公开(公告)号：WO2011105873A2

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/KR2011/001400

申请日：2011-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  염근영 ,  강세구 ,  전민환 ,  박종윤 ,  박병재 ,  연제관

Inventor： 염근영 ,  강세구 ,  전민환 ,  박종윤 ,  박병재 ,  연제관

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32706 ,  H01L43/12

Abstract: 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법은 RF 펄스 파워의 온/오프 주기에 맞추어 DC 파워를 마이너스(-) 파워 주기 및 플러스(+) 파워 주기가 조절되도록 인가함으로써 각 공정에 적합한 플라즈마를 형성하여 공정 효율을 극대화할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种在施加脉冲等离子体的直流电力时控制同步的方法。 根据本发明的施加脉冲等离子体的直流电力时的控制同步的方法包括根据RF脉冲功率的接通/关断周期施加直流电力，使得负（ - ）功率周期和加（+）功率周期可以 从而产生适合于每个工艺的等离子体并实现最大化的工艺效率。

公开(公告)号：WO2013015559A2

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/KR2012/005747

申请日：2012-07-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  염근영 ,  임웅선 ,  민경석 ,  김이연

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  민경석 ,  김이연

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C01B32/05

Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 吸附石墨烯表面上的反应性基团; 以及一种蚀刻石墨烯原子层的方法，其包括将能量源照射到反应性吸附有石墨烯的石墨烯。

公开(公告)号：WO2022177102A2

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：PCT/KR2021/016766

申请日：2021-11-16

Applicant: 대전대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김경남 ,  염근영 ,  김동우 ,  성다인 ,  탁현우 ,  오지영

IPC: H01L21/67 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/32 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명의 실시예에 의하면, 극저온(Cryogenic) 식각에 비하여 상대적으로 높은 온도에서도 극저온 식각과 거의 동일한 효과를 달성할 수 있는 액상 플루오로카본 또는 액상 하이드로플루오로카본 전구체를 이용하는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다. 또한, 액상 전구체와 저온에 의하여 발생할 수 있는 공정 문제를 해결할 수 있는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다.

公开(公告)号：WO2011105855A2

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/KR2011/001348

申请日：2011-02-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  염근영 ,  박병재 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연 ,  강세구

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연 ,  강세구

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/36

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J27/024

Abstract: 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF의 온 및 오프 구간에서 각각 양이온 및 음이온을 추출하여 이온을 전기적으로 중성화시킬 수 있고, 이를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于使高频电压和直流偏置电压同步的装置。 电源单元，电压调节单元和电压转换单元产生具有四个通道的第一电网电压和第二电网电压，并向输出驱动单元提供所产生的电压。 控制单元根据RF开/关周期向输出驱动单元提供控制脉冲信号。 输出驱动单元根据控制脉冲信号切换输出，以在RF接通时间段内将第一电网电压输出为高电平，将第二电网电压输出为低电平，并将第一电网电压输出低电平 电平和第二电网电压处于高电平关闭期。 因此，阳离子和阴离子从相应的RF开/关时段提取并电中和，从而消除了使用中性光束的常规装置中使用的反射板的必要性。

公开(公告)号：KR1020090079696A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：KR1020080005854

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박경배 ,  김홍범 ,  염근영 ,  이형철 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H05H1/26 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32715 ,  H01Q1/366 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4682

Abstract: A plasma processing apparatus having linear antennas is provided to improve density uniformity of plasma by changing a thickness of a dielectric for surrounding the linear antenna. A plasma processing apparatus having linear antennas includes a reaction chamber(110), a substrate supporting plate(120), linear antennas(132), an RF power source(138), and a dielectric(142). The substrate supporting plate is installed in a lower side of the inside of the reaction chamber in order to support a substrate to be processed. The linear antennas are used for inducing electric field to generate electric field. The linear antennas are installed in parallel to each other at an upper side of the inside of the reaction chamber. The RF power source is connected to the linear antennas in order to supply RF power to the linear antennas. The dielectric is formed to surround each of the linear antennas. The thickness of the dielectric is gradually reduced from a RF power input terminal of each linear antenna to a grounding terminal(132b).

