafer is provided to prevent a damage or a breakage of a wafer from an external impact by reducing impulse of a contact part between a carrier slot and the wafer. CONSTITUTION: A plurality of wafers(W) is arrayed in a carrier(20). The carrier(20) has an opened upper portion and an opened lower portion. A carrier slot(12) is formed on an inner wall of the carrier(20) in order to support the plural wafers(W). An elastic member(22) is formed at a lower side portion of the carrier slot(12) in order to protect the wafers(W) from an impact of the outside of the carrier(20). The wafers(W) are contacted with the elastic member(22). The thickness of the elastic member(22) is less than the depth of the carrier slot(12). Accordingly, damage of the wafers(W) is reduced since the elastic members(22) is installed between each carrier slot(12) of the inside of the carrier(20).
Abstract translation: 目的：提供用于传送半导体晶片的载体，以通过减少载体槽和晶片之间的接触部分的冲击来防止晶片受到外部冲击的损坏或断裂。 构成：多个晶片（W）被排列在载体（20）中。 载体（20）具有敞开的上部和敞开的下部。 为了支撑多个晶片（W），载体（20）的内壁上形成有载体槽（12）。 为了保护晶片（W）免受载体（20）的外侧的冲击，在载体槽（12）的下侧部分形成弹性部件（22）。 晶片（W）与弹性部件（22）接触。 弹性构件（22）的厚度小于载体槽（12）的深度。 因此，由于弹性构件（22）安装在载体（20）的内侧的每个载体狭槽（12）之间，所以晶片（W）的损坏减小。
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公开(公告)号：KR1020030012732A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：KR1020010047144
申请日：2001-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신재성
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A method for using an air cooling dry etch apparatus is provided to maximize a natural cooling effect by setting up temperature of an upper part of a dry etch apparatus as 70 to 90 degrees centigrade. CONSTITUTION: An upper electrode(102) is installed at an upper portion of an air-cooling dry etch apparatus(100). A heating pad(104) is formed in the upper electrode(102). The heating pad(104) is used for heating the upper electrode(102) to approach a predetermined temperature of the air cooling dry etch apparatus(100). A gas injection pipe(106) is installed at a center portion of the upper electrode(102). An etching gas is provided though the gas injection pipe(106). An air injection pipe is installed at the upper electrode(102) in order to perform a cooling process. The air and nitrogen gas are injected to the upper electrode(102) through the air injection pipe. A wafer(W) is loaded on a chuck(110). A lower electrode(108) is formed at a lower portion of the chuck(110).
Abstract translation: 目的：提供一种使用空气冷却干蚀刻设备的方法，以通过将干蚀刻设备的上部的温度设置为70至90摄氏度来最大化自然冷却效果。 构成：上部电极（102）安装在空气冷却干法蚀刻装置（100）的上部。 在上电极（102）中形成加热垫（104）。 加热垫（104）用于加热上电极（102）以接近空气冷却干蚀刻设备（100）的预定温度。 气体注入管（106）安装在上电极（102）的中心部分。 通过气体注入管（106）提供蚀刻气体。 为了进行冷却处理，在上部电极（102）上安装有空气注入管。 空气和氮气通过空气喷射管注入上部电极（102）。 将晶片（W）装载在卡盘（110）上。 下部电极（108）形成在卡盘（110）的下部。
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公开(公告)号：KR1019990034786A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970056482
申请日：1997-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신재성
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 플라즈마 식각장비를 개시한다. 이 장비는 밀폐된 주 챔버와, 주 챔버 내의 상부에 설치된 음극과, 주 챔버 내의 하부에 설치되어 음극과 마주보는 양극과, 음극의 하부면에 웨이퍼를 고정시키는 클램프와, 주 챔버의 측벽에 설치된 로드락 챔버와, 로드락 챔버와 주 챔버가 공유하는 측벽의 소정영역에 설치되어 로드락 챔버 내부와 주 챔버 내부 사이에 웨이퍼가 전송되는 통로를 제공하는 개폐부와, 로드락 챔버 내부에 위치하고 웨이퍼를 뒤집을 수 있도록 회전기능을 갖는 로봇 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130066289A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110133054
申请日：2011-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01S17/10 , G01S7/4861
Abstract: PURPOSE: A distance measuring sensor is provided to improve performance by moving light-generated charges to a charge storage area rapidly and stably. CONSTITUTION: First and second charge storage areas(150a,150b) are separated with each other on a substrate doped with a first impurity, and are doped with a second impurity where charges are stored. A photoelectric conversion area(140a) is formed between the first and second charge storage areas. A first dielectric layer(110a) is formed on the substrate to cover the first and second charge storage areas and the photoelectric conversion area. First and second transfer gates are formed between the first and second charge storage areas and are separated from each other on the first dielectric layer. The first and second transfer gates transport charges of the photoelectric conversion area to the first and second charge storage areas selectively, and cover a part of a second dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供距离测量传感器，通过将光产生的电荷快速稳定地移动到电荷存储区域来提高性能。 构成：第一和第二电荷存储区域（150a，150b）在掺杂有第一杂质的衬底上彼此分离，并且掺杂有第二杂质，其中存储电荷。 光电转换区域（140a）形成在第一和第二电荷存储区域之间。 在基板上形成第一电介质层（110a）以覆盖第一和第二电荷存储区域和光电转换区域。 第一和第二传输门形成在第一和第二电荷存储区之间并且在第一介电层上彼此分离。 第一和第二传输门选择性地将光电转换区域的电荷输送到第一和第二电荷存储区域，并且覆盖第二电介质层的一部分。
