公开(公告)号：KR1020050075872A

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020040003237

申请日：2004-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황순원 ,  송이헌 ,  염근영 ,  정석재

IPC: H01L27/10 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 본 발명은 컨택홀을 형성하지 않고 MTJ 셀 내에 컨택을 형성함으로써 나노 크기의 MTJ 셀을 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 컨택홀이 없는 나노 크기의 MTJ 셀을 형성하는 방법은, 반도체 기판 위에 MTJ 층을 적층하는 제 1 단계; 상기 MTJ 층을 소정의 깊이로 식각하여 MTJ 셀 형성 영역을 형성하는 제 2 단계; 상기 MTJ 층 표면 전체에 절연층과 마스크층를 차례로 도포하는 제 3 단계; 상기 MTJ 셀 형성 영역이 드러날 때까지 상기 마스크층과 절연층을 식각하는 제 4 단계; 및 상기 절연층과 MTJ 층 표면 전체에 금속층을 증착하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 지금까지 불가능했던 100nm 급의 MTJ 셀의 제조가 가능하며, 저항이 낮은 컨택을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100561859B1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020040003237

申请日：2004-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황순원 ,  송이헌 ,  염근영 ,  정석재

IPC: H01L27/10 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 본 발명은 컨택홀을 형성하지 않고 MTJ 셀 내에 컨택을 형성함으로써 나노 크기의 MTJ 셀을 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 컨택홀이 없는 나노 크기의 MTJ 셀을 형성하는 방법은, 반도체 기판 위에 MTJ 층을 적층하는 제 1 단계; 상기 MTJ 층을 소정의 깊이로 식각하여 MTJ 셀 형성 영역을 형성하는 제 2 단계; 상기 MTJ 층 표면 전체에 절연층과 마스크층를 차례로 도포하는 제 3 단계; 상기 MTJ 셀 형성 영역이 드러날 때까지 상기 마스크층과 절연층을 식각하는 제 4 단계; 및 상기 절연층과 MTJ 층 표면 전체에 금속층을 증착하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 지금까지 불가능했던 100nm 급의 MTJ 셀의 제조가 가능하며, 저항이 낮은 컨택을 형성할 수 있다.
비휘발성 메모리, MRAM, TMR, MTJ, 컨택, 컨택홀, 하드 마스크, 드라이 에칭

公开(公告)号：KR1020090079696A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：KR1020080005854

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박경배 ,  김홍범 ,  염근영 ,  이형철 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H05H1/26 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32715 ,  H01Q1/366 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4682

Abstract: A plasma processing apparatus having linear antennas is provided to improve density uniformity of plasma by changing a thickness of a dielectric for surrounding the linear antenna. A plasma processing apparatus having linear antennas includes a reaction chamber(110), a substrate supporting plate(120), linear antennas(132), an RF power source(138), and a dielectric(142). The substrate supporting plate is installed in a lower side of the inside of the reaction chamber in order to support a substrate to be processed. The linear antennas are used for inducing electric field to generate electric field. The linear antennas are installed in parallel to each other at an upper side of the inside of the reaction chamber. The RF power source is connected to the linear antennas in order to supply RF power to the linear antennas. The dielectric is formed to surround each of the linear antennas. The thickness of the dielectric is gradually reduced from a RF power input terminal of each linear antenna to a grounding terminal(132b).

Abstract translation: 提供具有线性天线的等离子体处理装置，通过改变用于包围线状天线的电介质的厚度来改善等离子体的密度均匀性。 具有线性天线的等离子体处理装置包括反应室（110），基板支撑板（120），线性天线（132），RF电源（138）和电介质（142）。 基板支撑板安装在反应室内侧的下侧，以便支撑待处理的基板。 线性天线用于感应电场以产生电场。 线性天线在反应室内部的上侧彼此平行地安装。 RF电源连接到线性天线，以便向线性天线提供RF功率。 电介质形成为围绕每个线性天线。 电介质的厚度从每个线性天线的RF功率输入端逐渐减小到接地端子（132b）。

公开(公告)号：KR1020090033718A

公开(公告)日：2009-04-06

申请号：KR1020070098892

申请日：2007-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박성수 ,  염근영

IPC: H05H1/26 ,  H05H1/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32669 ,  H01Q1/366 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4682

Abstract: A plasma processing apparatus having a linear antenna with a magnet is provided to increase transmission efficiency of the RF power by connecting the RF power source to the linear antenna through a matching circuit. A substrate support(120) is installed in an internal bottom of a reaction chamber(110) and supports the substrate to be processed. A plurality of linear antennas(132) induce the electric field for generating the plasma. The plurality of linear antennas are installed in the upper layer inside the reaction chamber to be separated each other and have a tube shape. An RF power source(138) is connected to the plurality of linear antennas and supplies the RF power to the plurality of linear antennas. A magnet is installed inside the linear antenna and generates the magnetic field intersecting the electric field. A matching circuit(136) is connected between the plurality of linear antenna and the RF power source.

Abstract translation: 提供一种具有带有磁铁的线性天线的等离子体处理装置，通过匹配电路将RF电源连接到线性天线来提高射频功率的传输效率。 衬底支撑件（120）安装在反应室（110）的内部底部并且支撑待加工的衬底。 多个线性天线（132）引起用于产生等离子体的电场。 多个线性天线安装在反应室内的上层中以彼此分离并具有管状。 RF电源（138）连接到多个线性天线，并将RF功率提供给多个线性天线。 在线性天线内部安装有磁铁，产生与电场相交的磁场。 匹配电路（136）连接在多个线性天线和RF电源之间。