-
-
公开(公告)号：KR1020170094744A
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020160100122
申请日：2016-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F17/50 , H01L21/768
Abstract: 본개시의기술적사상에따른집적회로를제조하는컴퓨터구현방법은집적회로를정의하는표준셀들을배치하고, 배치된표준셀들내의타이밍패쓰들중 타이밍크리티컬패쓰의적어도하나의네트를, 에어갭레이어로프리라우팅하며, 타이밍패쓰들중 넌-크리티컬패쓰의네트들을라우팅하고, 프리라우팅및 라우팅에따라생성된레이아웃을기초로집적회로를제조한다.
Abstract translation: 对于根据本发明的技术特征的制造集成电路的计算机实现的方法是一个标准信元，以限定所述集成电路的放置的时间关键路径的网中的至少一个，并且在所述展开的标准单元的时序路径，气隙层 洛瑞路由，和路径的定时的非生产基于根据与路由网络关键路径的，和预路由和路由生成的布局的集成电路。
-
公开(公告)号：KR1020160025435A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020150013578
申请日：2015-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 전계효과트랜지스터에있어서전력노드와연결되는제1 변형콘택의면적을넓힘으로써전압강하(IR-DROP)를줄일수 있다. 나아가, 출력노드와연결되는제2 변형콘택의이격거리를넓히고제2 변형콘택의면적을줄임으로써기생캐패시턴스를감소시킬수 있다. 이로써소자의전기적특성이향상될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。 在场效应晶体管中，通过扩大与功率节点连接的第一修改触点的面积，可以降低电压降（IR-DROP）。 此外，通过扩大连接到输出节点的第二修改触点和减小第二修改触点的面积之间的间隔，可以减小寄生电容。 结果，可以提高半导体器件的电特性。
-
-
公开(公告)号：KR1020170084411A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020160003331
申请日：2016-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5077 , G06F17/5081
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치의핀(Pin)간라우팅을설계하는방법은, 상기반도체장치의라우팅할후보핀들에대한정보를입력받는단계, 상기후보핀들중에서밀도, 형태, 그리고사이즈조건을고려하여라우팅가능한핀들을선택하는전처리단계, 상기선택된핀들간의연결정보를넷리스트로생성하는단계, 그리고상기넷리스트를컴퓨터시스템에서구동되는라우팅툴에서실행하기위한인터페이스스크립트를생성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 如何根据本发明的路由是，密度收到有关的半导体器件，所述形状的候选销路径信息的候补销工序，尺寸条件的一个实施例设计的半导体器件的横销（PIN） 在的步骤;和生成界面脚本在路线工具运行，以驱动所述网表在计算机系统上用于生成所述预处理步骤之间的连接信息的步骤中考虑，在网表选择路由销的选择的管脚 。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160011562A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020150003466
申请日：2015-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L25/07 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/01 , H01L25/0657 , H01L25/074
Abstract: 본개시는적어도하나의셀을포함하는집적회로에관한것으로서, 적어도하나의셀은, 제1 방향으로연장되고제1 방향에수직인제2 방향을따라서로평행하게배치되는복수의도전라인들, 복수의도전라인들중 적어도하나의도전라인의양 옆에각각배치되는제1 컨택들및 적어도하나의도전라인및 제1 컨택들의상부에배치되고, 적어도하나의도전라인및 제1 컨택들에전기적으로연결되어하나의노드를형성하는제2 컨택을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及包括至少一个电池的集成电路。 所述至少一个单元包括：沿着第一方向延伸并沿着垂直于所述第一方向的第二方向彼此平行布置的多条导线，所述第一触头分别布置在至少一个导电 多条导线之间的线; 以及布置在所述至少一个导线和所述第一触点的上部上的第二触点，并且通过电连接到所述至少一个导线和所述第一触点而形成一个节点。
-
公开(公告)号：KR1020130084029A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020120004714
申请日：2012-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5031 , G06F17/5045 , G06F2217/84 , H01L27/0207
Abstract: PURPOSE: A design method of a system-on-chip including a tapless standard cell, a design system thereof, and a system-on-chip thereof are provided to increase the operation speed of a system-on-chip. CONSTITUTION: To reflect a first fast corner of the movement speed distribution to the reverse body biasing and change the first fast corner to a second fast corner, a second timing parameter corresponding to the second fast corner is set (S130). The second fast corner has a slower movement speed than the first fast corner. Based on a first timing parameter corresponding to a second slow corner and the second timing parameter corresponding to the second fast corner, a system-on-chip including a tapless standard cell is produced (S150). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S110) Set a first timing parameter for increasing a slow corner by reflecting forward body biasing; (S130) Set a second timing parameter for decreasing a fast corner by reflecting reverse body biasing; (S150) Produce a system-on-chip based on the first and second timing parameters
Abstract translation: 目的：提供一种片上系统的设计方法，包括无无线标准单元，其设计系统及其片上系统，以提高片上系统的运行速度。 构成：为了将运动速度分布的第一快速角反映到反转体偏置并将第一快速拐角改变到第二快速拐角，设置对应于第二快速拐角的第二定时参数（S130）。 第二个快速拐角的移动速度比第一个快速转角慢。 基于对应于第二慢转角的第一定时参数和对应于第二快速转角的第二定时参数，产生包括无无线标准单元的片上系统（S150）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）完成; （S110）设定第一定时参数，通过反射向前的主体偏置来增加慢转角; （S130）设置第二定时参数，通过反射反向偏置来减小快速转角; （S150）基于第一和第二定时参数生成片上系统
