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公开(公告)号：KR1020130131966A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020120055966
申请日：2012-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting element which comprises first and second conductive type semiconductor layers having a composition of Al_xGa_yIn_(1-x-y)P (0
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括具有Al_xGa_yIn_（1-xy）P（0≤x≤1,0≤y≤1,0< x + y <= 1）或Al_zGa_（1-z）A_s（0≤z≤1）和位于第一和第二导电类型半导体层之间的有源层，其中，第一和第二导电型半导体层中的至少一个 第二导电型半导体层的组成为（Al_vGa_（1-v））_0.5In_0.5P（0.7 <= v <= 1）或Al_wIn_（1-w）P（0 <= w <= 1） 至少部分表面具有低折射率的表面层。
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公开(公告)号：KR102212561B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020140103943
申请日：2014-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, n형반도체층; 상기 n형반도체층상에배치되고, 일방향으로밴드갭에너지가감소하며, AlxInyGa1-x-yN (0.01≤x≤0.1, 0≤y≤0.1)의조성식을갖는보더층; 상기보더층상에배치되며, 적어도하나이상의 InGaN층과 GaN층이교대로적층된활성층; 및 p형반도체층;을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170000045A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150088594
申请日：2015-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2933/0083 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자는, 기판, 및기판으로부터돌출되며, 기판과다른물질로이루어진제1층과상기제1층상에기판과다른물질로이루어진제2층을포함하는볼록부들을포함한다. 여기서, 제2층의높이는제1층의높이보다높을수 있고, 제1층의높이는 240nm 내지 380nm 일수 있다.
Abstract translation: 半导体发光器件包括由第一材料形成的衬底; 以及从所述基板突出的凸部，包括：与所述基板的第一材料形成的第一层; 以及由与第一材料不同的第二材料形成并设置在第一层上的第二层。 第二层的第二高度大于第一层的第一高度。
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公开(公告)号：KR1020150086913A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140007116
申请日：2014-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/76251 , H01L21/7806 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은반도체발광소자의제조방법에관한것으로서, 본발명의일 측면은, 제1 기판상에활성층을포함한발광구조층을형성하는단계, 상온보다높은온도에서활성층과다른열팽창계수를가지는제2 기판을접합하는단계, 상온보다높은온도에서제1 기판을분리하는단계및 상온으로냉각하는단계를포함하는반도체발광소자의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体发光器件的制造方法。 本发明的一个方面提供了一种用于制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：在第一衬底上形成包括有源层的发光结构层; 在比室温更高的温度下将具有不同热膨胀系数的第二衬底与活性层结合; 在比室温高的温度下分离第一衬底; 并在室温下进行冷却。 该方法可以提高亮度效率。
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公开(公告)号：KR1020170024921A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150120545
申请日：2015-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00 , H01L21/033
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
Abstract: 본발명의기술적사상에의한발광소자제조방법은, 기판상에제1 물질층을형성하는단계, 제1 물질층상에제2 물질층을형성하는단계, 제2 물질층상에포토마스크패턴을형성하는단계, 포토마스크패턴을식각마스크로하여, 제2 물질층및 제1 물질층의일부를제1 식각하는단계, 포토마스크패턴을제거하는단계, 및기판의상면이드러나도록제1 물질층의다른일부를제2 식각하여, 복수의서로분리된구조물을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 一种制造发光二极管（LED）的方法包括在基板上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，在第二材料层上形成光掩模图案，对第二材料进行第一蚀刻 层和一部分第一材料层，通过使用光掩模图案作为蚀刻掩模，去除光掩模图案，以及通过对第一材料层的剩余部分进行第二蚀刻形成多个隔离结构，直到第 衬底被暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102244220B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020140138881
申请日：2014-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, 제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상에배치되고, 복수의양자장벽층및 복수의양자우물층이교대로적층된활성층; 및상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함하며, 상기복수의양자장벽층중 상기제2 도전형반도체층에가장인접한양자장벽층은제1 언도프영역(undoped region) 및상기제1 언도프영역상에배치되고상기제1 언도프영역의두께보다크거나같은두께를갖는제1 도프영역(doped region)을포함하고, 상기제1 언도프영역및 제1 도프영역각각은서로다른에너지밴드갭을갖는복수의제1 단위층들(unit layers)이교대로배치되어이루어진적어도하나의정공수용영역(hole accumulation region)을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160019622A
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140103943
申请日：2014-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/325 , B82Y20/00 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/46 , H01L33/502 , Y10S977/95
Abstract: 본발명은, n형반도체층; 상기 n형반도체층상에배치되고, 일방향으로밴드갭에너지가감소하며, AlInGaN (0.01≤x≤0.1, 0≤y≤0.1)의조성식을갖는보더층; 상기보더층상에배치되며, 적어도하나이상의 InGaN층과 GaN층이교대로적층된활성층; 및 p형반도체층;을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 提供一种半导体发光器件，包括：n型半导体层; 边界层设置在n型半导体层上，带隙能量在单一方向上减小，并由经验公式Al_xIn_yGa_（1-xy）N（0.01 <= x <= 0.1,0 <= y < 0.1）; 有源层设置在边界层上并具有其中一个或多个InGaN层和一个或多个GaN层交替堆叠的结构; 和p型半导体层。
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公开(公告)号：KR1020170040696A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：KR1020150139990
申请日：2015-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/025 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은물질막적층체, 발광소자, 발광패키지, 및발광소자의제조방법에관한것으로서, 제 1 격자상수를갖는기판; 및상기기판위에성장되고상기제 1 격자상수와상이한제 2 격자상수를갖는반도체층을포함하는물질막적층체가제공된다. 본발명의기술적사상에따른물질막적층체를사용하면, 누설전류가적고, 동작전압이낮으면서도발광효율이우수한발광소자를얻을수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种材料膜层压板，发光器件，发光封装件以及制造发光器件的方法，其包括：具有第一晶格常数的衬底; 以及在衬底上生长并且具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数的半导体层。 根据本发明的技术构思的材料膜层压体的使用具有获得具有小漏电流和低工作电压以及优异发光效率的发光器件的效果。
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公开(公告)号：KR1020160044638A
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：KR1020140138881
申请日：2014-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, 제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상에배치되고, 복수의양자장벽층및 복수의양자우물층이교대로적층된활성층; 및상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함하며, 상기복수의양자장벽층중 상기제2 도전형반도체층에가장인접한양자장벽층은제1 언도프영역(undoped region) 및상기제1 언도프영역상에배치되고상기제1 언도프영역의두께보다크거나같은두께를갖는제1 도프영역(doped region)을포함하고, 상기제1 언도프영역및 제1 도프영역각각은서로다른에너지밴드갭을갖는복수의제1 단위층들(unit layers)이교대로배치되어이루어진적어도하나의정공수용영역(hole accumulation region)을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体发光器件。 半导体发光器件包括：第一导电半导体层; 有源层，其设置在所述第一导电半导体层上并且包括交替层叠的多个量子势垒层和多个量子阱层; 以及设置在所述有源层上的第二导电半导体层，其中在所述量子势垒层中最靠近所述第二导电半导体层的量子势垒层包括第一未掺杂区域和设置在所述第一未掺杂区域上的第一掺杂区域，并且具有 厚度大于或等于第一未掺杂区域的厚度，并且第一未掺杂区域和第一掺杂区域中的每一个包括至少一个空穴积聚区域，其中空穴积聚区域与多个第一单元层交替形成 具有不同的能带隙。
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