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公开(公告)号：KR1020070024210A
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050078906
申请日：2005-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유덕수
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32458 , H01L21/67069
Abstract: A plasma etching apparatus is provided to avoid a match defect between a coil and an etch chamber even if a PM(preventive maintenance) process for opening the cover of the etch chamber is performed. An electrostatic chuck(120) is included in an etch chamber(110). A cathode part(130) supplies a predetermined RF voltage to the electrostatic chuck. A plasma induction part(140) supplies a predetermined RF voltage to the etch chamber, disposed over the etch chamber. A quartz disk assembly part on which a conductive layer is coated is interposed between the etch chamber and the plasma induction part, including a dome-type quartz plate(151) and a copper layer(152) coated on the upper surface of the quartz plate.
Abstract translation: 提供等离子体蚀刻装置，以避免线圈和蚀刻室之间的匹配缺陷，即使执行用于打开蚀刻室的盖的PM（预防性维护）工艺。 静电卡盘（120）包括在蚀刻室（110）中。 阴极部分（130）将预定的RF电压提供给静电卡盘。 等离子体感应部件（140）将预定的RF电压提供给设置在蚀刻室上方的蚀刻室。 在其上涂覆有导电层的石英盘组件部分插入在蚀刻室和等离子体感应部分之间，包括圆顶型石英板（151）和涂覆在石英板的上表面上的铜层（152） 。
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公开(公告)号：KR1020050030708A
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：KR1020030066653
申请日：2003-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유덕수
IPC: H01L21/02
Abstract: A bit of semiconductor manufacturing equipment is provided to replace easily a damaged bellows with a new one by using an enhanced belllows separating structure. A bit of semiconductor manufacturing equipment includes a process chamber(10), a wafer chuck, a driving shaft, a first connecting member, a second connecting member and a bellows. The wafer chuck(20) for loading stably a wafer is installed in the process chamber. The driving shaft(31) is installed under the wafer chuck and prolonged to the outside. The first connecting member(25) is installed around the driving shaft under the wafer chuck. The second connecting member(23) encloses a periphery of the first connecting member. The bellows(30) is installed between the second connecting member and an inner bottom of the process chamber.
Abstract translation: 提供一些半导体制造设备，通过使用增强型长筒分离结构，轻松地更换损坏的波纹管。 一些半导体制造设备包括处理室（10），晶片卡盘，驱动轴，第一连接构件，第二连接构件和波纹管。 用于将晶片稳定地装载的晶片卡盘（20）安装在处理室中。 驱动轴（31）安装在晶片卡盘下方并延伸到外部。 第一连接构件（25）安装在晶片卡盘下方的驱动轴周围。 第二连接构件（23）包围第一连接构件的周边。 波纹管（30）安装在第二连接构件和处理室的内底之间。
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公开(公告)号：KR1019970072178A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960012580
申请日：1996-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 반도체 메모리 셀의 제조 방법에 있어서, 등방성 플라즈마 시각법을 이용하여 메모리 셀의 실리사이드 게이트를 위한 텅스텐 실리사이드 층과 다결정 실리콘층을 리세스 식각하여 실리사이드 게이트의 크기를 실리사이드 게이트를 형성하기 위한 산화층이 마스크의 크기보다 작거나 동일하게 형성함으로써 실리사이드 게이트와 DC 콘택부사이의 층간 절연막의 마진을 충분히 확보할 수 있다.
따라서, 실리사이드 게이트와 비트 라인의 간섭이 방지되어 메모리 셀의 품질이 향상되고, 메모리 셀의 고집적화가 가능하게 된다.-
公开(公告)号：KR1020050117102A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020040042295
申请日：2004-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유덕수
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01L21/67069
Abstract: 업스트림 방식으로 가스가 공급되는 반도체 제조용 건식 식각 장치가 제공된다. 반도체 제조용 건식 식각 장치는 반도체 제조시 건식 식각 공정이 이루어지는 진공 챔버, 진공 챔버 내의 하부에 설치되고, 진공 챔버 내로 업스트림 방식으로 반응 가스를 공급하는 포커스 링과 포커스 링 상부에 설치되고 웨이퍼가 놓여지는 정전척을 구비하는 하부 전극 어셈블리, 진공 챔버 내의 상부에 하부 전극 어셈블리와 소정 간격 이격 설치되고, 포커스 링을 통해 공급된 반응 가스가 웨이퍼에 집중되도록 안내하고 반응 가스의 외부 배기 경로를 제공하는 유니포머티 링과 유니포머티 링 상부에 설치되어 자유 전자를 방출하는 상부 전극을 구비하는 상부 전극 어셈블리 및 진공 챔버 외부에 설치되어 상부 전극 어셈블리를 구동시키는 구동 챔버를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960001754B1
公开(公告)日：1996-02-05
申请号：KR1019930014061
申请日：1993-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유덕수
IPC: G06K19/07
Abstract: The method for controlling input/output of secret data and code in a pocket memory device comprises the steps of checking the input of a key in a key pad in a secret mode and if there is no input of the key, checking if a code is processed; and if the code is not being processed, maintaining the key input standby state, if the code is being processed, determining if the data displayed on a displaying unit is the data of a secret data or a code, and if it is determined that the code is being processed, changing the display state of the displaying unit into the state different from the secret data processing state until the key is input.