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公开(公告)号：KR1020000001895A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980022371
申请日：1998-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A gas supply device for a wafer cooling in a reaction chamber is provided to check the existence/non existence of a gas flow and prevent occurrence of process errors. CONSTITUTION: The gas supply device for a wafer cooling in a reaction chamber comprises; a filter(44) attached to a reaction chamber; the 5th valve(46) connected to the filter; the 6th valve connected to the 5th valve; a flow adjuster(50) attached to the 6th valve; the 7th valve installed between the 5th valve and the reaction chamber; the 8th valve connected to the 5th valve; the 9th valve connected to the 8th valve; the 10th valve connecting the 5th valve and the filter; a pressure gauge to measure the pressure of gas flowing in the gas line connected to the 10th valve.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在反应室中进行晶片冷却的气体供应装置，以检查是否存在气流并防止发生过程错误。 构成：用于在反应室中进行晶片冷却的气体供给装置包括： 附接到反应室的过滤器（44）; 连接到过滤器的第五阀（46） 第六阀连接到第五阀; 连接到第六阀的流量调节器（50）; 第七阀安装在第五阀和反应室之间; 第八阀连接到第五阀; 第九阀连接到第八阀; 连接第五阀和过滤器的第十个阀; 用于测量在连接到第十阀的气体管线中流动的气体的压力的压力计。
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公开(公告)号：KR1020000001894A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980022370
申请日：1998-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: An electrostatic chuck is provided to eliminate the instability of plasma and to prevent the production of particles in the processing. CONSTITUTION: The electrostatic chuck production method for a semiconductor device having a wafer installation pad(42) protruding the same way as the wafer comprises steps of; adjusting the geometrical size of the wafer installation pad; anode treatment of the electrostatic chuck; attaching a protective ring around the wafer installation pad; forming a polyamide film on the top of the wafer installation pad.
Abstract translation: 目的：提供静电卡盘以消除等离子体的不稳定性，并防止加工中的颗粒产生。 构成：具有与晶片相同突出的晶片安装焊盘（42）的半导体器件的静电卡盘的制造方法包括以下步骤： 调整晶片安装垫的几何尺寸; 阳极处理静电吸盘; 在晶片安装垫周围安装保护环; 在晶片安装垫的顶部形成聚酰胺膜。
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公开(公告)号：KR1019990071406A
公开(公告)日：1999-09-27
申请号：KR1019980041856
申请日：1998-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체 장치의 절연막 식각방법에 관해 개시된다. 개시된 식각 방법은: 실리콘 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판을 챔버 내에 장착하는 단계; 상기 챔버 내에 자기장을 형성한 상태에서 제1의 RF 전력이 공급되는 반응성 이온 식각법에 의해 상기 절연막을 소정 패턴으로 식각하는 주식각 단계; 상기 챔버 내에서 상기 주식각단계에 의한 식각 부위의 바닥면에 형성된 잔사를 반응성 이온 식각법에의해 제거하는 잔사식각단계;를 포함한다. 따라서, 종래의 방법에 비해 실리콘막 또는 실리콘기판의 표면에 형성되는 잔사를 효과적으로 처리할 수 있고, 동일 챔버 내에서 연속적으로 주식각과 잔사식각이 이루어 지므로 공기를 단축할 수 있게 된다. 또한, 동일 챔버 내에서 주식각과 잔사처리가 이루어 짐으로써, 공기 중 노출에 의한 웨이퍼의 오염을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130000966A
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：KR1020110061797
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G02B27/0012 , G02B6/3588 , G02F1/0081 , G02F1/3134 , G06F17/5018
Abstract: PURPOSE: The electro-magnetic wave interpretation apparatus and its method thereof is provided to remarkably improve the speed of the electromagnetic wave as well as correctly interpreting it. CONSTITUTION: The electro-magnetic wave interpretation apparatus comprises of a texture simulation apparatus(100), a hybrid optical simulation device(200) and a storage unit(300). The texturing simulation apparatus forms a constructive analysis of the subject being analyzed. The constructive analysis is inputted from the texturing simulation apparatus and the hybrid optical simulation device divides the constructive analysis. In each part where the hybrid optical simulation apparatus is divided, magnetic metals and metals that are included or not also gets determined. BPM or the FDTD method is selectively applied and the time independent data and time dependent data about the electric field are calculated. The storage unit stores the time independent data and the time dependent data that is outputted from the hybrid optical simulation apparatus as complex electric field data.
Abstract translation: 目的：提供电磁波解读装置及其方法，以显着提高电磁波的速度，并正确解读电磁波。 构成：电磁波解读装置包括纹理模拟装置（100），混合光模拟装置（200）和存储装置（300）。 纹理模拟装置对所分析的主题进行建设性分析。 建构性分析从纹理仿真装置输入，混合光学仿真装置划分建设性分析。 在混合光学模拟装置的每个部分中，包括或不包括的磁性金属和金属也被确定。 选择性地应用BPM或FDTD方法，并且计算关于电场的时间独立数据和时间相关数据。 存储单元将从混合光模拟装置输出的时间独立数据和时间相关数据存储为复电场数据。
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