-
-
公开(公告)号：KR100493847B1
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020030022225
申请日：2003-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/94 , G01N21/9501
Abstract: 광을 조사하여 웨이퍼 상의 파티클을 검출하기 위한 장치 및 방법이 개시되어 있다. 상기 파티클을 검출하기 위한 장치는 상기 파티클을 검출하기 위해 상기 웨이퍼의 상부면과 평행하게 광을 조사하면서 상기 파티클을 스캐닝하기 위한 광 조사부를 포함한다. 조사된 상기 광의 수광 여부 또는 상기 산란 광의 검출 여부를 이용하여 파티클을 검출한다. 또한 여러 방향에서 상기 파티클을 스캐닝함으로써 상기 웨이퍼 상의 파티클의 위치를 파악할 수 있다. 따라서 COP를 검출하지 않고 파티클만을 검출한다. 또한 광이 상기 웨이퍼의 상부면을 스캐닝하여 상기 파티클을 검출하는데 걸리는 시간이 적게 걸리므로 웨이퍼 처리 속도가 향상된다.
-
公开(公告)号：KR1020070033106A
公开(公告)日：2007-03-26
申请号：KR1020050087347
申请日：2005-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/70491 , H01L22/12
Abstract: An overlay measuring method of a semiconductor device and an overlay measuring system are provided to perform easily a modeling process between misalign values and reference fitting values by calculating the reference fitting values on the misalign values using a reference sample and misalign samples. A reference sample and misalign samples are prepared(S200). Reference sample data are obtained by irradiating a predetermined light onto the reference sample and measuring the scattered light(S210). At this time, misalign sample data are obtained by irradiating the predetermined light onto each misalign sample and measuring the scattered light. Reference fitting values corresponding to misalign values are calculated from the reference sample data and the misalign sample data(S220). A fitting value is extracted from an object wafer. The misalign value of the object wafer is determined by comparing the fitting value of the object wafer with the reference fitting values.
Abstract translation: 提供半导体器件和覆盖测量系统的覆盖测量方法，通过使用参考样本和对准样本计算对准值的参考拟合值，轻松地执行不对准值和参考拟合值之间的建模过程。 准备参考样品和对准样品（S200）。 通过将预定的光照射在基准样品上并测量散射光来获得参考样本数据（S210）。 此时，通过将预定光照射到每个不对准样品上并测量散射光来获得未对准样本数据。 从参考样本数据和对准样本数据计算对应于对准值的参考拟合值（S220）。 从对象晶片提取拟合值。 通过将对象晶片的拟合值与参考拟合值进行比较来确定对象晶片的不对准值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100576364B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030083179
申请日：2003-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/93
CPC classification number: G01N21/93 , G01N15/0211 , G01N15/1012 , G01N21/4785 , G01N21/9501
Abstract: 시편검사장치의 기준값 설정장치는 캘리브레이션시료와; 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 캘리브레이션광원과; 캘리브레이션시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받음과 아울러 검사시편으로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받는 적어도 하나의 디텍터와; 디텍터에 대한 기준값 및 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하고 그에 대한 보정값을 산출하여 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함한다. 캘리브레이션시료는 세라믹재질로 제작되며 그 상면에 다수의 요철부가 마련되고 실제 검사시편이 안착되는 스테이지의 일측에 설치된다.
-
公开(公告)号：KR1020090051638A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070118120
申请日：2007-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 소자의 제조를 위한 마스크 세트를 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조를 위한 마스크 세트는, 제1 영역, 제2 영역 및 제1 영역과 제2 영역 사이에 위치하는 경계 영역으로 구분되는 영역을 정의하는 반도체 소자의 제조를 위한 마스크 세트에 있어서, 제1 영역에 형성되며 제1 피치를 가지는 제1 패턴을 포함하는 제1 마스크 레이어 및 제2 영역에 형성되며 제1 피치보다 큰 제2 피치를 가지는 제2 패턴을 포함하는 제2 마스크 레이어를 포함하고, 제1 패턴과 제2 패턴은 경계 영역으로 연장되어 연결되는 각각 제1 연장 패턴과 제2 연장 패턴을 통하여 서로 연결되도록 하고, 경계 영역과 인접한 제1 영역에 형성되는 제1 패턴 사이에 더미 패턴을 포함한다.
마스크, 이중노광, 연결 패턴, 보조 패턴-
公开(公告)号：KR1020050049261A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：KR1020030083179
申请日：2003-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/93
CPC classification number: G01N21/93 , G01N15/0211 , G01N15/1012 , G01N21/4785 , G01N21/9501
Abstract: 시편검사장치의 기준값 설정장치는 캘리브레이션시료와; 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 캘리브레이션광원과; 캘리브레이션시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받음과 아울러 검사시편으로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받는 적어도 하나의 디텍터와; 디텍터에 대한 기준값 및 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하고 그에 대한 보정값을 산출하여 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함한다. 캘리브레이션시료는 세라믹재질로 제작되며 그 상면에 다수의 요철부가 마련되고 실제 검사시편이 안착되는 스테이지의 일측에 설치된다.
-
公开(公告)号：KR1020040088139A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：KR1020030022225
申请日：2003-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/94 , G01N21/9501
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for detecting particles are provided to detect particles by irradiating light parallel to an upper surface of a processing target. CONSTITUTION: A light irradiation unit(110) irradiates light parallel to an upper surface of a processing target in order to detect particles from the processing target supported by a stage. A driving unit(112) generates the relative motion between the light irradiation unit and the processing target in order to scan the light irradiated from the light irradiation unit. A detection unit(130a) detects the scattered light from the irradiated light of the light irradiation unit or the particles.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检测颗粒的装置和方法，用于通过照射平行于处理目标的上表面的光来检测颗粒。 构成：光照射单元（110）照射平行于处理对象的上表面的光，以便检测来自由载物台支撑的处理目标的颗粒。 驱动单元（112）产生光照射单元和处理对象之间的相对运动，以扫描从光照射单元照射的光。 检测单元（130a）检测来自照射单元或颗粒的照射光的散射光。
-
公开(公告)号：KR1020040009389A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020020043321
申请日：2002-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A method for counting particles is provided to enhance the reliability in a fabrication process by measuring accurately a variation of particles. CONSTITUTION: The number of particles on a semiconductor substrate is counted before a semiconductor fabrication process is performed. The coordinates of the particles are measured and the measured data are stored as the first data(S22). The number of particles on a semiconductor substrate is counted after the semiconductor fabrication process is performed. The coordinates of the particles are measured and the measured data are stored as the second data(S24). A difference valve between the first data and the second data is determined by comparing the first data to the second data(S26).
Abstract translation: 目的：提供一种用于计数颗粒的方法，以通过精确测量颗粒的变化来提高制造过程中的可靠性。 构成：在进行半导体制造工艺之前对半导体衬底上的颗粒数进行计数。 测量颗粒的坐标并将测量数据作为第一数据存储（S22）。 在半导体制造工艺进行之后，对半导体衬底上的颗粒数进行计数。 测量颗粒的坐标，将测量数据作为第二数据存储（S24）。 通过将第一数据与第二数据进行比较来确定第一数据和第二数据之间的差分阀（S26）。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.02 seconds)
