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公开(公告)号：KR102212561B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020140103943
申请日：2014-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, n형반도체층; 상기 n형반도체층상에배치되고, 일방향으로밴드갭에너지가감소하며, AlxInyGa1-x-yN (0.01≤x≤0.1, 0≤y≤0.1)의조성식을갖는보더층; 상기보더층상에배치되며, 적어도하나이상의 InGaN층과 GaN층이교대로적층된활성층; 및 p형반도체층;을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170105878A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029096
申请日：2016-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0062 , H01L33/0095 , H01L33/025
Abstract: 발광소자의제조방법이개시된다. 상기제조방법에서, 기판상에제1 도펀트를포함하는 n형반도체층을형성하고, 상기 n형반도체층상에활성층을형성하며, 상기활성층상에제2 도펀트를포함하는 p형반도체층을형성한다. 상기제1 도펀트또는상기제2 도펀트는이온주입공정에의해상기 n형반도체층또는상기 p형반도체층내에주입된다.
Abstract translation: 公开了一种发光器件的制造方法。 另外，在上述制造方法中，形成含有在衬底上的第一掺杂物的n型半导体层，形成n型半导体层，包含活性层上的第二掺杂剂的p型半导体层上的有源层 。 通过离子注入工艺将第一掺杂剂或第二掺杂剂注入到n型半导体层或p型半导体层中。
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公开(公告)号：KR102198693B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020140005291
申请日：2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, n형반도체층; p형불순물을포함하는복수의제1 레이어와복수의제2 레이어가교대로적층되며, 상기복수의제1 레이어각각의불순물농도는상기 n형반도체층에더 가까이배치되는다른상기제1 레이어의불순물농도보다큰 p형반도체층; 및상기 n형반도체층과상기 p형반도체층사이에배치되는활성층; 을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140104294A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020130018306
申请日：2013-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01S5/0425 , H01S5/3054 , H01S5/3077 , H01S5/34333 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: A semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer in which a first impurity region including p-type impurities and a second impurity region including n-type impurities are alternately repeated at least once; and an active layer which is disposed between the n-type and p-type semiconductor layers.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括n型半导体层; 将包含p型杂质的第一杂质区域和包含n型杂质的第二杂质区域交替重复至少一次的p型半导体层; 以及设置在n型和p型半导体层之间的有源层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130058406A
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110124397
申请日：2011-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to prevent current crowding by using the lateral direction dispersion effect of holes. CONSTITUTION: A p-type semiconductor layer(104) includes first and second doping regions. The first and second doping regions are repeatedly formed. The first and second doping regions have the different doping concentrations of a p-type impurity. An active layer(103) is arranged between an n-type semiconductor layer(102) and the p-type semiconductor layer. An n-type impurity is doped to the interface of the first and second doping regions.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件，以通过使用孔的横向分散效应来防止电流拥挤。 构成：p型半导体层（104）包括第一和第二掺杂区域。 重复形成第一和第二掺杂区域。 第一和第二掺杂区域具有不同于p型杂质的掺杂浓度。 在n型半导体层（102）和p型半导体层之间配置有源层（103）。 n型杂质被掺杂到第一和第二掺杂区域的界面。
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公开(公告)号：KR101747349B1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020110130255
申请日：2011-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 본발명은반도체발광소자에관한것으로서, 본발명의일 실시형태는 n형및 p형반도체층및 상기 n형및 p형반도체층사이에배치되며, 복수의양자우물층과복수의양자장벽층이교대로배치된구조를갖는활성층을포함하며, 상기복수의양자우물층은 AlInGaN (0 ≤ x
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光装置，一个实施例中为n型和p型半导体层和所述n型和p型布置在半导体层之间，多个量子阱层和多个本发明的量子势垒层是 其中，多个量子阱层包含AlInGaN（0≤X<1,0
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公开(公告)号：KR1020160044638A
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：KR1020140138881
申请日：2014-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, 제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상에배치되고, 복수의양자장벽층및 복수의양자우물층이교대로적층된활성층; 및상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함하며, 상기복수의양자장벽층중 상기제2 도전형반도체층에가장인접한양자장벽층은제1 언도프영역(undoped region) 및상기제1 언도프영역상에배치되고상기제1 언도프영역의두께보다크거나같은두께를갖는제1 도프영역(doped region)을포함하고, 상기제1 언도프영역및 제1 도프영역각각은서로다른에너지밴드갭을갖는복수의제1 단위층들(unit layers)이교대로배치되어이루어진적어도하나의정공수용영역(hole accumulation region)을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体发光器件。 半导体发光器件包括：第一导电半导体层; 有源层，其设置在所述第一导电半导体层上并且包括交替层叠的多个量子势垒层和多个量子阱层; 以及设置在所述有源层上的第二导电半导体层，其中在所述量子势垒层中最靠近所述第二导电半导体层的量子势垒层包括第一未掺杂区域和设置在所述第一未掺杂区域上的第一掺杂区域，并且具有 厚度大于或等于第一未掺杂区域的厚度，并且第一未掺杂区域和第一掺杂区域中的每一个包括至少一个空穴积聚区域，其中空穴积聚区域与多个第一单元层交替形成 具有不同的能带隙。
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公开(公告)号：KR1020150019828A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130097196
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지는, 리드 프레임이 구비된 본체; 및 상기 본체 상에 실장되며, 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결되어 광을 발광하는 발광 적층체;를 포함하고, 상기 발광 적층체는 복수의 발광소자가 상호 적층되어 이루어지는 복수의 층 구조를 가지며, 상기 복수의 발광소자 중 상층의 발광소자는 하층의 발광소자와 꼭짓점 부분이 중첩되지 않고 어긋나도록 적층되어 상기 하층의 발광소자는 부분적으로 외부 노출되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光器件封装及其制造方法。 根据实施例，发光封装包括：主体，其包括引线框架; 以及安装在主体上并与引线框电连接的发光层叠体。 发光层叠体具有多个层叠结构体，多个发光元件彼此层叠，发光元件中的上部发光元件被层叠成具有发光元件的下层的顶点 从上部发光装置的顶点位置脱位，使得发光装置的下层部分地暴露于外部。
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公开(公告)号：KR1020130103070A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120024411
申请日：2012-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to efficiently inject electrons and to prevent the quality degradation of a crystal by optimizing the structure of an electron injection layer through a superlattice structure and a thick film barrier layer. CONSTITUTION: An active layer (104) is arranged between an n-type semiconductor layer (102) and a p-type semiconductor layer (105). The active layer has a structure which is formed by alternately arranging a quantum well layer and a quantum barrier layer one or more times. An electron injection layer (103) is arranged between the active layer and the n-type semiconductor layer. The electron injection layer includes a superlattice structure and a thick film barrier layer which is formed between the superlattice structure and the active layer. The superlattice structure has a structure which is formed by alternately arranging a superlattice well layer and a superlattice barrier layer one or more times.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件，以通过超晶格结构和厚膜阻挡层优化电子注入层的结构来有效地注入电子并防止晶体的质量劣化。 构成：在n型半导体层（102）和p型半导体层（105）之间配置有源层（104）。 有源层具有通过交替地将量子阱层和量子势垒层交替排列而形成的结构。 在有源层和n型半导体层之间配置有电子注入层（103）。 电子注入层包括超晶格结构和形成在超晶格结构和有源层之间的厚膜阻挡层。 超晶格结构具有通过交替地布置超晶格阱层和超晶格势垒层而形成的结构一次或多次。
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