Abstract translation: 提供具有线性天线的等离子体处理装置，通过改变用于包围线状天线的电介质的厚度来改善等离子体的密度均匀性。 具有线性天线的等离子体处理装置包括反应室（110），基板支撑板（120），线性天线（132），RF电源（138）和电介质（142）。 基板支撑板安装在反应室内侧的下侧，以便支撑待处理的基板。 线性天线用于感应电场以产生电场。 线性天线在反应室内部的上侧彼此平行地安装。 RF电源连接到线性天线，以便向线性天线提供RF功率。 电介质形成为围绕每个线性天线。 电介质的厚度从每个线性天线的RF功率输入端逐渐减小到接地端子（132b）。

公开(公告)号：KR102264112B1

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：KR1020190031564

申请日：2019-03-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  오종식 ,  김기현 ,  지유진 ,  변지영 ,  박진우 ,  김두산 ,  이원오

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L29/16 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR101853588B1

公开(公告)日：2018-04-30

申请号：KR1020170097527

申请日：2017-08-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  김기현 ,  박진우 ,  김두산 ,  지유진

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명의반도체소자, 광전소자, 및전이금속디칼코게나이드박막의제조방법에서, 본발명의반도체소자는기판; 및 N+M개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어진제1 영역및 상기제1 영역의상기 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로부터연장된 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고상기제1 영역과인접한제2 영역을구비하고상기기판상에배치된전이금속디칼코게나이드박막을포함하고, 상기제1 영역과상기제2 영역사이에헤테로접합이형성된다.

公开(公告)号：KR1020170027097A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：KR1020150123588

申请日：2015-09-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  김기석

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L51/52

Abstract: 본발명은박막형성방법에관한것으로, 복수의레이저소스를구비하는단계와; 소스가스를결정하는단계와; 상기소스가스에대응하는레이저소스를선택하는단계와; 상기소스가스를반응공간에공급하고플라즈마와선택된레이저소스로부터의레이저를이용하여대상체상에박막을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101500192B1

公开(公告)日：2015-03-06

申请号：KR1020130137799

申请日：2013-11-13

Applicant: 주식회사 포스코 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  염근영

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 본 발명은 투명전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그래핀층을 포함하는 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명에서는 투명한 기판 상에 일정 패턴을 갖는 메탈 메쉬 및 그래핀층을 순차적으로 형성함으로써, 전기 전도도가 우수하고, 경제적으로 유리하여 기존 ITO를 대체할 수 있는 투명전극을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种透明电极，更具体地说，涉及一种包括石墨烯层的透明电极及其制造方法。 根据本发明，在透明基板上依次形成具有一定图案的金属网和石墨烯层，从而提供导电性优异的透明电极，在经济上是有利的，可以代替现有的ITO。

公开(公告)号：KR101466487B1

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：KR1020130065517

申请日：2013-06-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  민경석 ,  강승현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136

Abstract: 산화 베릴륨(BeO)에 대한 원자층 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 산화 베릴륨 원자층 식각 방법은, 반응챔버 내부에 식각가스를 주입하여 상기 피식각층에 흡착시키는 제1 단계; 상기 식각가스 중 상기 피식각층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계; 상기 식각가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브 Be-O 층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브 Be-O 층과 제2 서브 Be-O 층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 식각가스가 흡착된 피식각층 표면에 조사하여 상기 식각가스가 흡착된 피식각층을 탈착시키는 제3 단계; 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계; 를 포함한다.

Abstract translation: 公开了氧化铍（BeO）的原子层蚀刻方法。 根据本发明，BeO原子层蚀刻方法包括：将蚀刻气体注入反应室以将气体粘附到待蚀刻层的第一步骤; 将未附着于被蚀刻层的残留气体排出到反应室外部的第二工序; 通过发射能量大于被蚀刻层的组合能量和第一子Be-O层并且小于所述蚀刻气体的组合能量的第三步骤， 第一子Be-O层和第二子Be-O层，到待蚀刻层的表面; 以及将解吸附的混合物排出到反应室的外部的第四步骤。