-
公开(公告)号：KR1020100025951A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080084718
申请日：2008-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: PURPOSE: A method of simulating a leakage current in a semiconductor device is provided to reduce the complexity of an algorithm without the accuracy of the log normal distribution. CONSTITUTION: A spatial correlation between process variables bringing about the leakage current parameter and pitches(S200) is determined. A plurality of leakage components and the physically equivalent virtual cell leakage characteristic function are generated(S300). A virtual cell leakage characteristic function for each cell within the fractional area is arithmetically calculated. An area leakage characteristic function which is a characteristic function about the leakage current in the fractional area is generated(S400, S500). A full chip leakage characteristic function which is a characteristic function about the leakage current generating in full chip is generated(S500).
Abstract translation: 目的：提供一种在半导体器件中模拟漏电流的方法，以降低算法的复杂度，而不需要对数正态分布的精度。 构成：确定导致漏电流参数和间距的过程变量之间的空间关系（S200）。 产生多个泄漏分量和物理等效的虚拟单元泄漏特性功能（S300）。 算术计算分数区内每个单元的虚拟单元泄漏特性函数。 产生作为分数区域中的泄漏电流的特征函数的面积泄漏特性函数（S400，S500）。 产生全芯片泄漏特性函数，其是关于全芯片中产生的漏电流的特征函数（S500）。
-
公开(公告)号：KR1020080021991A
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020060085301
申请日：2006-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03K19/00384 , G05F3/205 , H03K2217/0018
Abstract: A body biasing control circuit using a lookup table and a body biasing control method using the same are provided to independently control body voltages associated with plural macro blocks which are shared with the circuit. A lookup table(41) stores plural indexes, each index indicating a body voltage appropriate for an operating state of a corresponding macro block of plural macro blocks(100,200). A control unit(43) receives the indexes from the lookup table, and generates plural body voltages appropriate for an operating state of a macro block corresponding to at least one index to supply the body voltages to the macro block. A power management unit(45) is adapted to read the indexes from the lookup table, and supplies the indexes to the control unit.
Abstract translation: 提供使用查找表的身体偏置控制电路和使用其的身体偏置控制方法来独立地控制与电路共享的多个宏块相关联的身体电压。 查找表（41）存储多个索引，每个索引指示适合于多个宏块（100,200）的相应宏块的操作状态的体电压。 控制单元（43）从查找表接收索引，并产生适于与至少一个索引相对应的宏块的操作状态的多个体电压，以向宏块提供体电压。 电源管理单元（45）适于从查找表读取索引，并将索引提供给控制单元。
-
公开(公告)号：KR100675006B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020060007900
申请日：2006-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 학교법인 포항공과대학교
IPC: G11C5/14
Abstract: A level converting flip-flop for a multi-supply system is provided to reduce power consumption by using a complementary pass transistor based flip-flop in a high speed system and using an indirect precharge flip-flop in a low power system. A clock delay unit(110) is driven by a low supply voltage and generates an output signal by inverting and delaying a clock signal. A switch unit(120) includes a plurality of switches for switching input data in response to the clock signal and the output signal of the clock delay unit. A latch unit(130) stores output signals of one or more switches of the switch unit. An input buffer unit(150) is driven by the low supply voltage in order to inversely buffer the input data or inversely buffer the inverse-buffered input data again.
Abstract translation: 通过在高速系统中使用基于互补传输晶体管的触发器并在低功耗系统中使用间接预充电触发器，可提供多电源系统的电平转换触发器，以降低功耗。 时钟延迟单元（110）由低电源电压驱动，并通过反转和延迟时钟信号来产生输出信号。 开关单元（120）包括用于响应时钟信号和时钟延迟单元的输出信号来切换输入数据的多个开关。 锁存单元（130）存储开关单元的一个或多个开关的输出信号。 输入缓冲器单元（150）由低电源电压驱动，以反向缓冲输入数据或再次反向缓冲反向缓冲的输入数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.03 seconds)