Abstract translation: 用于控制口袋存储装置中的秘密数据和代码的输入/输出的方法包括以下步骤：以秘密模式检查键盘中的键的输入，并且如果没有键的输入，则检查代码是否为 处理; 并且如果所述代码未被处理，则保持所述键输入备用状态，如果所述代码正在被处理，则确定显示单元上显示的数据是否是秘密数据或代码的数据，并且如果确定 正在处理代码，将显示单元的显示状态改变为与秘密数据处理状态不同的状态，直到键被输入。
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公开(公告)号：KR1020000014055A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980033264
申请日：1998-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A chamber wall temperature control system is provided to maintain the inside temperature of a plasma chamber with the optimum fabrication conditions. CONSTITUTION: The system comprises of a temperature sensor (328) installed on a temperature control pad (320), monitoring the temperature of a chamber wall (300) and applying a signal by a controller (600) comparing the obtained temperature value of the chamber wall (300) with a set temperature value defined beforehand as the optimum temperature of fabrication conditions, calculating a controlled variable, and correspondingly controlling the on-off operation of control valves (440a,440b); control valves (440a, 440b) opening when the temperature of the chamber wall (300) is higher than a set temperature; and a coolant supplied from its central source of supply (500), circulating through a cooling line (324) and cooling the temperature control pad (320). Thus, the chamber wall (300) heated by RF (Radio Frequency) high voltage during plasma fabrication is cooled. If the temperature of the chamber wall (300) reaches a set temperature through the cooling, the controller (600) discriminates it by a monitoring signal of the temperature sensor (328), and controls the output, and shuts control valves (440a, 440b). Thereby, the coolant circulating through an injection line (420a) and a discharge line (420b) is blocked, and the cooling of the chamber wall (300) discontinues.
Abstract translation: 目的：提供室壁温度控制系统，以便在最佳制造条件下保持等离子体室的内部温度。 构成：系统包括安装在温度控制垫（320）上的温度传感器（328），监测室壁（300）的温度，并通过控制器（600）施加信号，比较所获得的室的温度值 （300），其具有预先定义的设定温度值作为制造条件的最佳温度，计算受控变量，并相应地控制控制阀（440a，440b）的开关操作; 当室壁（300）的温度高于设定温度时，控制阀（440a，440b）打开; 以及从其中央供应源（500）供应的冷却剂，通过冷却管线（324）循环并冷却温度控制垫（320）。 因此，在等离子体制造期间由RF（射频）高电压加热的室壁（300）被冷却。 如果通过冷却使室壁（300）的温度达到设定温度，则控制器（600）通过温度传感器（328）的监视信号进行鉴别，并控制输出，并关闭控制阀（440a，440b） ）。 因此，通过喷射管线（420a）和排出管线（420b）循环的冷却剂被堵塞，并且室壁（300）的冷却停止。
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公开(公告)号：KR1019950004060A
公开(公告)日：1995-02-17
申请号：KR1019930014061
申请日：1993-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유덕수
IPC: G06K19/07
Abstract: 본 발명은 소형기억장치 등에 비밀데이타를 입력할 때의 비밀모드시에 데이타와 암호를 표시부상에 구별가능하게 표시하기 위한 것으로, 키의 입력유무를 판단하여 키 입력이 없으면 암호를 처리하는 중 인지의 여부를 판단한 다음 암호처리 중인 경우 표시부상의 표시상태를 달리함으로서, 비밀데이타의 데이타와 암호를 구별할 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면 사용자가 표시부상에 표시되는 비밀모드시의 암호와 데이타를 명확하게 인식할 수가 있다.
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